佳恩半导体IGBT项目科技成果达到国际先进水平
日前，中科知慧(北京)科技成果评价有限公司组织专家，对青岛佳恩半导体有限公司完成的“IGBT1200V40A 芯片的研究与应用”项目科技成果进行了评审。专家组审阅了相关资料评价认为，该成果技术在该领域达到国际先进水平。
该项目突破了1.6μm槽栅微场截止技术、110μm超薄芯片技术等难点，优化了IGBT正面MOS结构，并采用无机非金属材料作为IGBT背面电极，显著提升了芯片的耐压能力、电流承载能力和开关速度，同时降低了导通电阻和开关损耗。
技术亮点
1、简化了IGBT制造工艺，采用低阻N+(100)硅抛光片作为村底，通过6层光刻板技术省去了源区光刻工艺，有效降低了制造成本。
2、对IGBT正面深沟槽刻蚀及沟槽橱氧化工艺进行了优化改进，改善了沟懵硅形貌问题，提高了产品可靠性及良品率，并通过缩小了元胞尺寸，提升了电流密度。
3、IGBT背面使用镍酸镧透明氧化物制作导电缓冲层，通过高温燕发工艺提升了加工效率和良品率，降低了电流扩散层厚度和生产成本。
该项目拥有多项自主知识产权，产生了良好的经济效益和社会效益具有广阔的推广应用前景。这是团队共同努力的结晶，也是我们在半导体领域不断追求卓越的又一里程碑。让我们继续携手并进，开创更加辉煌的未来！
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原文标题：热烈祝贺佳恩半导体IGBT项目—科技成果获评“国际先进水平”
文章出处：【微信号：JNsemi，微信公众号：青岛佳恩半导体有限公司】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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