高灵敏、自供电氧化镓日盲紫外光电探测器研究取得进展
氧化镓（Ga2O3）是一种新兴宽禁带半导体（禁带宽度为4.9 eV），具有热稳定性好、禁带宽度大、紫....
湖南科技大学材料学院在半导体器件散热领域取得新进展
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，在电力电子器件、大功率射频器件、短波长光电器件以及5G通讯等领....
中瓷电子购买博威公司/国联万众股权获深交所受理
据悉，本次募集配套资金拟在支付本次重组相关费用后投入氮化镓微波产品精密制造生产线建设项目、通信功放与....
星宇股份与地平线达成战略合作，以“车规级芯片+算法”助力智能制造
星宇股份副总经理、研究院院长林树栋表示：“星宇有着三十年车灯行业经验，具备端到端定制开发、生产的能力....
大众汽车！开始导入碳化硅基板开发车用逆变器
大众汽车集团运营与策略半导体工作小组 COMPASS 的负责人 Karsten Schnake 表示....
Q4净利大涨66.4％！意法半导体将扩增碳化硅产能
意法半导体26日预估，截至2023年4月1日的今年一季度营收预测中间点将季减5.1%±350个基点至....
梅赛德斯-奔驰新一代动力总成系统将采用碳化硅器件
赛德斯-奔驰采购与供应商品质负责人 Gunnar Güthenke 博士表示：“我们两家公司长期以来....
半导体国产替代持续加速IGBT、SiC和车载传感器前景可期
2021年全球半导体设备零部件市场规模约为513亿美元;根据SEMI关于全球半导体设备市场规模的预测....
DFG8541可以加工最大尺寸为8英寸的硅和SiC晶圆
为此，DISCO开发了DFG8540的后继设备DFG8541，旨在保持高清洁度的同时稳定减薄，并提高....
工信部将加大新材料、新一代信息技术、高端装备等培育支持力度
近期，工信部会同有关部门出台了加力振作工业经济的17条政策举措，在扩大市场需求、提升供给质量等方面作....
3C-SiC有望PK单晶金刚石，成为高导热材料的选择
研究人员对文献中关于3C-SiC的实测热导率一直存在一个困惑：3C-SiC低于结构更复杂的6H-Si....
协同钝化和梯度维度钙钛矿类材料实现高效近红外发光二极管
这项工作不仅揭示了甲脒铅基卤化物钙钛矿体系中多维度钙钛矿的存在，而且发现了一种镉基新型零维类钙钛矿材....
国星光电第三代半导体新品NS62m功率模块上线
在“双碳”目标背景下，我国电力系统将向以新能源为主体的新型电力系统转型，储能作为灵活调节电源在新型电....
4英寸氧化镓单晶生长与性能分析
本文通过导模法制备了4英寸β-Ga2O3单晶，晶体外形完整，通过劳厄衍射、高分辨X射线摇摆曲线 分析....
Wolfspeed将向捷豹路虎下一代电动车供应SiC器件
Wolfspeed 先进碳化硅（SiC）技术将在汽车逆变器中重点采用，管理从电池到电机的功率传输。首....
第三代半导体GaN商业化的里程碑
凭藉在第三代半导体GaN制造方面的专业知识、强大科研技术团队及研发能力，宏光半导体近年积极实现相关业....
恒普科技突破性解决了碳化钽涂层技术（CVD）
采用碳化钽TaC涂层, 是解决边缘问题，提高晶体生长质量，是“长快、长厚、长大”的核心技术方向之一。....
碳化硅单晶衬底加工技术的工艺及现状研究
作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件....
栅极驱动器和偏置电源注意事项
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L ....
