ADRF5026 100MHz至44GHz硅SPDT非反射开关技术手册

概述
ADRF5026 是一款利用硅工艺制造的非反射单刀双掷 (SPDT) 射频 (RF) 开关。

ADRF5026 的工作频率范围为 100 MHz 至 44 GHz，具有优于 3.8 dB 的插入损耗和 45 dB 隔离。ADRF5026 采用全关闭控制，两个射频端口均处于隔离状态。ADRF5026 采用非反射设计，两个射频端口均在内部端接到 50 Ω。

ADRF5026 需要 +3.3 V 和 −3.3 V 的双电源电压。此器件使用互补金属氧化物半导体/低电压晶体管-晶体管逻辑 (CMOS/LVTTL) 逻辑兼容控制。

ADRF5026 的引脚与 [ADRF5027] 低频截止版本兼容，可在 9 kHz 至 44 GHz 的频度范围内工作。

ADRF5026 射频端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。对于超宽带产品，射频发射线路上的阻抗匹配可以进一步优化高频插入损耗和回路损耗特性。有关在 28 GHz 至 43 GHz 频率范围内实现 2.4 dB 平坦插入损耗响应的匹配电路的示例，请参阅“窄带阻抗匹配”部分。

ADRF5026 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
数据表：*附件：ADRF5026 100MHz至44GHz硅SPDT非反射开关技术手册.pdf

应用

• 工业扫描仪
• 测试和仪器仪表
• 蜂窝基础设施：5G 毫米波
• 军用无线电、雷达和电子对抗措施 (ECM)
• 微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
  特性
• 超宽带频率范围：100 MHz 到 44 GHz
• 非反射设计
• 低插入损耗：
  • 18 GHz 时为 1.2 dB
  • 26 GHz 时为 1.7 dB
  • 40 GHz 时为 2.4 dB
  • 44 GHz 时为 3.8 dB
• 高隔离
  • 18 GHz 时为 55 dB
  • 26 GHz 时为 53 dB
  • 40 GHz 时为 50 dB
  • 44 GHz 时为 45 dB
• 高输入线性度
  • P1dB：27 dBm（典型值）
  • IP3：53 dBm（典型值）
• 高功率处理能力
  • 24 dBm 插入损耗路径
  • 24 dBm 隔离路径
• 全关闭状态控制
• 无低频杂散信号
• 0.1 dB 射频建立时间：40 ns（典型值）
• 20 端子 3 mm × 3 mm LGA 封装
• 引脚兼容 [ADRF5027]，低频截止版本

框图

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  引脚配置
  

ADRF5026-EVALZ评估板是一款4层评估板。外层铜(Cu)层厚度为0.5盎司(0.7密耳)，厚度为1.5盎司(2.2密耳)，由电介质材料隔开。图15显示了ADRF5026-EVALZ评估板的层叠图。

所有RF和dc走线都布设在顶层铜层上，而内层和底层是接地层，为RF传输线路提供坚实的接地。顶部电介质材料为8密耳Rogers RO4003，具有最佳高频性能。中间和底部介电材料提供机械强度。整个电路板的厚度为62密耳，允许在电路板边缘连接2.4毫米射频发射器。