ADRF5132高功率、20W峰值、硅SPDT、反射开关、0.7GHz到5.0 GHz技术手册

概述

ADRF5132 是一款高功率反射式 0.7 GHz 到 5.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关，采用无铅的表面贴装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用，如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5132 具有 35 dBm LTE 的高功率处理能力（105°C 时的平均典型值）、2.7 GHz 时 0.6 dB 的低插入损耗、65 dBm 的输入三阶截距（典型值）和 42.5 dBm 的 0.1 dB 压纹 (P0.1dB)。

片内电路使用 5 V 的单一正电源工作，典型电源电流为 1.1 mA，使得 ADRF5132 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替代方案。

此器件采用符合 RoHS 指令的紧凑式 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装。
数据表：*附件：ADRF5132高功率、20W峰值、硅SPDT、反射开关、0.7GHz到5.0 GHz技术手册.pdf

应用

• 蜂窝/4G 基础设施
• 无线基础设施
• 军事和高可靠性应用
• 测试设备
• Pin 二极管替代方案
  特性
• 反射式 50 Ω 设计
• 低插入损耗：2.7 GHz 时为 0.6 dB（典型值）
• TCASE~ = 105°C 时具有高功率处理能力
  • 持久（>10 年运行）
    • 峰值功率：43 dBm
    • 连续波功率：38 dBm
    • 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：35 dBm
• 单一事件（<10 秒运行）
  • 平均 LTE 功率 (8 dB PAR)：41 dBm
• 高线性度
  • P0.1dB：42.5 dBm（典型值）
  • IP3：2.0 GHz 到 4.0 GHz 时为 65 dBm（典型值）
• ESD 额定值
  • HBM：2 kV，2 级
  • CDM：1.25 kV
• 单一正电源：5 V
• 正控制，CMOS/TTL 兼容
• 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP 封装

框图

引脚配置

接口示意图

ADRF5132-EVALZ能够处理高功率电平和高工作温度。ADRF5132-EVALZ评估板由八层金属层和层间电介质构成，如图13所示。每个金属层具有1盎司(1.3密耳)的铜厚度，而外层是1.5盎司的铜。顶部介电材料为10密耳Rogers RO4350，具有极低的导热系数，可控制电路板的温升。其他金属层之间的电介质是FR4。获得的总板厚为60密耳。

顶部铜层具有所有RF和dc走线，而其他七层提供足够的接地，有助于处理ADRF5132-EVALZ的热上升。此外，如图15所示，在传输线路周围和封装裸露焊盘下方提供过孔，以实现适当的散热接地。评估板上的RF传输线采用共面波导设计，宽度为18密耳，接地间距为13密耳。
为了确保最大散热并降低评估板上的温升，一些应用考虑是必不可少的。将ADRF5132-EVALZ连接到评估板底部的铜支撑板上。ADRF5132-EVALZ附带此支撑板附件。在所有高功率操作期间，使用散热膏将ADRF5132-EVALZ及其支撑板连接到一个大散热片上。图14显示了在上述条件和预防措施下测试的评估板温度与RF功率输入的关系(评估板和支撑板连接到一个大散热器上)。在高达43 dBm的RF功率输入下，温升不到5°C，在高功率水平下工作时可提供所需的散热。