概述
HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关,采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装,带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用,实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段,该开关具有很高的功率处理能力,另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+5伏特的正电压控制。
数据表:*附件:HMC435A SPDT非反射式开关技术手册.pdf
应用
- 基站和中继器
- 蜂窝/3G和WiMAX/4G
- 基础设施和接入点
- CATV/CMTS
- 测试仪器仪表
特性
- 高隔离度:
62 dB(1 GHz时)
52 dB(2 GHz时) - 正控制: 0/+5V
- 输入IP3: 54 dBm
- 非反射式设计
- 超小型MSOP-86封装:
- 14.8 mm2
绝对最大额定值
逻辑图
外形图
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