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• 发布了文章 2026-06-12 09:20

  2026.10.15-16 序启新章 | 普迪飞半导体制造数据分析与人工智能应用大会

  

  当下全球半导体产业迎来全新发展阶段，行业复杂度不断提升，新一代芯片设计、规模化量产与全产业链协同发展，亟需依托数据与人工智能技术实现突破。全球半导体数据解决方案领军企业普迪飞（PDFSolutions）正式宣布，CONNECT2026年度行业大会将于2026年10月15日至16日在美国旧金山举办。本次盛会以数据驱动、AI赋能为核心，集中展示面向半导体行业的新

  人工智能 半导体制造 普迪飞

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• 发布了文章 2026-06-11 11:32

  从单点解决方案到智能体 AI 生态：半导体制程控制，植根过往积淀

  

  核心要点业内常将智能体AI视作半导体制造的颠覆性技术，但本质上，它并非突发式技术革命，而是半导体制程控制、数据基建与系统集成领域三四十年持续迭代的成果。普迪飞(PDFSolutions)专家在2026年APCM大会中指出，智能体AI是智能制造技术演进的新阶段，所有核心能力均源于行业长期技术积淀，并非对传统技术的彻底颠覆。四十年技术演进：从设备简单管控到全流程

  AI 半导体 智能体

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• 发布了文章 2026-06-09 13:35

  半导体AI两大发展路径：欧美平台化、中国单点部署，融合或将成为行业趋势

  

  半导体制造是全球数据密度最高的工业领域之一，人工智能正快速成为晶圆厂生产运营与工艺优化的核心支撑。随着半导体器件结构与制造工艺持续复杂化，行业生产数据迎来爆发式增长：单款器件参数可达数百万量级，单座晶圆厂的数据集规模更是达到PB级。与此同时，行业需要在保障量产良率、稳定生产的前提下，持续加快新品落地速度。多重生产压力下，AI已成为半导体制造的核

  AI 人工智能 半导体

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• 发布了文章 2026-06-05 11:04

  2nm芯片：一场价值数亿美元的'极限豪赌'

  

  核心要点速览1向2nm及以下节点推进，核心价值仍是提升芯片能效比，但技术难度与研发制造成本已呈指数级增长，落地门槛空前提高。2先进制程的技术取舍空间被极致压缩。解决一个工艺难题往往衍生出新问题，行业不得不依靠更大尺寸中介层、多芯粒架构、更复杂的封装方案实现技术折中。3从设计到量产的全流程，都需要极

  光刻 电子束 芯片

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• 发布了文章 2026-06-04 09:02

  行业洞察 | 智能测试落地受阻：AI 不是瓶颈，全链路数据链才是关键

  

  随着先进制程与异构封装技术规模化应用，基于AI的智能自适应测试已成为半导体行业的主流发展方向，但落地过程普遍遭遇瓶颈。SemiconductorEngineering深度调研指出：智能测试的真正短板不在于AI算法，而在于断裂、不可追溯的全流程数据链。芯片即便通过全部出厂测试，仍可能隐藏未被捕捉

  AI 半导体 智能测试

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• 发布了文章 2026-06-02 09:10

  深耕 DTCO 设计工艺协同，破解 FinFET 器件性能波动难题

  

  7nmFINFET系列专题Gate和FinSpaceVariation对应力调制及FinFET性能的影响7nmFinFET性能优化的隐藏密码—栅极与鳍片间距调控7nmFinFET工艺：局部版图效应LLE标准化实测体系全解析当版图成为器件物理：应力相关LLE如何重塑先进CMOS技术？晶圆实测实证：扩散阻断、栅极切割及应力相关局部版图效应机理拆解工艺变量，洞悉F

  FinFET 仿真 器件

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• 发布了文章 2026-05-28 14:17

  普迪飞：以数据与 AI 重构半导体制造新范式

  

  2025年是普迪飞（PDFSolutions）实现跨越式变革的一年。公司全年实现营收2.19亿美元，同比增长22%，创下历史新高，毛利率与营业利润率同步显著提升。更具战略意义的是，我们通过一系列关键布局，正式确立了公司在半导体领域的领先地位，成为行业首选的商用数据、分析与关键业务平台。行业迎来关键拐点1、3D芯粒制造复杂度激增，测试环节大幅增加、工艺精度要求

  AI 半导体 普迪飞

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• 发布了文章 2026-05-26 10:33

  拆解工艺变量，洞悉 FinFET 器件性能变异底层逻辑

  

  7nmFINFET系列专题Gate和FinSpaceVariation对应力调制及FinFET性能的影响7nmFinFET性能优化的隐藏密码—栅极与鳍片间距调控7nmFinFET工艺：局部版图效应LLE标准化实测体系全解析当版图成为器件物理：应力相关LLE如何重塑先进CMOS技术？晶圆实测实证：扩散阻断、栅极切割及应力相关局部版图效应机理在硅基芯片制造中，扩

  FinFET 器件 晶体管

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• 发布了文章 2026-05-21 14:07

  硅片实测实证：扩散阻断、栅极切割及应力相关局部版图效应机理

  

  本系列前序文章围绕两大核心问题展开：先进CMOS工艺中，应力诱发的局部版图效应为何至关重要，以及如何以标准化方式完成测试与建模。接下来最关键的研究方向已然明确：硅片实测数据究竟印证了哪些实际规律。在测试流程与TCAD仿真体系搭建完成后，研究重心不再是证实版图相关应力是否存在，而是厘清其对器件电学特性的影响幅度、核心敏感几何结构，以及不同器件应力敏感度差异的内

  仿真 测试 硅片

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• 发布了文章 2026-05-20 09:23

  聚焦制造数据分析：普迪飞探寻晶圆厂与先进封装智能升级之路

  

  在普迪飞制造数据分析专场论坛上，JonHolt全面解读晶圆制造、先进封装、化合物半导体领域的功能升级、产品能力迭代与中长期技术路线，同时剖析高集成度、3D集成电路带来的产业新挑战。公司确立规模扩容与高性能、数据智能赋能、安全可信架构三大核心战略，助力半导体产业完成AI驱动转型，实现智能制造提质升级。本次专场论坛汇聚英特尔、安森美、UCSB、amsOSRAM等

  先进封装 普迪飞 晶圆

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