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电子发烧友网>模拟技术>今日看点:“玲龙一号”全球首堆冷试成功;三星电子发布HBM4E研发规划

今日看点:“玲龙一号”全球首堆冷试成功;三星电子发布HBM4E研发规划

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谷神一号运载火箭首次海上发射成功 星河动力航天于黄海海域顺利完成谷神一号海射型(遥)运载火箭发射任务,顺利将天启星座21至24送入800KM预定轨道。这是谷神一号运载火箭的首次海上发射。
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三星电子近日宣布,公司成功研发发布了其款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这也意味着三星已开发出业界迄今为止容量最大的新型高带宽存储器(HBM)。
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英伟达CEO赞誉三星HBM内存,计划采购

 提及此前有人预测英伟达可能向三星购买HBM3或HBM3E等内存,黄仁勋在会上直接认可三星实力,称其为“极具价值的公司”。他透露目前已对三星HBM内存进行测试,未来可能增加采购量。
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英伟达寻求从三星采购HBM芯片

英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系,计划从后者采购高带宽存储(HBM)芯片。HBM作为人工智能(AI)芯片的核心组件,其重要性不言而喻。与此同时,三星正努力追赶业内领头羊SK海力士,后者已率先实现下HBM3E芯片的大规模量产。
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三星电子HBM存储技术进展:12层HBM3E芯片,2TB/s带宽HBM4即将上市

据业内透露,三星HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司,有能力在2024年9月实现对英伟达的替代,这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而,三星方面不愿透露具体客户信息。
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三星与AMD达成HBM3E采购大单,总金额达4万亿韩元

三星方面表示,预计今年上半年将正式生产出HBM3E 12H内存,而AMD则计划于下半年开始生产相应的AI加速卡。值得注意的是,三星HBM3E 12H内存的全天候最大带宽可达到惊人的1280GB/s,产品容量更是高达36GB。
2024-04-24 14:44:38935

三星电子组建HBM4独立团队,力争夺回HBM市场领导地位

具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进研发,而月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下HBM内存——HBM4
2024-05-10 14:44:391037

SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 HBM4 提升 1.4 倍。
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SK海力士提前年量产HBM4E第七代高带宽存储器

据业内人士预计,HBM4E的堆叠层数将增加到16~20层,而SK海力士原本计划在2026年量产16层的HBM4产品。此外,该公司还暗示,有可能从HBM4开始采用“混合键合”技术以实现更高的堆叠层数。
2024-05-15 09:45:35902

SK海力士HBM4E存储器提前年量产

SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了项重要进展。SK海力士计划从2026年开始,提前年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这消息表明,SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131306

三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注

业内评论指出,三星HBM之所以出现问题,主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8层HBM3E的生产方式与三星有所差异,导致三星产品未能顺利通过验证。
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三星HBM3E尚无法通过英伟达认证

三星电子近期正积极投入验证工作,以确保其HBM3E产品能够顺利供应给英伟达。然而,业界传出消息,因台积电在采用标准上存在的某些问题,导致8层HBM3E产品目前仍需要进步的检验。
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三星HBM芯片遇阻英伟达测试

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三星电子否认HBM产品未达标,多家合作公司保证质量

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2024-05-27 10:42:20977

三星HBM研发受挫,英伟达测试未达预期,如何满足AI应用GPU的市场需求?

据DigiTimes报道,三星HBM3E未能通过英伟达测试可能源于台积电审批环节出现问题。三星与台积电在晶圆代工领域长期竞争,但在英伟达主导的HBM市场,三星不得不寻求与台积电合作。台积电作为英伟达GPU芯片的制造商和封装商
2024-05-27 16:53:211157

英伟达否认三星HBM未通过测试

英伟达公司CEO黄仁勋近日就有关三星HBM(高带宽内存)的传闻进行了澄清。他明确表示,英伟达仍在认证三星提供的HBM内存,并否认了三星HBM未通过英伟达任何测试的传闻。
2024-06-06 10:06:53969

三星电子突破瓶颈,HBM3e内存芯片获英伟达质量认证

在科技界的密切关注下,三星电子与英伟达之间的合作再次传来振奋人心的消息。据韩国主流媒体NewDaily最新报道,三星电子成功通过英伟达的HBM3e(高带宽内存)质量测试,标志着这家科技巨头在高端
2024-07-04 15:24:56966

三星电子HBM3E测试传闻引发热议,紧急澄清市场误解

在科技界与金融市场的交汇点,则关于三星电子HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)芯片通过英伟达严格质量测试的消息于7月4日悄然传开,瞬间点燃了业界内外对于高性能存储技术未来
2024-07-04 16:22:511027

三星HBM3E质量认证进展:官方否认,测试仍在进行

近日,韩国媒体的则报道引发了业界广泛关注,称三星电子的新代高带宽内存HBM3E已经顺利通过了GPU巨头英伟达(NVIDIA)的质量认证,即Qualtest PRA(产品准备批准),并预示着该产品
2024-07-05 10:37:031021

三星否认HBM3E通过英伟达测试传闻

近期,有媒体报道称三星电子成功通过英伟达(NVIDIA)的HBM3E(高带宽内存)质量测试,并预计很快将启动量产流程,以满足市场对高性能存储解决方案的迫切需求。然而,这消息迅速遭到了三星电子的官方否认。
2024-07-05 15:08:181139

三星电子否认HBM3e芯片通过英伟达测试

韩国新闻源NewDaily近日发布则报道,声称三星电子HBM3e芯片已成功通过英伟达的产品测试,预示着即将开启大规模生产并向英伟达供货的序幕。然而,三星电子方面迅速对此消息进行了否认,表示并未收到官方确认。
2024-07-05 16:09:581158

三星电子重组架构,加速HBM技术创新

在半导体技术日新月异的今天,三星电子再次展现了其作为行业领导者的前瞻视野与战略布局。据韩国媒体最新报道,三星电子已正式启动了组织重组计划,旨在通过整合与优化资源,构建个全新的高带宽内存(HBM)开发团队。此举标志着三星电子在加速推进HBM技术领域创新与突破的坚定决心。
2024-07-08 11:54:06912

三星HBM3e获英伟达认证,加速DRAM产能转型

近日,三星电子在半导体领域再传捷报,其高频宽内存(HBM)产品HBM3e成功通过全球图形处理与AI计算巨头英伟达(NVIDIA)的严格认证,标志着该产品即将进入规模化生产阶段,预计在本季度内正式向
2024-07-18 09:36:591254

今日看点丨苹果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星HBM3e先进芯片今年量产

1. 三星HBM3e 先进芯片今年量产,营收贡献将增长至60%   三星电子公司计划今年开始量产其第五代高带宽存储器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其对营收的贡献。三星电子表示,该公司预计其
2024-08-01 11:08:111276

三星HBM3e芯片量产在即,营收贡献将飙升

三星电子公司近日宣布了项重要计划,即今年将全面启动其第五代高带宽存储器(HBM)芯片HBM3e的量产工作,并预期这先进产品将显著提升公司的营收贡献。据三星电子透露,随着HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37915

三星电子HBM3E芯片测试进展引发市场关注

8月7日,市场上关于三星电子第五代高频宽记忆体芯片HBM3E已通过英伟达(Nvidia)测试的消息引起了广泛关注。然而,三星电子对此事态的反应却显得较为谨慎。三星电子官方表示:“我们无法证实与我
2024-08-07 15:23:26836

三星否认HBM3E芯片通过英伟达测试

近日,有关三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而,三星电子迅速对此传闻进行了回应,明确表示该报道并不属实。
2024-08-08 10:06:021033

三星电子加速推进HBM4研发,预计明年底量产

三星电子在半导体技术的创新之路上再迈坚实步,据业界消息透露,该公司计划于今年年底正式启动第6代高带宽存储器(HBM4)的流片工作。这举措标志着三星电子正紧锣密鼓地为明年年底实现12层HBM4产品的量产做足准备。
2024-08-22 17:19:071244

三星HBM3E内存挑战英伟达订单,SK海力士霸主地位受撼动

进入八月,市场传言四起,韩国存储芯片巨头三星电子(简称“三星”)的8层HBM3E内存(新代高带宽内存产品)已顺利通过英伟达严格测试。然而,三星迅速澄清,表示这报道与事实相去甚远,强调目前质量测试
2024-08-23 15:02:561332

TrendForce:三星HBM3E内存通过英伟达验证,8Hi版本正式出货

9月4日最新资讯,据TrendForce集邦咨询的最新报告透露,三星电子成功完成其HBM3E内存产品的验证流程,并正式启动了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出货,该产品主要面向英伟达H200系列应用。同时,三星电子还积极推进Blackwell系列的验证工作,预示着更先进技术的稳步前行。
2024-09-04 15:57:091520

三星电子HBM3E内存获英伟达认证,加速AI GPU市场布局

近日,知名市场研究机构TrendForce在最新发布的报告中宣布了项重要进展:三星电子HBM3E内存产品已成功通过英伟达验证,并正式开启出货流程。具体而言,三星HBM3E 8Hi版本已被确认
2024-09-05 17:15:281289

三星预测HBM需求至2025年翻倍增长

三星电子近期发布预测,指出全球HBM(高带宽内存)需求正迎来爆发式增长。据三星估算,到2025年,全球HBM需求量将跃升至250亿GB,较今年预测的120亿GB实现翻番,这主要得益于人工智能技术的迅猛发展对高性能内存的迫切需求。
2024-09-27 14:44:29901

三星电子调整HBM内存产能规划,应对英伟达供应延迟

近日,三星电子因向英伟达供应HBM3E内存的延迟,对其HBM内存的产能规划进行了调整。据韩媒报道,三星已将2025年底的产能预估下调至每月17万片晶圆,这调整反映了半导体行业当前紧张的供需关系和激烈的市场竞争。
2024-10-11 17:37:121274

三星电子HBM3E商业化遇阻,或重新设计1a DRAM电路

近日,业界传出三星电子HBM3E商业化进程迟缓的消息,据称这状况或与HBM核心芯片DRAM有关。具体而言,1a DRAM的性能问题成为了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应的绊脚石。
2024-10-23 17:15:101117

三星电子或向英伟达供应先进HBM

领域的竞争对手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。据悉,SK海力士已经开始量产业界领先的12层HBM3E芯片。这消息无疑加剧了HBM市场的竞争态势。 然而,对于三星电子来说,向英伟达供应HBM不仅是个重要的商业机会,更是展示其技术实力和
2024-11-04 10:39:39671

美光发布HBM4HBM4E项目新进展

近日,据报道,全球知名半导体公司美光科技发布了其HBM4(High Bandwidth Memory 4,第四代高带宽内存)和HBM4E项目的最新研发进展。 据悉,美光科技的下HBM4内存将采用
2024-12-23 14:20:391165

三星电子将供应改良版HBM3E芯片

三星电子在近期举行的业绩电话会议中,透露了其高带宽内存(HBM)的最新发展动态。据悉,该公司的第五代HBM3E产品已在2024年第季度实现大规模生产和销售,并在第四季度成功向多家GPU厂商及数据中心供货。与上HBM3相比,HBM3E的销售额实现了显著增长。
2025-02-06 17:59:00915

三星与英伟达高层会晤,商讨HBM3E供应

近期,三星电子设备解决方案(DS)部门负责人兼副董事长全永铉(Jun Young-hyun)与英伟达公司CEO黄仁勋,在加利福尼亚州桑尼维尔的英伟达总部举行了次重要会议。此次会议聚焦于三星电子改进
2025-02-18 11:00:38788

突破堆叠瓶颈:三星电子拟于16层HBM导入混合键合技术

成为了全球存储芯片巨头们角逐的焦点。三星电子作为行业的领军企业,直致力于推动 HBM 技术的革新。近日有消息传出,三星电子准备从 16 层 HBM 开始引入混合键合技术,这举措无疑将在存储芯片领域掀起新的波澜。 编辑 ​ 编辑 ​ 技术背景:HBM 发展的必然趋
2025-07-24 17:31:16374

HBM3E量产后,第六代HBM4要来了!

有消息说提前到2025年。其他两家三星电子和美光科技的HBM4的量产时间在2026年。英伟达、AMD等处理器大厂都规划HBM4与自家GPU结合的产品,HBM4将成为未来AI、HPC、数据中心等高性能应用至关重要的芯片。 行业标准制定中 近日,JEDEC固态技术协会发布的新闻稿表示,
2024-07-28 00:58:136335

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