SiC外延设备的复杂性主要体现在反应室设计、加热系统和旋转系统等关键部件的精确控制上。在SiC外延生....
2024年12月31日，国家市场监督管理总局(国家标准化管理委员会)发布2024年第32号中华人民共....
在数字支付技术迅猛发展的今天，支付宝推出的“碰一下”支付功能以其便捷性和高效性迅速吸引了广泛关注。这....
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技....
光刻是芯片制造过程中至关重要的一步，它定义了芯片上的各种微细图案，并且要求极高的精度。以下是光刻过程....
晶圆，作为芯片制造的基础载体，其表面平整度对于后续芯片制造工艺的成功与否起着决定性作用。
随着半导体技术不断逼近物理极限，传统的平面晶体管（Planar FET）、鳍式场效应晶体管（FinF....
激光具有多种特性，使其在许多实际应用中都很有用。激光是单色的、定向的、相干的。相比之下，普通白光是许....
ALD 和 ALE 是微纳制造领域的核心工艺技术，它们分别从沉积和刻蚀两个维度解决了传统工艺在精度、....
朱利叶斯·埃德加·利利恩菲尔德在1925年申请的专利为场效应晶体管奠定了理论基础。 虽然第一个工作的....
本文简单介绍了衍射光栅的历史及其重要作用。 很难指出还有哪一种装置比衍射光栅为每个科学领域带来了更重....
碳化硅（SiC）作为一种高性能材料，在大功率器件、高温器件和发光二极管等领域有着广泛的应用。其中，基....
本文简单介绍了连续波和脉冲波的概念、连续波电流与脉冲波电源的定义以及脉冲波电源相对于连续波的电源模式....
本文简单介绍了数据I/O模块的概念、特点以及作用。 一、数据 I/O 模块是什么 1. 承接内外....
本文从爱因斯坦追光实验入手，用通俗易懂的语言介绍了多普勒频移现象。 爱因斯坦是20世纪最伟大的天....
本文简单介绍了离子注入工艺中的重要参数和离子注入工艺的监控手段。 在硅晶圆制造过程中，离子的分布状况....
本文介绍了集成电路制造中良率损失来源及分类。 良率的定义 良率是集成电路制造中最重要的指标之一。集成....
本文介绍了硬件处理模块的概念、特点和在系统中的位置。 一、硬件处理模块的基本概念 专注于特定功能 ....
本文介绍了FinFET（鳍式场效应晶体管）制造过程中后栅极高介电常数金属栅极工艺的具体步骤。
景深是图像中看起来可以接受的清晰度的最近和最远对象之间的距离。拍摄图像时，将相机聚焦在任意距离的对象....
本文简单介绍了MOS管特征频率与过驱动电压的概念以及二者的关系。
本文介绍了CVD薄膜质量的影响因素及故障排除。 CVD薄膜质量影响因素 以下将以PECVD技术沉积薄....
本文介绍了如何提高光刻机的NA值。 为什么光刻机希望有更好的NA值？怎样提高？ 什么是NA值？ ....
本文介绍了什么是原子层刻蚀（ALE, Atomic Layer Etching）。 1.ALE 的基....
本文介绍了FinFet Process Flow-源漏极是怎样形成的。 在FinFET制造工艺中，当....
本文介绍了什么是原子层沉积（ALD, Atomic Layer Deposition）。 1.原....
本文介绍了封装工艺简介及元器件级封装设备有哪些。 概述 电子产品制造流程涵盖半导体元件制造及整机....
本文主要介绍光纤的主要参数 光纤是一种细玻璃丝，其中心纤芯的折射率略高于周围的包层。从物理光学的....
本文主要介绍神经网络理论研究的物理学思想 神经网络在当今人工智能研究和应用中发挥着不可替代的作用。它....
本文主要介绍微型晶体管高分辨率X射线成像 一种经过升级的X射线可对芯片内部进行3D成像，展现其设....
