ADRF5130 0.7GHz至3.5GHz高功率、44W峰值、硅SPDT、反射式开关技术手册

概述
ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、单刀双掷(SPDT)硅开关，采用无引脚、表贴封装。该开关非常适合高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm（典型值）高功率处理能力、0.6 dB低插入损耗、68 dBm（典型值）输入线性度三阶交调截点和46 dBm下的0.1 dB压缩点(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下工作，典型偏置电流为1 mA，使其成为基于引脚二极管开关的理想替代器件。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装。
数据表：*附件：ADRF5130 0.7GHz至3.5GHz高功率、44W峰值、硅SPDT、反射式开关技术手册.pdf

应用

• 蜂窝/4G基础设施
• 无线基础设施
• 军事和高可靠性应用
• 测试设备
• 引脚二极管替代器件
  特性
• 反射式50 Ω设计
• 低插入损耗：0.6 dB（典型值，2 GHz）
• 高隔离度：50 dB（典型值，2 GHz）
• 高功率处理
  • 连续平均功率：43 dBm
  • 峰值功率：46.5 dBm
• 高线性度
  • 0.1 dB压缩(P0.1dB)：>46 dBm（典型值）
  • 输出三阶交调截点(IP3)：68 dBm（典型值，2 GHz）
• ESD额定值
  • 人体模型(HBM)：2 kV，2级
  • 充电器件模型(CDM)：待定
• 单正电源
  • V DD ：5 V
• 正控制，TTL兼容
  • V CTL ： 0 V 或 5 V
• 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 (16 mm ^2^ )

框图

引脚配置

典型性能特征

利用适当的RF电路设计技术，生成用于图11所示应用电路的评估PCB。RF端口的信号线必须具有50欧姆阻抗，封装接地引脚和背面接地片必须直接连接到接地层，如图14所示。

ADRF5130评估板有八个金属层，各层之间有电介质(见图12)。顶部和底部金属层具有2盎司(2.7密耳)的铜厚度，而它们之间的金属层具有1盎司(1.3密耳)的铜厚度。顶部介电材料为10密耳RogersRO4350，具有极低的导热系数，可控制电路板的温升。其他金属层之间的电介质为FR-4。整个板的厚度达到62密耳。图13显示了ADRF5130评估板的俯视图。

顶层铜层具有所有RF和dc走线，而其他七层提供良好的接地，有助于处理评估板上由ADRF5130高功率引起的温升。此外，为了实现适当的热接地，在传输线路周围和封装裸露焊盘下方提供了许多过孔。ADRF5130评估板上的RF传输线路采用共面波导设计，宽度为18密耳，接地间距为13密耳。为了控制高温和高功率下ADRF5130评估板的温升，建议使用散热装置和微型直流风扇。