为验证对主回路杂散电感效应的分析并考察不同电感量以及门极驱动情况下的实际情况，我们人为对Lp 大小进....
此前，2025年4月15日至17日，全球半导体行业瞩目的盛会——慕尼黑上海电子展（Electron....
IGBT的开关损耗特性研究对IGBT变流器设计具有重要的意义，在有结构紧凑性要求或可靠性要求较高或散....
IGBT正弦波调光器是一种用于调节灯光亮度的设备，其工作原理主要基于IGBT的开关特性和对正弦波信号....
在电力电子的广阔领域中，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为核心器件，其性能优劣直接关乎整个系统的运行....
IGBT模块的反向恢复现象是指在IGBT关断时，其内部集成的续流二极管（FWD）从正向导通状态转变为....
在现代工业电气领域，中频电源应用广泛，而 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为中频电源的核心器件，起着....
在全球积极推进能源转型的大背景下，新能源领域蓬勃发展，而 IGBT 模块作为其中的关键器件，发挥着不....
IGBT的温度及安全运行 IGBT的温度可由下图描述： 温差 (平均值)和热阻关系如下式： Rthj....
IGBT双脉冲测试方法的意义和原理 IGBT双脉冲测试方法的意义： 1.对比不同的IGBT的参数； ....
IGBT双脉冲实验 1.1 IGBT双脉冲实验目的 1、通过实验获取IGBT驱动板及IGBT模块的主....
在1字形二极管钳位三电平电路中，当发生短路故障或过流故障时，传统的关断IGBT的做法是，检测到故障的....
日前，中科知慧(北京)科技成果评价有限公司组织专家，对青岛佳恩半导体有限公司完成的“IGBT1200....
随着功率器件的发展，正弦波脉宽调制(SPWM)技术得到了广泛的应用，SPWM 控制是在逆变器输出交流....
单相全桥逆变电路 单相全桥逆变电路也称“H 桥”电路，其电路拓朴结构如图1所示，由两个半桥 图1单相....
通过以上方程，现在可以根据测量值来计算所需的死区时间。使用计算出的死区时间，需要进行最坏情况下的测量....
各种拓扑对IGBT驱动器的要求各不相同，比如： 两电平拓扑通常要求短路保护和过压保护即可。常用的短路....
IGBT绝缘特性 电子元器件（半导体模块）中，隔离带电部分和底板的材料，被称作绝缘材料。在大功率半导....
计算IGBT模块死区时间 1 引言 在现代工业中，IGBT器件在电压源逆变器中的使用越来越广泛。为了....
采用模拟电路方式测量IGBT模块NTC温度传感器温度：这个基本的方法是基于一个分压器作为热敏装置。
IGBT模块在三相电机驱动逆变器中的典型应用案例如下图，主要包含了整流、IGBT主电路、驱动保护、P....
IGBT模块采用吸收电路时，典型的关断电压波形如下图所示。从图中可以看出，初始浪涌电压△U1之后，随....
在光伏逆变器等大功率应用场合，主电路(直流电容到IGBT模块间)存在较大杂散电感(几十到数百nH)。....
IGBT等功率电子器件在工作中，由于自身的功率损耗，将引起IGBT温度升高。引起功率器件发热的原因主....
功率器件的正常运行在很大程度上依赖于散热。常用的散热方式有自冷、风冷、水冷和沸腾冷却四种。
以IGBT模块应用三相逆变电路为例。
IGBT模块关断截止时，I(t)≈0，损耗的功率可忽略。为了便于分析，将IGBT损耗分为导通损耗和开....
5月28日，青岛佳恩半导体有限公司与西安电子科技大学战略合作签约仪式在青岛隆重举行，参加此次签约仪式....
图5-14所示是采用IGBT过流时UCE增大的原理构成的保护电路，该电路采用IGBT专用驱动器EXB....
IGBT并联可以分为“硬并联”及“桥臂并联”2大类。
工商网监