2012年10月10日，德国纽必堡讯——英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基势垒二极管，壮大其SiC（碳化硅）产品阵容。
2012-10-10 13:37:10
1451 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V肖特基二极管系列
2012-11-22 14:09:061450 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合
2023-05-24 17:09:591188 
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流
2018-10-25 14:48:50
的。肖特基二极管是属于一种低功耗、超高速、反向恢复时间短的二极管，所以肖特基二极管的用途有很多种，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，在通信电路中作整流二极管、小信号检波二极管等使用。一般
2021-07-09 11:45:01
肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4V，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7V，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压
2020-09-25 15:38:08
直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当肖特基二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。肖特基二极管规格书下载：
2022-01-24 11:27:53
肖特基二极管一种应用电路，这是肖特基二极管在步进电动机驱动电路中的应用。利用肖特基二极管的管压降小、恢复时间短的特点，这样大部分电流就流过外部的肖特基二极管，从而集成电路内部的功耗就小了很多，提高了热稳定性能，也就提高了可靠性。肖特基二极管规格书下载：
2021-04-12 17:25:17
1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管
2021-06-30 16:48:53
突破性的进展，150V和 200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。肖特基二极管缺点：肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电
2021-09-09 15:19:01
、高频变阻肖特基二极管、变容肖特基二极管、发光肖特基二极管、肖特基二极管。 2.识别方法 肖特基二极管的识别很简单，小功率肖特基二极管的N极(负极)，在肖特基二极管表大多采用一种色圈标出来，有些
2018-11-21 13:51:35
已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。二
2016-03-22 14:55:18
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管
2021-06-30 17:04:44
都是根据这两个工作点计算的。然而，肖特基二极管的快速开关也会引起功耗，其表现形式为在开关期间出现的电压和电流。 反向恢复也会引起功耗，这与SiC等新型半导体材料的技术发展有关。有许多不同类型的半导体
2019-02-21 13:39:32
肖特基二极管的额定电流是什么呢？额定电流是肖特基二极管的主要标称值，比如10A /100V的肖特基二极管，10A就是该肖特基二极管的额定电流。通常额定电流的定义是该肖特基二极管所能通过的额定平均电流
2020-09-16 16:04:11
肖特基二极管的额定电流是什么呢？额定电流是肖特基二极管的主要标称值，比如10A /100V的肖特基二极管，10A就是该肖特基二极管的额定电流。通常额定电流的定义是该肖特基二极管所能通过的额定平均电流
2021-07-21 15:26:58
`编辑ZASEMI肖特基二极管MBR60200PT是肖特基二极管中非常常见的型号，TO-247封装，正向整流60A，反向耐压200V，正向压降0.87V，正向峰值浪涌电流500A，反向漏电流为
2021-04-29 16:26:23
少数载流子的存储效应很小，其频率响应仅受RC时间常数的限制。因此，它是一种理想的高频快速开关器件。 肖特基二极管有什么用？肖特基二极管的最大特点是正向压降VF比较小，在相同电流情况下，其正向压降要
2021-10-18 16:45:00
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二极管用于一些效率很关键的电力
2019-01-02 13:57:40
电压保护。肖特基二极管的低正向下降使它们在太阳能电路中具有高能效。箝位: 在晶体管箝位电路中，用肖特基二极管作为开关二极管。为了箝位，肖特基二极管连接在集电极和驱动晶体管的基极之间。当开启时，肖特基
2022-03-19 22:39:23
扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等
2018-10-29 08:51:19
0.61V，这样就大大的提升了工作效率，所以低压降肖特基二极管能广泛的应用于有六级能效要求的方案中。另外，低压降肖特基二极管的反向恢复时间可以小到几纳秒，而且它的整流电流可以达到几千安，适用于低电压、大电流的条件下工作。低压降肖特基二极管规格书下载：
2022-01-24 15:00:32
200V。 4、肖特基二极管比普通的二极管通过的电流强。 5、肖特基二极管比普通二极管的结电容小。 6、肖特基二极管可以通过高频电流。 综合以上区别可以说肖特基二极管比普通二极管功能性更好，适用广泛。`
2018-11-05 14:29:49
MDD肖特基二极管具有的优势：肖特基二极管MBR系列极快的开关速度以及非常低的反向恢复时间使它们非常适合高频应用，并能最大程度降低开关损耗。肖特基二极管均具有非常低的正向压降和比传统二极管更低的热
2020-08-28 17:12:29
金属和半导体触点形成肖特基势垒以实现整流。与普通PN结二极管相比，它的反向恢复惯量非常低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。碳化硅（SiC）是一种高性能半导体材料，因此SiC肖特基二极管具有
2023-02-07 15:59:32
客户简单讲解一下。肖特基二极管是属于低功耗、大电流、超高速的半导体器件，其特长是开关速度非常快，反向恢复时间可以小到几个纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流
2015-10-19 11:26:11
普通二极管和肖特基二极管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
；肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下
2019-06-12 02:34:10
` 肖特基(Schottky)二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，还没有用它来替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
，能够有效降低产品成本、体积及重量。 碳化硅具有载流子饱和速度高和热导率大的特点，应用开关频率可达到1MHz，在高频应用中优势明显，其中碳化硅肖特基二极管（SiC JBS）耐压可以达到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
封装形式。 采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极
2019-04-12 11:37:43
Vishay推出新款高速PIN光敏二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装
2009-11-13 09:21:28917 肖特基二极管,什么是肖特基二极管,肖特基二极管原理
基本原理是：在肖特基二极管,什么是肖特基二极管,肖特基二极管原理金属（例如铅）和半导
2010-02-26 13:38:584312 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371525 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。
2014-06-09 10:33:26975 
FRED Pt® Gen 4 Ultrafast快恢复二极管，这些器件适用于电源模块、电机驱动、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。
2015-06-02 15:10:531320 宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件
2016-05-12 14:01:14924 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数，易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:454 肖特基二极管是一种热载流子二极管。肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，肖特基二极管被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路，作为低压、高频、大电流整流二极管、保护二极管、续流二极管等使用
2017-10-23 14:57:394379 本文主要介绍了肖特基二极管原理、肖特基二极管结构、肖特基二极管特点，对肖特基二极管优点和缺点进行了详细介绍，最后介绍了肖特基二极管的作用以及如何万用表来检测肖特基二极管的好坏。
2018-01-12 14:41:3661994 肖特基二极管是一种热载流子二极管。肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，肖特基二极管被广泛应用于变频器、开关电源、驱动器等电路，作为低压、高频、大电流整流二极管、保护
2018-01-21 10:44:3724950 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频
2018-01-21 11:01:5725064 推动高能效创新的安森美半导体推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管系列产品，扩展了SiC二极管产品组合。
2018-03-01 13:14:179301 CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果，让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势，性能一代更比一代强。因此，G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代，在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
本文首先介绍了肖特基二极管的工作原理然后说明了肖特基二极管的应用最后解释了肖特基二极管的作用。
2019-08-09 11:04:219563 
本文主要介绍了普通硅二极管和肖特基二极管的相同和区别以及快恢复二极管和肖特基二极管的区别，并附上了普通硅二极管，肖特基二极管和快恢复二极管的图片。
2019-08-09 15:24:309141 碳化硅（SiC）二极管已经进入迅速扩张的太阳能逆变器市场，尤其是在欧洲。Cree的1200V SiC肖特基二极管已开始用来取代DC链升压电路所使用的硅（Si）PiN类设计，而且将很快出现在商用系统的逆变器领域。
2020-10-02 17:21:005342 
前言背景： 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:203459 
Vishay DFN1006-2A 封装二极管 40 V 和 100 V 器件通过 AEC-Q101 认证 与传统 SOD/T 封装二极管相比节省空间并提高了散热性能 Vishay 推出超小型可润湿
2021-10-19 16:57:522958 
工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件。
2021-11-05 16:18:341116 
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:291160 
Vishay 推出两款新型陶瓷/石英基材 UVC(短波紫外线)发光二极管，用于医疗、工业和消费电子应用杀菌。
2022-09-16 10:50:15753 肖特基二极管又称热载流子二极管，通过金属和半导体触点形成肖特基势垒，实现整流。与普通PN结二极管相比，它的反向恢复惯性很低。因此，肖特基二极管适用于高频整流或高速开关。
2022-10-25 16:32:133470 继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管：下面从SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）的结构开始介绍。
2023-02-08 13:43:171454 
SiC碳化硅二极管起步电压为650V，电流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为：KN3D06065F（650V碳化硅二极管，电流6A，贴片
2023-02-21 10:12:244172 
肖特基二极管因其低导通电压、快速恢复时间和更高频率下的低损耗能量而得到广泛应用。这些特性使肖特基二极管能够通过促进从导通状态到阻塞状态的快速转换来整流电流。因此，肖特基二极管通常是许多应用中半导体器件的理想选择。以下是肖特基二极管最常见的五种应用。
2023-05-24 11:24:222670 Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272048 
肖特基二极管的功能 肖特基二极管的作用 肖特基二极管是一种特殊的二极管，也被称为肖特基势垒二极管或热电子二极管。它是由半导体材料制成的，其中具有一个j收集结和一个n导体结。 与普通二极管相比，肖特基
2023-08-28 17:22:3914445 流、快速开关响应、高频电流和低电压降等特性。 肖特基二极管由美国物理学家肖特基于1938年发明，并称之为“肖特基势垒”（Schottky barrier）。在固态器件技术中，肖特基二极管与pn结二极管是重要的半导体器件之一。它是应用于高速、高频、低噪声
2023-08-28 17:31:469380 肖特基二极管的作用 三脚肖特基二极管的作用 肖特基二极管常见型号与作用 肖特基二极管是一种半导体器件，利用P型半导体和N型半导体之间的PN结形成的二极管性质进行电子的输送，是一种具有优良高频特性
2023-08-31 17:29:573609 肖特基二极管坏了的表现 判断肖特基二极管好坏 肖特基二极管怎么测量好坏 肖特基二极管是一种特殊的二极管，在半导体器件中拥有广泛的应用。由于其快速响应和低噪声等特性，肖特基二极管在电路设计中被广泛
2023-09-02 10:34:116711 正向压降比普通硅二极管更低的特点，因此在高频和高速电路中被广泛使用。 在肖特基二极管中，由于使用了金属和半导体材料的形成，这与普通二极管的PN结结构不同。在金属与半导体接触处形成了一个称为肖特基势垒的电势垒，具有以
2023-09-02 11:08:287861 一. 肖特基二极管的定义
二. 肖特基二极管的主要参数
三. 肖特基二极管的优点和缺点
四. 肖特基二极管的命名规则
五. 肖特基二极管的封装类型
六. 肖特基二极管之光伏专用
2021-06-18 14:19:32100 一.肖特基二极管的定义二.肖特基二极管的主要参数三.肖特基二极管的优点和缺点四.肖特基二极管的命名规则五.肖特基二极管的封装类型六.肖特基二极管之光伏专用
2021-06-26 11:14:34110 肖特基二极管和普通二极管的区别。 1N5711：1N5711是一款常见的肖特基二极管，它具有25V的反向电压和0.2A的
2024-01-30 10:35:2112246 新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 器件采用 MPS 结构设计，额定电流 5 A ~ 40 A 低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅
2024-07-05 09:36:122318 
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN
2024-07-24 09:26:20822 
电子发烧友网站提供《STPSC12C065-Y汽车650V功率肖特基碳化硅二极管规格书.pdf》资料免费下载
2024-09-05 11:36:560 P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 252 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度
2025-02-25 14:18:58844 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准，无卤且符合RoHS标准。产品具备超快速开关、零反向恢复
2025-02-25 15:44:15791 
P3D06002T2 是一款耐压 650V 的 SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装，符合 AEC - Q101、RoHS标准，无卤。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频
2025-02-25 16:01:30888 
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO-220-2 封装，符合 AEC-Q101 标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流
2025-02-25 17:03:23871 
P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向电压正温度系数、高
2025-02-25 17:44:07773 
P6D06004T2 为 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2封装。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS
2025-02-25 18:13:42813 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向
2025-02-26 16:54:52783 
P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220I - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-26 17:07:13727 
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220F - 2 封装，符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-26 17:25:48806 
开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性
2025-02-26 17:40:46774 
开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性
2025-02-26 18:01:16854 
40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V，QC仅为56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf
2025-02-27 17:11:28678 
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220I - 2 封装，符合 AEC - Q101 和 RoHS 标准。封装形式为 TO - 220I - 2，具有超
2025-02-27 17:32:44805 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220F - 2 封装，符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-27 17:59:06713 
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正温度系数
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 252 - 2 封装。通过 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:12:48792 
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装。该产品通过 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正
2025-02-28 17:21:08851 
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO-220I - 2 封装。通过 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:52:15813 
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装。其通过了 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行等特性，正向电压具有
2025-02-28 18:21:04900 
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