环旭电子先进功率半导体封装技术取得重大突破

全球电子设计与制造服务领导厂商 USI 环旭电子今日宣布，其于新世代功率解决方案领域所开发的先进功率半导体封装技术取得重大突破。凭借卓越的基板与模块整合能力，环旭电子成功将碳化硅（SiC）晶粒预埋于多层 ABF 基板之中，并创新采用单面铜裸露（SSC）模块封装技术，使得业界标准功率封装体得以整合陶瓷绝缘基板与无线键合工艺。

USI环旭电子功率模块－SiC芯片预埋基板

此创新设计为内绝缘功率分立器件带来重大的技术突破，封装本体即具备卓越的电气绝缘能力，并同时展现低杂散电感与极低的导通阻抗的优势。为响应市场对高效率、高散热及高功率密度的迫切需求，环旭电子的芯片预埋封装技术相较于传统封装方案，能显著降低导通损耗、减少热能累积，并强化长期运作的可靠性。透过内部整合陶瓷基板，封装体即可提供稳定的电气绝缘效果，无需依赖外部绝缘材料；同时，创新的无线键合工艺使得薄型封装能容纳更大芯片，进一步提升功率密度，并推动高集成系统设计的实现。

“随着功率平台持续迈向高效率与高功率密度的方向发展，先进封装技术在提升整体系统效能的重要性愈加凸显，”环旭电子新产品导入中心资深处长陈治宇表示。“透过在业界标准功率封装体中整合SiC/GaN芯片预埋基板、陶瓷绝缘基板以及无线键合工艺，环旭电子正推动新一代兼具轻薄化、高效率与高可靠性的功率封装方案，并积极拓展于电动车、AI数据中心、和人形机器人等多元应用领域。”

环旭电子指出，低杂散电感、低导通阻抗与高效散热能力的协同效应，显著提升了能源转换效率与产品可靠性。此项技术突破将推动汽车与工业市场加速迈向更高效率的新世代电气化平台。

除了功率模块外，环旭电子亦提供涵盖设计至量产的一站式汽车动力系统服务，包括高密度400V/800V逆变器系统、智能电池断电单元（iBDU），以及整合OBC与DCDC转换器的Xin1系统方案。结合先进工程、PCBA与系统组装能力，为客户提供从产品开发到大规模量产的完整解决方案。

USI环旭电子将于2026年6月9日至11日参加在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2026，并于Hall 4-158展位展示其最新芯片预埋封装技术、先进功率模块及系统整合解决方案。诚挚邀请业界伙伴与环旭电子专家会面交流，深入了解先进封装技术如何为电动车、AI数据中心与人形机器人等应用带来更高效率与更高可靠度，同时探讨环旭电子如何透过一站式设计至量产服务，加速产品开发并缩短上市时程。