英飞凌首批采用200毫米晶圆工艺制造的SiC器件成功交付

众所周知，几乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圆上制造的，使用更大的晶圆存在重大挑战。从 200 毫米晶圆出货器件是降低 SiC 器件成本的关键一步，其他公司也在开发 200 毫米技术，尤其是美国的 Wolfspeed、西西里的 STMicroelectronics和捷克共和国的 onsemi以及日本的 Rohm 和 Mitsubishi。

英飞凌科技股份公司日前宣布，在其 200 毫米碳化硅 (SiC) 路线图上取得了重大进展。该公司已于 2025 年第一季度向客户发布首批基于先进 200 毫米 SiC 技术的产品。这些产品在奥地利菲拉赫生产，为可再生能源、火车和电动汽车等高压应用提供一流的 SiC 功率技术。此外，英飞凌位于马来西亚居林的制造基地从 150 毫米晶圆向更大、更高效的 200 毫米直径晶圆的过渡正在全面推进。新建的 Module 3 即将根据市场需求开始大批量生产。

英飞凌首席运营官 Rutger Wijburg 博士表示：“我们的 SiC 生产计划正在按计划推进，我们为向客户推出的第一批产品感到自豪。通过分阶段提高菲拉赫和居林的 SiC 产量，我们正在提高成本效率并继续确保产品质量。同时，我们正在确保我们的制造能力能够满足对基于 SiC 的功率半导体的需求。”

SiC 半导体通过更高效的电力切换、在极端条件下表现出高可靠性和稳健性以及实现更小的设计，彻底改变了大功率应用。英飞凌的 SiC 产品让客户能够为电动汽车、快速充电站和火车以及可再生能源系统和 AI 数据中心开发节能解决方案。首批基于 200 毫米晶圆技术的 SiC 产品向客户发布，标志着英飞凌 SiC 路线图向前迈出了实质性一步，重点是为客户提供全面的高性能功率半导体产品组合，以促进绿色能源并有助于减少二氧化碳。

作为高度创新的宽带隙 (WBG) 技术的“英飞凌一个虚拟工厂”，英飞凌位于菲拉赫和居林的生产基地共享技术和工艺，可实现 SiC 和氮化镓 (GaN) 制造的快速提升和平稳高效的运营。200 毫米 SiC 制造活动现在为英飞凌在提供行业领先的半导体技术和电源系统解决方案方面的良好业绩增添了新的内容，并加强了公司在整个功率半导体领域（包括硅、SiC 和 GaN）的技术领导地位。

参考链接

https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/pressreleases/2025/INFXX202502-055.html