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第三代半导体产业

文章:289 被阅读:59.8w 粉丝数:19 关注数:0 点赞数:1

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利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体

近日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)在厦....
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-09 14:47 2203次阅读
利用碳化钽的坩埚中物理气相传输生长SiC和AlN晶体

Si基GaN器件及系统研究与产业前景

氮化镓具有优异的材料特性,例如宽带隙、高击穿场强和高功率密度等。氮化镓器件在高频率、高效率、高功率等....
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-09 14:45 1990次阅读
Si基GaN器件及系统研究与产业前景

氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成C+轮数亿元融资

近日,第三代半导体氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成C+轮数亿元融资,这是晶湛公司继2022年完成....
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-09 10:49 1725次阅读

IDC预测2024年全球半导体市场八大趋势

根据IDC(国际数据资讯)最新研究显示,随着全球人工智能(AI)、高性能计算(HPC)需求爆发式提升....
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-09 10:30 2225次阅读

GaN MEMS/NEMS应变调控谐振器研究

以GaN为代表的第三代半导体具有高击穿电场,高电子饱和速度,高频和高功率等特性,在射频和电力电子器件....
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-09 10:28 2124次阅读
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增强型功率氮化镓器件结构设计进展

作为宽带隙材料,GaN具有击穿电压高、热导率大、开关频率高,以及抗辐射能力强等优势。
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-09 10:26 2869次阅读
增强型功率氮化镓器件结构设计进展

助熔剂法生长GaN单晶衬底的研究进展

GaN性能优异,在光电子、微电子器件应用广泛,发展潜力巨大;进一步发展,需提升材料质量,制备高质量氮....
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-09 10:24 2273次阅读

产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能?

由于其宽带隙和优异的材料特性, SiC基功率电子器件现在正成为许多杀手级应用的后起之秀,例如汽车、光....
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-08 14:33 1694次阅读

具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技术

氮化镓(GaN)功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流(DC....
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-06 10:04 1999次阅读
具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技术

陈敬教授:面向功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术

近日,在第九届国际第三代半导体论坛&第二十届中国国际半导体照明论坛开幕大会上,香港科技大学讲席教授陈....
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-05 15:07 2213次阅读
陈敬教授:面向功率、射频和数字应用的氮化镓器件技术

清软微视周继乐:化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术

清软微视是清华大学知识产权转化的高新技术企业,专注于化合物半导体视觉领域量检测软件与装备研发。其自主....
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-05 14:54 3818次阅读
清软微视周继乐:化合物半导体衬底和外延缺陷无损检测技术

浅谈宽禁带半导体涉及到的几个基础问题

功率电子材料和器件研发基本与国际同步,GaN功率器件迈向更广的应用领域,更全电压等级,从当前100V....
的头像 第三代半导体产业 发表于 12-05 11:38 1835次阅读
浅谈宽禁带半导体涉及到的几个基础问题

全球SiC晶圆市场预计2030年达21亿美元!市场+技术趋势深度分析

高温、高频和高功率应用需求:碳化硅在高温、高频和高功率电子器件中表现出色,因此受到这些应用领域的广泛....
的头像 第三代半导体产业 发表于 11-24 16:07 2043次阅读
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小米汽车来了!碳化硅助力整车低能耗

值得注意的是,在动力方面,根据申报信息显示,小米SU7提供单电机后驱和双电机四驱可选,其中单电机最大....
的头像 第三代半导体产业 发表于 11-17 16:49 1492次阅读
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基于晶圆级高导热异质集成衬底实现最高截止频率氧化镓射频器件

氧化镓是超宽禁带半导体材料的优异代表,由于其禁带宽度和击穿场强远高于GaN,不仅可在更高场强、更高工....
的头像 第三代半导体产业 发表于 11-15 10:45 3064次阅读
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华为新一代碳化硅电机发布:22000转/分、零百加速3.3秒

电机将首发搭载于智界S7,四驱版配有前150千瓦交流异步电驱系统,后215千瓦永磁同步电驱。得益于此....
的头像 第三代半导体产业 发表于 11-14 15:46 1925次阅读

中电科南京外延材料产业基地投产,一期投资19.3亿元

紫金山观察消息显示,该项目一期投资19.3亿元,项目达产后,预估新增年收入25亿元,将形成8-12英....
的头像 第三代半导体产业 发表于 11-14 15:44 1524次阅读

三菱电机和安世半导体将合作共同开发碳化硅功率半导体

11月13日, 三菱电机株式会社(TOKYO:6503)宣布,将与Nexperia B.V.建立战略....
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芯生代科技发布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化镓外延产品

2023年11月10日,温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电....
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厦门大学张保平教授课题组发表绿光GaN基VCSEL重要成果

近日,厦门大学电子科学与技术学院张保平教授等在氮化镓垂直腔面发射激光器(GaN基VCSEL)方面取得....
的头像 第三代半导体产业 发表于 11-10 09:48 1955次阅读
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中瓷电子:电动汽车主驱用大功率MOSFET产品主要面向比亚迪

近日,中瓷电子在接受机构调研时表示,国联万众公司电动汽车主驱用大功率MOSFET产品主要面向比亚迪,....
的头像 第三代半导体产业 发表于 11-09 10:53 1426次阅读

东风首批自主碳化硅功率模块下线

智新半导体有限公司是东风公司与中国中车2019年在武汉成立的,智新半导体碳化硅模块项目基于东风集团“....
的头像 第三代半导体产业 发表于 11-03 16:48 1077次阅读
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清华大学李兆麟:车规级MCU以及IGBT依然是汽车芯片短缺的主角

纵观整个国际市场,欧美日企业长期占据汽车使能芯片(按照李兆麟的划分,汽车使能芯片主要包括计算、控制、....
的头像 第三代半导体产业 发表于 11-03 15:48 1181次阅读

中瑞宏芯致力于开发新一代碳化硅功率芯片和模块

10月30日,中瑞宏芯半导体宣布,公司于近日完成近亿元人民币的产投融资,由光伏微逆领头公司禾迈股份和....
的头像 第三代半导体产业 发表于 11-02 16:27 1785次阅读

什么是氮化镓(GaN)?GaN的优势和应用领域

GaN近期为何这么火?如果再有人这么问你,你可以这样回答:因为我们离不开电源。
的头像 第三代半导体产业 发表于 11-02 10:32 8293次阅读
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环球晶将加快8英寸碳化硅基板产能建设

环球晶董事长徐秀兰10月26日表示,她2年前错估了客户对8英寸碳化硅(SiC)需求,现在情况超出预期....
的头像 第三代半导体产业 发表于 10-27 15:07 1251次阅读

麦肯锡:8英寸SiC晶圆市场渗透率即将和6英寸持平

电动汽车采用率的不断提高正在推动对关键碳化硅电力电子元件的需求。半导体企业、汽车原始设备制造商和其他....
的头像 第三代半导体产业 发表于 10-26 09:21 1640次阅读
麦肯锡:8英寸SiC晶圆市场渗透率即将和6英寸持平

三安光电碳化硅实现了8英寸衬底准量产

三安光电10月23日宣布,旗下湖南三安在碳化硅产品上取得阶段性进展,实现8英寸衬底准量产,部分产品已....
的头像 第三代半导体产业 发表于 10-25 14:55 1950次阅读

北京镓和首次发布4英寸面氧化镓单晶衬底参数并实现小批量生产

近日,“第四届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会”在济南召开。大会技术委员会委员北京镓和半导体有....
的头像 第三代半导体产业 发表于 10-25 14:51 1820次阅读

垂直GaN功率器件彻底改变功率半导体

使用GaN(氮化镓)的功率半导体作为节能/低碳社会的关键器件而受到关注。两家日本公司联手创造了一项新....
的头像 第三代半导体产业 发表于 10-20 09:59 2679次阅读
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