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HMC435A SPDT非反射式开关技术手册

要长高 2025-03-05 15:32 次阅读
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概述

HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关,采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装,带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用,实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段,该开关具有很高的功率处理能力,另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+5伏特的正电压控制。
数据表:*附件:HMC435A SPDT非反射式开关技术手册.pdf

应用

  • 基站和中继器
  • 蜂窝/3G和WiMAX/4G
  • 基础设施和接入点
  • CATV/CMTS
  • 测试仪器仪表

特性

  • 高隔离度:
    62 dB(1 GHz时)
    52 dB(2 GHz时)
  • 正控制: 0/+5V
  • 输入IP3: 54 dBm
  • 非反射式设计
  • 超小型MSOP-86封装:
  • 14.8 mm2
    绝对最大额定值
    image.png

逻辑图
image.png

外形图
image.png

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