SOI+SiN平台上III-V集成的考虑因素

硅光子是一种光子集成电路，经过几十年的发展，硅光子学已经取得了重大进展，从最初的高约束波导发展到战略性地结合CMOS工业的材料、集成和封装技术，最终在收发器领域确立了主导地位。硅光子学为需要大容量可扩展性的应用提供了一个通用的平台。将硅光子学扩展到可见光谱具有未来发展的可能性，提供了广泛的创新应用。硅光子学的领域并不局限于单一的衬底或材料。用于光子集成的各种材料平台，如薄膜LiNbO3(TFLN)、SiN、BTO、GaAs等，已经证明了它们的潜力。

近期，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。期间，“化合物半导体激光器与异质集成技术分会”上，九峰山实验室顾问Thomas Collins做了”SOI+SiN平台上III-V集成的考虑因素“的主题报告，分享了硅光子学及其变体、SiN的不同“特色”、SiN‘first’和III-V，SiN‘中间’和III-V等研究内容。

光纤传感询问机、潜在成本节约、CWDM、LWDM和DWDM收发器、微波光子学、光学陀螺仪等领域的需求。给SOI、SiN和III-V的发展带来了机遇，报告中介绍了SiN介质SiNSOI和III-V，闪烁/LETI方法实现“Si中间”和III-V，“包层问题”和转移打印，SiN介质应用示例等研究进展，以及九峰山实验室的状况。

报告指出，SOI、SOI和SiN以及SOI和III-V工艺平台目前已批量上市，未来“获胜”的SiP平台可能是SOI、SiN和III-V。“SiN优先”和SOI和III-V层，“原则上”最简单的整合路线需要多个晶片接合步骤，100nm SiN需要非常厚的氧化物。“SiN介质”和SOI和III-V需求，“硅填充”层，一个高质量、低温的顶部包层OR，转移打印用于III-V集成。九峰山实验室研发中心和工艺中心正在研究最佳解决方案。

审核编辑：刘清