普兴电子:200mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长

当前，SiC器件已广泛应用在新能源车的主驱、OBC等关键部件，有效的降低了提升了开关速度，降低了能量损耗，使得整车的重量得到减少，续航里程得到提升。车用发展迅速，市场广阔，在新能源产业强劲需求下，全球SiC产业步入高速成长期，市场快速增长。

近日，第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于厦门召开。期间，“碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，河北普兴电子科技股份有限公司产品总监张永强分享了200 mm 4H-SiC高质量厚层同质外延生长的最新研究进展。

普兴电子从16年开始SiC的研发，19年实现了6寸SiC外延片的量产，21年中标国家工信部碳化硅外延产业化的项目。目前主要为1200V MOS产品，已通过车规级验证，应用在新能源车主驱模块上。

8寸外延是碳化硅外延技术的发展趋势。报告显示，普兴电子近期研发出的8英寸碳化硅外延片的新产品，解决了8寸衬底应力大、易开裂、外延均匀性及缺陷难控制等难点。厚度均匀性为0.6%，浓度均匀性为2.3%。8寸产品的均匀性已达到与6寸量产产品相当的水平。

普兴公司是国内最早外延材料研究工作的单位，目前具备的硅外延的年产能为700万片，其中200 万片为8寸硅外延片。6寸碳化硅外延的年产能为15万片；预计到24年，6寸碳化硅外延片的年产能将扩充到36万片；25年8寸碳化硅外延片的年产能将扩充到6到8万片。

审核编辑：刘清