将万用表设置到 R×1KQ 位置。用万用表测量时,如果一级和另外两极的电阻值是无穷大的,则更换表笔后....
在电力电子系统中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为核心开关器件,承担着电能转换与控制的关键任务。但....
不同封装形式的IGBT模块在热性能上的差异主要体现在散热路径设计、材料导热性、热阻分布及温度均匀性等....
2025年8月26-28日,深圳国际电子展(ELEXCON 2025) 在深圳会展中心(福田)盛大举....
IGBT模块的开关损耗(动态损耗)与导通损耗(静态损耗)的平衡优化是电力电子系统设计的核心挑战。这两....
IGBT模块GE间驱动电压可由不同地驱动电路产生。
没有附加保护装置的 10μs 短路 SOA 操作。
IGBT以发射极电压为基准电位驱动。开关动作时,上桥臂IGBT的发射极电位VE在0伏和母线电压V+之....
测量回路杂散电感常用方法有双脉冲法、短路法及谐振法。双脉冲法通过测量获取IGBT关断时的尖峰电压Vp....
回路中各环节电感值对于减小回路的总杂散电感而言十分重要。由于直流支撑电容器和IGBT的内部电感是定值....
研究IGBT器件的开关及特性对实现IGBT变流器的高性能具有重要的意义,IGBT DC Link主回....
尽管开关器件内部工作机理不同,但对于吸收电路的分析而言,则只需考虑器件的外特性,IGBT关断时模型可....
IGBT作为功率半导体器件,对静电极为敏感。我将从其静电敏感性原理入手,详细阐述使用过程中防静电的具....
为验证对主回路杂散电感效应的分析并考察不同电感量以及门极驱动情况下的实际情况,我们人为对Lp 大小进....
此前,2025年4月15日至17日,全球半导体行业瞩目的盛会——慕尼黑上海电子展(Electron....
IGBT的开关损耗特性研究对IGBT变流器设计具有重要的意义,在有结构紧凑性要求或可靠性要求较高或散....
IGBT正弦波调光器是一种用于调节灯光亮度的设备,其工作原理主要基于IGBT的开关特性和对正弦波信号....
在电力电子的广阔领域中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为核心器件,其性能优劣直接关乎整个系统的运行....
IGBT模块的反向恢复现象是指在IGBT关断时,其内部集成的续流二极管(FWD)从正向导通状态转变为....
在现代工业电气领域,中频电源应用广泛,而 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为中频电源的核心器件,起着....
在全球积极推进能源转型的大背景下,新能源领域蓬勃发展,而 IGBT 模块作为其中的关键器件,发挥着不....
IGBT的温度及安全运行 IGBT的温度可由下图描述: 温差 (平均值)和热阻关系如下式: Rthj....
IGBT双脉冲测试方法的意义和原理 IGBT双脉冲测试方法的意义: 1.对比不同的IGBT的参数; ....
IGBT双脉冲实验 1.1 IGBT双脉冲实验目的 1、通过实验获取IGBT驱动板及IGBT模块的主....
在1字形二极管钳位三电平电路中,当发生短路故障或过流故障时,传统的关断IGBT的做法是,检测到故障的....
日前,中科知慧(北京)科技成果评价有限公司组织专家,对青岛佳恩半导体有限公司完成的“IGBT1200....
随着功率器件的发展,正弦波脉宽调制(SPWM)技术得到了广泛的应用,SPWM 控制是在逆变器输出交流....
单相全桥逆变电路 单相全桥逆变电路也称“H 桥”电路,其电路拓朴结构如图1所示,由两个半桥 图1单相....
通过以上方程,现在可以根据测量值来计算所需的死区时间。使用计算出的死区时间,需要进行最坏情况下的测量....
各种拓扑对IGBT驱动器的要求各不相同,比如: 两电平拓扑通常要求短路保护和过压保护即可。常用的短路....