ADG918/ADG919是采用CMOS工艺制成、具有高隔离和低插入损耗特点并且频率达1 GHz的宽....
要长高 发表于 03-06 11:10
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ADG904和ADG904-R均为采用CMOS工艺制造的宽带模拟4:1多路复用器,在最高至1 GHz....
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MAX12005卫星IF开关IC设计用于支持多用户系统,提供两组四通道通用的低噪声模块(LNB),所....
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HMC8038是一款高隔离度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、单刀双掷(SPDT)开关芯片,....
要长高 发表于 03-06 10:16
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HMC1118是一款通用、宽带、非反射式单刀双掷(SPDT)开关,采用LFCSP表贴封装。该开关频率....
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HMC7992是一款通用型、非反射式、0.1 GHz至6.0 GHz、单刀四掷(SP4T)硅开关,采....
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HMC574AMS8E是一款低成本SPDT开关,采用8引脚MSOP封装,适合于高射入功率电平下需要极....
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HMC270AMS8GE均为宽带非反射式GaAs SPDT开关,采用8引脚MSOP基极接地表贴塑料封....
要长高 发表于 03-06 09:30
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HMC986A是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关,采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关在0.1....
要长高 发表于 03-06 09:21
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ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、单刀双掷(SPDT)硅开关,采....
要长高 发表于 03-06 09:14
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ADRF5040是一款通用、宽带高隔离度、非反射式单刀四掷(SP4T)开关,采用LFCSP表贴封装。....
要长高 发表于 03-05 16:22
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ADRF5021是一款通用型单刀双掷(SPDT)开关,采用硅工艺制造。它采用3 mm × 3 mm、....
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HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关,采用砷化镓(GaAs)工艺制造。
HMC23....
要长高 发表于 03-05 16:00
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HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SP....
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HMC784AMS8GE是一款高功率SPDT开关,采用8引脚MSOPG封装,适合在高输入信号功率电平....
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HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关,采....
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ADRF5250是一款通用型单刀五掷(SP5T)、非反射式开关,采用硅工艺制造。ADRF5250采用....
要长高 发表于 03-05 15:24
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HMC641ALP4E是一款通用型、非反射式、单刀四掷(SP4T)开关,采用砷化镓(GaAs)工艺制....
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ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) ....
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ADRF5044 是一款利用硅工艺制造的通用单极四投 (SP4T) 开关。 它采用 24 端子岸面栅....
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ADRF5045 是一款利用硅工艺制造的通用单刀四掷 (SP4T) 开关。它采用 24 端子岸面栅格....
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ADRF5160 是一款硅基高功率 0.7 GHz 到 4.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反....
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ADRF5025是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关,采用硅工艺制造。
该开关的工作频率范围....
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ADRF5024 是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关,采用硅工艺制造。
该开关的工作频率范....
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HMC347B 是一款宽频、非反射、砷化镓 (GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、单....
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ADRF5026 是一款利用硅工艺制造的非反射单刀双掷 (SPDT) 射频 (RF) 开关。
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ADRF5027是一款单刀双掷(SPDT)硅开关,工作频率范围为9 kHz至44 GHz。
该....
要长高 发表于 03-05 13:59
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ADRF5046 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀四掷 (SP4T) 开关。
ADRF5046....
要长高 发表于 03-05 13:55
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ADL8111 是一款具有非反射旁路开关的低噪声放大器 (LNA),可在 10 MHz 至 8000....
要长高 发表于 03-05 11:45
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ADRF5019 是一款采用硅工艺制造的非反射式单刀双掷 (SPDT) RF 开关。
ADRF....
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