ADRF5025 9kHz至44GHz硅SPDT反射式开关技术手册

概述
ADRF5025是一款反射式、单刀双掷(SPDT)开关，采用硅工艺制造。

该开关的工作频率范围为9 kHz至44 GHz，提供优于1.6 dB的插入损耗和35 dB隔离性能。ADRF5025的通过路径和热切换均具有27 dBm的射频(RF)输入功率处理能力。

ADRF5025在+3.3 V正电源电压和-3.3 V负电源电压下分别消耗14 μA和120 μA的低电流。该器件采用互补金属氧化物半导体(CMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制特性。

ADRF5025与[ADRF5024]（低频截止版本）引脚兼容，工作频率范围为100 MHz至44 GHz。

ADRF5025 RF端口设计用于匹配50 Ω的特征阻抗。对于超宽带产品，RF传输线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗和回波损耗特性。有关更多详情，请参考“电气规格”部分、“典型性能参数”部分和“应用信息”部分。

ADRF5025采用符合RoHS标准的2.25 mm × 2.25 mm、12引脚、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。
数据表：*附件：ADRF5025 9kHz至44GHz硅SPDT反射式开关技术手册.pdf

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G毫米波
• 军用无线电、雷达、电子对抗(ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)

特性

• 超宽带频率范围：9 kHz至44 GHz
• 反射式设计
• 具有阻抗匹配的低插入损耗
  • 0.9 dB（典型值）至18 GHz
  • 1.4 dB（典型值）至40 GHz
  • 1.6 dB（典型值）至44 GHz
• 不具有阻抗匹配的低插入损耗
  • 0.9 dB（典型值）至18 GHz
  • 1.7 dB（典型值）至40 GHz
  • 2.2 dB（典型值）至44 GHz
• 高输入线性度
  • P1dB：27.5 dBm（典型值）
  • IP3：50 dBm（典型值）
• 高RF输入功率处理
  • 通过路径：27 dBm
  • 热切换：27 dBm
• 无低频杂散
• RF建立时间 (50% VCTL至 0.1 dB 的最终RF输出): 3.4 μs
• 12引脚、2.25 mm × 2.25 mm LGA封装
• 与[ADRF5024]快速切换版本引脚兼容

框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5025-EVALZ是一款4层评估板。外层铜(Cu)层的厚度为0.5盎司(0.7密耳)至1.5盎司(2.2密耳)，并由介电材料隔开。图17显示了评估板叠层。

所有RF和dc走线都布设在顶层铜层上，内层和底层是接地层，为RF传输线路提供坚实的接地。顶部介电材料为8密耳Rogers RO4003，提供最佳高频性能。中间和底部介电材料提供机械强度。整个电路板的厚度为62密耳，允许在电路板边缘连接2.4毫米射频发射器。