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新品 | 混合碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200V G2(TO-247PLUS 4引脚封装)

英飞凌工业半导体 2026-06-01 17:04 次阅读
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新品

混合碳化硅CoolSiC MOSFET

1200V G2(TO-247PLUS 4引脚封装)

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CoolSiC MOSFET 1200V G2混合碳化硅分立器件,采用 TO-247 4引脚封装,融合了第二代MOSFET技术搭配一颗用于软开关的1200V、发射极控制型第7代 (EC7)硅二极管,专为太阳能最大功率点跟踪(MPPT)级设计,英飞凌创新式解决方案为紧凑、可靠且高性价比的系统提供更优异的性能。


产品型号:

IMY120R036CM2H

IMY120R036AM2H

IMY120R018CM2H


产品框图


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产品特性


VGS= 18 V, Tvj= 25°C 条件下,导通电阻 RDS(on)= 18mΩ 和 36 mΩ

反向极性保护二极管

Tc= 100°C 时,二极IF = 50A和75A

极低的开关损耗

基准栅极阈值电压 4.2V

可靠的抗寄生导通能力


应用价值


通用封装,可从IGBT或SiC MOS无缝切换

更优的能效

优化的性能表现

易于使用


竞争优势


高度可靠性

更高功率密度

集成反向极性保护二极管


应用领域


组串式逆变器

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