热管理在当代电子系统中至关重要，而金刚石与半导体的集成提供了最有前途的改善散热的解决方案。
SiC器件在击穿场强、热导率、熔点、禁带宽度、电子饱和漂移速度等方面具有优势。
电能质量控制产品的性能指标不仅与控制系统的性能指标及控制算法密不可分，也与电力电子功率器件的性能指标....
电源模块的高级封装是非常重要。包装优化是提高性能的解决方案之一。
氮化镓（GaN）晶体管在工作过程中产生的热量和由此引起的温升会导致性能下降并缩短器件的寿命，因此亟需....
碳化硅功率器件具有高压高功率领域等优势，市场广阔，应用场景广泛。也被认为是下一代800V电动汽车电驱....
三五族氮化物半导体材料，包括氮化镓，氮化铝，氮化铟及其它们的合金，以其独特的直接带隙半导体特性和从0....
磨削和研磨等磨料处理是生产半导体芯片的必要方式，然而研磨会导致芯片表面的完整性变差。因此，抛光的一致....
近日，镭昱半导体（Raysolve）宣布完成Pre-A3轮融资，本轮融资由华映资本领投，三七互娱及米....
过去几十年里，半导体技术快速发展，芯片特性显著提升。大功率半导体器件是由多颗半导体裸芯片通过封装集成....
在新能源产业强劲需求下，全球SiC产业步入高速成长期，推升了对SiC衬底产能的需求。
氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMTs)因其优异的大功率高频性能在大功率射频器件领域具有广阔的应用前景....
GaN因其特性，作为高性能功率半导体 材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。
近年来，随着通信技术的迅速发展以及人们对显示色彩和实用性的追求，显示技术呈现多元化的发展。
碳化硅具有高热导率、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、良好的耐辐射性和化学稳定性、GaN的近晶格常数和....
近日，据路透社消息，东芝和罗姆表示，他们将投资 3883 亿日元（27 亿美元）联合生产功率芯片。
随着全球及国内在新能源汽车、新能源发电和储能等终端市场需求的快速增长，行业对碳化硅衬底需求呈现出持续....
在最近的IEDM大会上，英特尔表示，已将 CMOS 硅晶体管与氮化镓 (GaN) 功率晶体管集成，用....
功率密度的提高及器件小型化等因素使热量的及时导出成为保证功率器件性能及可靠性的关键。
碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物。
高性能陶瓷基板具有优异的机械、热学和电学性能，在电子和半导体领域有着广泛的应用，可以支撑和固定半导体....
SiC MOSFET器件存在可靠性问题，成为产业发展瓶颈。
VCSEL是很有发展前景的新型光电器件，也是光通信中革命性的光发射器件。
第三代半导体，具有宽禁带、高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、良好的化学稳定....
Micro LED具有低功耗、高亮度、高分辨率等优点，有数据显示，受智能穿戴和超高清大屏显示需求影响
近日，在厦门召开的第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCH....
“十四五”以来，基于自发光显示的微投影显示光学系统成为了研究热点。
当前，Micro-LED显示是备受关注的新一代显示技术，具备高质量显示的大多数特征；
近日，第九届国际第三代半导体论坛&第二十届中国国际半导体照明论坛在厦门国际会议中心召开。
近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦....
