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      第三代半导体产业

      文章：289 被阅读：59.8w 粉丝数：19 关注数：0 点赞数：1

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      GaN同质外延中的雪崩特性研究

      当前，人们正在致力于研发氮化镓和其他III族氮化物的高功率、高频率器件。
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-11 09:50 •2181次阅读
      GaN同质外延中的雪崩特性研究

      思坦科技公开展示全球已发布最高PPI的Micro LED微显示器

      CES 2024展会于1月9日-1月12日在美国拉斯维加斯举行。此前，国产Micro LED微显示初....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-11 09:45 •2373次阅读

      理想汽车下一代800V高压纯电车型将采用安森美EliteSiC1200V裸芯片

      半导体产业网讯：2024 年1月 9日，智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi，美国纳....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-10 09:23 •1981次阅读

      安森美推出九款全新Elite SiC功率集成模块

      2024年1月8日--领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-08 18:04 •1757次阅读

      固态紫外线光源现状和技术挑战

      在过去的十年里，固态照明行业创造了数万亿美元的收入，引领了全球照明领域的能源革命。
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-08 18:02 •1966次阅读
      固态紫外线光源现状和技术挑战

      2029年衬底和外延晶圆市场将达到58亿美元，迎来黄金发展期

      在功率和光子学应用强劲扩张的推动下，到2029年，全球化合物半导体衬底和外延晶圆市场预计将达到58亿....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-05 15:51 •2128次阅读
      2029年衬底和外延晶圆市场将达到58亿美元，迎来黄金发展期

      国电南自引领储能核心技术突破，碳化硅功率模块助双碳目标实现

      中国电科基础办付兴昌表示：“碳化硅器件在电网和储能领域有广阔的应用空间，希望双方未来能发掘出更多的合....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-05 14:52 •2765次阅读

      一种新型复合SiC-金刚石衬底与GaN器件结合的新工艺流程和制备方案

      金刚石材料具有自然界物质中最高的热导率（高达2000 W/m·K），在大功率激光器、微波器件和集成电....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-04 17:20 •3229次阅读
      一种新型复合SiC-金刚石衬底与GaN器件结合的新工艺流程和制备方案

      第三代半导体龙头涌现，全链布局从国产化发展到加速出海

      第三代半导体以此特有的性能优势，在半导体照明、新能源汽车、新一代移动通信、新能源并网、高速轨道交通等....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-04 16:13 •2390次阅读

      Micro LED企业辰显光电完成数亿元A轮融资

      1月2日消息，据媒体报道，维信诺参股公司成都辰显光电有限公司（以下简称“辰显光电”）于近日顺利完成数....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-03 10:03 •1956次阅读

      山东粤海金成功研制出8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片

      软包装复合胶粘剂龙头——高盟新材(300200.SZ)在半导体材料领域的投资取得新进展、新成效。
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-03 10:00 •1582次阅读
      山东粤海金成功研制出8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片

      新疆首个用于超特高压换流站的高压电力电子实验室正式投入使用

      近日新疆首个用于超特高压换流站大功率半导体器件性能分析的高压电力电子实验室正式投入使用，顺利完成3支....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-02 11:46 •1520次阅读

      日本团队公布金刚石MOSFET研制取得最新进展

      早稻田大学和 Power Diamonds Systems (PDS) 开发了一种结构，其中金刚石表....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-02 11:44 •1963次阅读
      日本团队公布金刚石MOSFET研制取得最新进展

      基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究

      硅基光电集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低时延的优势;无需过分追求工艺尺寸的缩小。硅光产业今年市场....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-02 11:42 •2156次阅读
      基于12英寸硅衬底的红外锗锡LED发光器件研究

      益中封装扩建车规Si/SiC器件先进封装产线

      近日，据晶能微电子官微消息，浙江益中封装技术有限公司举行一期扩建项目开工仪式。
      的头像 第三代半导体产业 发表于 01-02 11:39 •1822次阅读

      富士电机将投2000亿日元提高功率半导体产能

      据日经新闻消息，日本富士电机(Fuji Electric)将在2024～2026年度的3年内向半导体....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-29 10:22 •1597次阅读

      芯微泰克功率器件超薄芯片背道加工线项目投产

      12月27日，浙江芯微泰克半导体有限公司（以下简称“芯微泰克”）功率器件超薄芯片背道加工线项目正式通....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-29 10:20 •1750次阅读

      大尺寸AlN单晶生长研究

      AlN单晶衬底以其优异的性能和潜在的应用前景引起了人们的广泛研究兴趣. 物理气相输运（PVT）是最适....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-28 09:20 •2454次阅读
      大尺寸AlN单晶生长研究

      GaN溅射技术进展

      氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-28 09:18 •1586次阅读
      GaN溅射技术进展

      基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件

      III族氮化物半导体可用于固态照明、电源和射频设备的节能。
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-28 09:15 •2509次阅读
      基于外延层残余应变调控的InGaN基红光LED器件

      新型沟槽SiC基MOSFET器件研究

      SiC具有高效节能、稳定性好、工作频率高、能量密度高等优势，SiC沟槽MOSFET（UMOSFET）....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-27 09:34 •2798次阅读
      新型沟槽SiC基MOSFET器件研究

      低成本垂直GaN功率器件研究

      随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-27 09:32 •2141次阅读
      低成本垂直GaN功率器件研究

      SOI+SiN平台上III-V集成的考虑因素

      硅光子是一种光子集成电路，经过几十年的发展，硅光子学已经取得了重大进展
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-26 11:33 •1895次阅读
      SOI+SiN平台上III-V集成的考虑因素

      碳化硅SiC的高温氧化研究

      SiC材料具有优异的高温稳定性、耐腐蚀性、热导性能和机械强度等优势，因此受到广泛关注和应用。
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-26 10:13 •3092次阅读
      碳化硅SiC的高温氧化研究

      面向1200V功率应用的异质衬底横向和垂直GaN器件发展趋势

      近年来，SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）等宽带隙（WBG）功率半导体的开发和市场导入速度加快，但与....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-26 10:11 •2425次阅读
      面向1200V功率应用的异质衬底横向和垂直GaN器件发展趋势

      单晶蓝绿双波长LED在宽色域背光应用的研究

      利用具有窄波峰宽和精确可调峰值的色转换材料是当今电视和显示器背光中获得宽色域 (WCG) 的常见方法....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-26 10:09 •3622次阅读
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      普兴电子:200mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长

      当前，SiC器件已广泛应用在新能源车的主驱、OBC等关键部件，有效的降低了提升了开关速度，降低了能量....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-25 10:43 •1974次阅读
      普兴电子:200mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长

      武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展

      近日，武汉大学工业科学研究院袁超课题组和斯洛伐克科学院Filip Gucmann课题组合作，在国际权....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-25 10:41 •3089次阅读
      武汉大学袁超课题组在超宽禁带氧化镓热输运领域最新研究进展

      8英寸碳化硅衬底产业化进展

      当前，大尺寸衬底成为碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-24 14:18 •2142次阅读
      8英寸碳化硅衬底产业化进展

      意法半导体与理想汽车签署碳化硅长期供货协议助力800V平台

      12 月 22 日消息，据意法半导体官微消息，该公司与理想汽车签署了一项碳化硅（SiC）长期供货协议....
      的头像 第三代半导体产业 发表于 12-24 10:35 •1354次阅读
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