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圣邦微电子推出低静态电流车规级理想二极管控制器
圣邦微电子推出 SGM25733Q，一款耐反向电压输入的低静态电流车规级理想二极管控制器。该器件可应用于汽车信息娱乐系统（数字仪表盘和主机）、冗余电源系统的有源“或”电路、汽车 ADAS 系统（摄像头集成）、企业电源和工业工厂自动化中的 PLC 集成。
SGM25733Q 是一款专为汽车应用设计的理想二极管控制器，可作为理想二极管整流器使用。它搭配外部 NMOS 管，能够提供低损耗的反极性保护，其正向压降仅为 20mV。该器件拥有 3.2V 至 65V 的宽电源输入范围，能够轻松应对汽车电池系统中常见的各种直流总线电压，如 12V、24V 和 48V。它支持低至 3.2V 的输入电压，非常适合对冷启动条件要求严苛的汽车系统。此外，它还能保护连接的负载免受低至 -65V 的反向电源电压的影响。
通过控制 MOSFET 的栅极，该器件可调节 20mV 的正向压降。这种控制架构可确保外部 MOSFET 在出现反向电流时关闭，从而有效防止任何稳态反向电流。该器件具有小于 0.88μs 的快速反向电流阻断响应时间，非常适合在 ISO7637 脉冲测试以及输入微短路和电源故障情况下需要保持输出电压的应用。
宇树科技将在四季度提交IPO申请
近日，宇树科技在社交媒体平台X上发帖称，预计将在10月至12月向中国证券交易所提交IPO申请，运营数据将正式披露。
宇树科技表示以2024年为例，四足机器人、人形机器人和组件产品销售额分别占约65%、30%和5%。
其中约80%的四足机器人被应用于研究、教育和消费领域，而剩余的20%则被用于工业领域，如检查与消防。人形机器人完全用于研究、教育和消费领域。
美国再次对中国产GPU/主板等半导体关税豁免
美国贸易代表办公室（USTR）再次推迟对从中国进口的显卡及相关PC硬件恢复25%关税的计划。该豁免原定于8月31日到期，现已延长至2025年11月29日。
这意味着在中国组装的显卡、主板和固态硬盘（SSD）至少可以在三个月内继续免征高额进口税运往美国。美国贸易代表办公室援引公众意见和持续的供应链限制作为理由，同时也承认中国以外的其他供应商仍未准备好承担这一负担。
关税风波始于2018年，当时特朗普政府根据301条款对大量中国电子产品征收25%的关税。显卡和主板曾一度受困，最终在2019年通过临时豁免得以脱身。此后，这项豁免在两届政府的领导下屡屡被延长——通常是在最后一刻。
这项豁免原定于2025年6月1日到期。然而，美国贸易代表办公室却将其延长至8月31日。如今，临近截止日期，该机构再次将截止日期推迟到11月底。官方通知还指出，美国贸易代表办公室“可能会继续考虑进一步延期或酌情进行其他修改。”
马斯克投资的飞行汽车在机场试运营：售价200余万人民币
据外媒9月2日报道，美国加州圣马特奥一家公司研发的飞行汽车，已经与两家机场签约，开始试运营。这是一辆黑色纯电动汽车，没有外露螺旋桨，可垂直起降，能在普通道路上使用，飞行续航为170公里。
另据《纽约邮报》早前报道，马斯克的SpaceX也是这家公司的投资人。该车售价30万美元，约合人民币214万元，已获得3300份预订单。Alef官网显示，有押金150美元和押金1500美元两种选项可供选择，二者的区别就在于前者是普通等候队伍，后者可以享受优先提车的VIP待遇。
英特尔25年资深高管将跳槽ADI
在英特尔拥有25年经验的资深人士、前先进封装技术开发总监Narahari Ramanuja即将离职，转而执掌亚德诺半导体（ADI）新扩建的俄勒冈晶圆厂。资料显示，Narahari Ramanuja将于9月底出任ADI公司比弗顿晶圆厂的董事总经理兼总经理。
全球领先的模拟芯片公司ADI保持了与英特尔截然不同的产品线，最近斥资10亿美元对比弗顿工厂进行升级，这是其最大的生产线。该公司还在华盛顿州卡马斯附近设有一家工厂，这加强了其在太平洋西北地区制造业的发展承诺。
近几个月，英特尔多名高级技术人员和管理人员离职或退休。曾负责英特尔制造业务的Ann Kelleher于今年3月退休。另外英特尔半导体封装技术首席工程师段罡（Gang Duan）已离职，加入三星电机，预计将监督三星电机美国子公司的技术营销与应用工程业务。其他备受瞩目的离职人员包括英特尔院士Matt Prince和Glenn Hinton，两人均将于2025年退休，以及工厂技术研究副总裁Sanjay Natarajan，后者于今年6月卸任。另外，英特尔副总裁Kaizad Mistry和Ryan Russell也计划退休。
SK海力士引进存储器业界首台量产型High NA EUV设备
SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）3日宣布，已将业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV*）引进韩国利川M16工厂，并举行了设备入厂庆祝仪式。
当日举行的设备入厂庆祝仪式上，ASML韩国公司总经理金丙灿社长、SK海力士未来技术研究院长兼技术总管（CTO，Chief Technology Officer）车宣龙副社长、SK海力士制造技术担当李秉起副社长等领导共同出席，庆祝下一代DRAM生产设备的引进。
SK海力士表示：“在全球半导体市场竞争愈发激烈的背景下，公司已成功构建起快速研发并供应高端产品以满足客户需求的坚实基础。通过与合作伙伴的密切协作，公司将进一步提升全球半导体供应链的可靠性和稳定性。”
SK海力士自2021年首次在第四代10纳米级（1a）DRAM中引入EUV技术以来，持续将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。然而，为了满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的需求，引进超越现有EUV的下一代技术设备必不可少。
此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。
圣邦微电子推出 SGM25733Q，一款耐反向电压输入的低静态电流车规级理想二极管控制器。该器件可应用于汽车信息娱乐系统（数字仪表盘和主机）、冗余电源系统的有源“或”电路、汽车 ADAS 系统（摄像头集成）、企业电源和工业工厂自动化中的 PLC 集成。
SGM25733Q 是一款专为汽车应用设计的理想二极管控制器，可作为理想二极管整流器使用。它搭配外部 NMOS 管，能够提供低损耗的反极性保护，其正向压降仅为 20mV。该器件拥有 3.2V 至 65V 的宽电源输入范围，能够轻松应对汽车电池系统中常见的各种直流总线电压，如 12V、24V 和 48V。它支持低至 3.2V 的输入电压，非常适合对冷启动条件要求严苛的汽车系统。此外，它还能保护连接的负载免受低至 -65V 的反向电源电压的影响。
通过控制 MOSFET 的栅极，该器件可调节 20mV 的正向压降。这种控制架构可确保外部 MOSFET 在出现反向电流时关闭，从而有效防止任何稳态反向电流。该器件具有小于 0.88μs 的快速反向电流阻断响应时间，非常适合在 ISO7637 脉冲测试以及输入微短路和电源故障情况下需要保持输出电压的应用。
宇树科技将在四季度提交IPO申请
近日，宇树科技在社交媒体平台X上发帖称，预计将在10月至12月向中国证券交易所提交IPO申请，运营数据将正式披露。
宇树科技表示以2024年为例，四足机器人、人形机器人和组件产品销售额分别占约65%、30%和5%。
其中约80%的四足机器人被应用于研究、教育和消费领域，而剩余的20%则被用于工业领域，如检查与消防。人形机器人完全用于研究、教育和消费领域。
美国再次对中国产GPU/主板等半导体关税豁免
美国贸易代表办公室（USTR）再次推迟对从中国进口的显卡及相关PC硬件恢复25%关税的计划。该豁免原定于8月31日到期，现已延长至2025年11月29日。
这意味着在中国组装的显卡、主板和固态硬盘（SSD）至少可以在三个月内继续免征高额进口税运往美国。美国贸易代表办公室援引公众意见和持续的供应链限制作为理由，同时也承认中国以外的其他供应商仍未准备好承担这一负担。
关税风波始于2018年，当时特朗普政府根据301条款对大量中国电子产品征收25%的关税。显卡和主板曾一度受困，最终在2019年通过临时豁免得以脱身。此后，这项豁免在两届政府的领导下屡屡被延长——通常是在最后一刻。
这项豁免原定于2025年6月1日到期。然而，美国贸易代表办公室却将其延长至8月31日。如今，临近截止日期，该机构再次将截止日期推迟到11月底。官方通知还指出，美国贸易代表办公室“可能会继续考虑进一步延期或酌情进行其他修改。”
马斯克投资的飞行汽车在机场试运营：售价200余万人民币
据外媒9月2日报道，美国加州圣马特奥一家公司研发的飞行汽车，已经与两家机场签约，开始试运营。这是一辆黑色纯电动汽车，没有外露螺旋桨，可垂直起降，能在普通道路上使用，飞行续航为170公里。
另据《纽约邮报》早前报道，马斯克的SpaceX也是这家公司的投资人。该车售价30万美元，约合人民币214万元，已获得3300份预订单。Alef官网显示，有押金150美元和押金1500美元两种选项可供选择，二者的区别就在于前者是普通等候队伍，后者可以享受优先提车的VIP待遇。
英特尔25年资深高管将跳槽ADI
在英特尔拥有25年经验的资深人士、前先进封装技术开发总监Narahari Ramanuja即将离职，转而执掌亚德诺半导体（ADI）新扩建的俄勒冈晶圆厂。资料显示，Narahari Ramanuja将于9月底出任ADI公司比弗顿晶圆厂的董事总经理兼总经理。
全球领先的模拟芯片公司ADI保持了与英特尔截然不同的产品线，最近斥资10亿美元对比弗顿工厂进行升级，这是其最大的生产线。该公司还在华盛顿州卡马斯附近设有一家工厂，这加强了其在太平洋西北地区制造业的发展承诺。
近几个月，英特尔多名高级技术人员和管理人员离职或退休。曾负责英特尔制造业务的Ann Kelleher于今年3月退休。另外英特尔半导体封装技术首席工程师段罡（Gang Duan）已离职，加入三星电机，预计将监督三星电机美国子公司的技术营销与应用工程业务。其他备受瞩目的离职人员包括英特尔院士Matt Prince和Glenn Hinton，两人均将于2025年退休，以及工厂技术研究副总裁Sanjay Natarajan，后者于今年6月卸任。另外，英特尔副总裁Kaizad Mistry和Ryan Russell也计划退休。
SK海力士引进存储器业界首台量产型High NA EUV设备
SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）3日宣布，已将业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV*）引进韩国利川M16工厂，并举行了设备入厂庆祝仪式。
当日举行的设备入厂庆祝仪式上，ASML韩国公司总经理金丙灿社长、SK海力士未来技术研究院长兼技术总管（CTO，Chief Technology Officer）车宣龙副社长、SK海力士制造技术担当李秉起副社长等领导共同出席，庆祝下一代DRAM生产设备的引进。
SK海力士表示：“在全球半导体市场竞争愈发激烈的背景下，公司已成功构建起快速研发并供应高端产品以满足客户需求的坚实基础。通过与合作伙伴的密切协作，公司将进一步提升全球半导体供应链的可靠性和稳定性。”
SK海力士自2021年首次在第四代10纳米级（1a）DRAM中引入EUV技术以来，持续将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。然而，为了满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的需求，引进超越现有EUV的下一代技术设备必不可少。
此次引进的设备为荷兰ASML公司推出的TWINSCAN EXE:5200B，它是首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。
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