EVDD430S / EVDD430CY：助力MOSFET/IGBT驱动评估与开发

在电子工程领域，MOSFET和IGBT驱动的评估与开发是至关重要的环节。今天，我们就来深入了解一下EVDD430S / EVDD430CY这两款30A超快速MOSFET / IGBT驱动评估板。

文件下载：EVDD430MCI.pdf

一、评估板概述

EVDD430S / EVDD430CY评估板是通用电路板，其设计目的有两个：一是简化对IXYS IXDS430、IXDD430、IXDI430和IXDN430 MOSFET / IGBT驱动器的评估；二是为电源电路开发提供基础模块。

这两款评估板有多种IC封装类型可供选择，包括SOIC - 28、5引脚TO - 220和5引脚TO - 263，并且分别在两块不同的电路板上实现。电路板的布局支持TO - 247、TO - 264或SOT - 227封装的MOSFET或IGBT，还允许将被驱动的设备安装到散热器上。这样一来，电路板组件可以作为接地参考的低端功率开关，适用于单端和推挽配置。

对于三种驱动器封装的电路板布局，都允许将设备的引脚焊接或连接到接地平面，以在使用大型MOSFET设备的高功率、高频应用中改善散热。同时，布局经过优化，减少了走线长度，增加了面积，从而降低了电感，提高了性能。

二、评估板外观与输入信号

外观展示

从文中给出的图片可以看到，图1和图2是装有IXDI430CI TO - 220驱动器的EVDD430CY板的正反面照片，图3和图4则是配备IXDS430S 28引脚SOIC封装的EVDD430S板的正反面照片。

输入信号说明

评估板上有多个输入信号点。“Signal In”是一个与TTL或CMOS电平兼容的输入，用于控制功率器件Q1或Q2的导通或关断状态。“Disable”是一个可选输入，具体取决于安装的设备，它控制三态输出（仅适用于IXDD430和IXDS430设备）。三态模式可用于电机驱动电路，当检测到过流时，反馈一个禁用信号，通过一个单独的“泄放”电阻以较慢的速率控制IGBT的关断。“VCC - IN”是低电压（8.5 - 35V）电源输入。图5和图6展示了TO - 247、TO - 264、SOT - 227功率器件的安装情况。

三、电路工作原理

信号输入与布局优化

评估板的原理图如图8和图9所示。外部驱动信号施加到“Signal In”测试点。印刷电路板（PCB）在50欧姆输入电阻R4两端提供了焊盘，以便可以将同轴电缆直接焊接到电路板上。PCB的设计旨在尽量减少与长而窄的走线相关的寄生电感，并且提供了大的连接点，用户可以连接更大的电线或铜带以最小化环路电感。

放电路径与驱动输出

二极管和电阻DA与RA的组合，在使能功能将驱动器置于三态模式时，为功率器件的栅极提供了一个可控的放电路径。在这种模式下，功率器件的关断时间由输入栅极电容(C_{iss})和电阻RA的值决定。RA未预装，用户可以选择最适合设计的值。

驱动输出通过栅极驱动电阻位置连接到MOSFET / IGBT。这些电阻可以更换为不同的值，以优化设计的导通和关断性能。IXDS430S还包括单独的驱动输出源/沉引脚，EVDD430S评估板的布局使得通过设备的分离输出引脚，导通速率可以与关断速率不同。而IXD_430 C和Y输出引脚是内部连接的，只有一组栅极电阻。

欠压保护与信号选择

这些设备有8.5V或11.75V的欠压触发点可供选择，具体可参考订单表。如果电源电压低于这个固定点，对功率器件的驱动将被禁用。在EVDD430S PCB上，通过JP2可以选择这个功能，而JP1提供了反转驱动信号的选项。

四、订购信息

部件编号	配套设备	选项
EVDD430CI		UV = 11.75 NI with Enable
EVDD430MCI	IXDD430MCI TO - 220	UV = 8.5 NI with Enable
EVDD430YI	IXDD430YI TO - 263	UV = 11.75 NI with Enable
EVDD430MYI	IXDD430MYI TO - 263	UV = 8.5 NI with Enable
EVDI430CI	IXDI430CI TO - 220	UV = 11.75 Inverting
EVDI430MCI	IXDI430MCI TO - 220	UV = 8.5 Inverting
EVDI430YI	IXDI430YI TO - 263	UV = 11.75 Inverting
EVDI430MYI	IXDI430MYI TO - 263	UV = 8.5 Inverting
EVDN430CI	IXDN430CI TO - 220	UV = 11.75 NI
EVDN430MCI	IXDN430MCI TO - 220	UV = 8.5 NI
EVDN430YI	IXDN430YI TO - 263	UV = 11.75 NI
EVDN430MYI	IXDN430MYI TO - 263	UV = 8.5 NI
EVDS430SI	IXDS430SI 28引脚SOIC	UV / Invert = Selectable w/ Enable

这里的UV表示欠压触发点，NI表示非反相，配套设备需要用户自行安装。

在实际的电子设计中，你是否会考虑使用这样的评估板来进行MOSFET / IGBT驱动的开发呢？欢迎在评论区分享你的想法。