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环旭电子模组化与微小化制程技术如何突破AI能源高墙

环旭电子 USI 来源:环旭电子 USI 2026-01-07 15:53 次阅读
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讲者: 沈里正博士,环旭电子微小化技术中心 (MCC) AVP

近期在 IMPACT 2025 研讨会上,USI 环旭电子的沈里正博士受邀担任主题讲者,分享了针对高效能运算(HPC)的技术实践路径 。面对 AI 伺服器对算力的渴求,我们认为「电力传输 (Power Delivery)」已不再是配角,而是决定 AI 发展速度的关键燃料 。本文将深入解析 USI 环旭电子如何透过先进的模组化 (Modulization) 与 微小化 (Miniaturization) 制程技术,突破物理空间限制,实现下一代 AI 基础设施所需的高效能电力解决方案 。

为何「电力传输」成为 AI 发展的隐形天花板?

在生成式 AI 的时代,算力需求呈现指数级爆发,这导致晶片的热设计功耗(TDP)急剧攀升。许多人关注运算速度,但对于产业而言,理解「能源渴求 (Energy Eagerness)」是洞察硬体趋势的第一步。根据我们的分析,主流 GPU 的功耗增长趋势如下:

Nvidia 架构: 从 H100 的 700W (SXM) 到下一代 Blackwell (B200) 的 1,200W,再到未来 Rubin 平台预计突破 2,000W 甚至更高,短短数年间功耗需求成长了数倍。

AMDIntel 架构: 同样呈现陡峭的上升曲线,AMD MI355X 预计达到 1,400W,Intel Gaudi 3 亦大幅提升至 900W。

核心问题:在资料中心机柜尺寸(X、Y、Z 轴)固定的前提下,我们要如何塞入倍增的电力需求?这就像是将汽车的功能塞进智慧型手机的大小,既要极致的效能,又受限于有限的空间。

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Fig 1. 传统板端电源效率提升方案

传统透过更换低损耗元件(如 Power Stage 或电感)仅能带来约 2% 的效率提升,面对翻倍的功耗需求,我们必须寻求更激进的架构改变。

如何实现「垂直供电 (Vertical Power Delivery)」

为了满足空间与效率的双重需求,电源架构从横向 (Lateral) 转向 垂直 (Vertical) 已成为业界共识 。USI 的研发重点在于如何透过封装与模组化技术,促使这一架构转型得以落地实践 。

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Fig 2. 横向供电与垂直供电的对比图

相较于传统的并排式(Side-by-Side)布局,透过垂直供电架构的实践,可达成以下突破(数据来源参考 ASE 测试结果,如下图说明):

大幅降低传输损耗: 由于电流传输路径大幅缩短,传输损耗 (Transmission Loss) 可从传统的 12% 降至约 6%,损耗减少幅度达 50% 以上 。

显著提升功率密度: 透过 3D 堆叠与埋入式技术,功率密度可从 0.4 A/mm² 提升至 0.6 A/mm²,单位面积的供电能力增加了 50% 。

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Fig. 3垂直整合之稳压模组

核心技术解析:电源模组(Power Block) 模组化技术

在技术实作层面,USI 的策略核心在于对电源模组(Power Block) 进行结构优化与制造创新 。我们不仅是组装,更深入元件内部的结构设计,将电感、电容、功率场效电晶体、与驱动器整合为单一的高密度模组 。

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Fig 4. Power Block 的 3D 结构

微小化的挑战与实践:为了适应更密集的伺服器排列,模组厚度必须不断压缩。从过去的 8mm 到 5mm,USI 目前正挑战 4mm 的极限厚度。

3D 结构优化: 我们利用合金铜夹 (Metal Clip) 和排针 (Pin Header) 建立垂直互连,取代占空间的传统布线 。

散热与接地处理: 针对 PMIC 的 QFN 封装接地与散热需求,可采用晶片内埋或低气泡孔隙接合制程技术,确保在大电流运作下的热稳定性 。

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Fig 5. 资料中心电供模组发展趋势

未来趋势预测:800V 高压直流与 IVR 整合

1. 转向 800V 高压直流 (HVDC)

针对资料中心的未来架构,USI 还旭电子与日月光半导体正在布局下一阶段的技术蓝图。随着单机柜功耗从 100kW 迈向 1MW,传统的 48V 配电架构面临巨大挑战。我们正积极开发支援 800V DC 的电源模组。

物理原理:根据 P = IV 与 Ploss = I2R,提高电压可显著降低电流,进而大幅减少传输过程中的热损耗。

轻量化优势: 低电流允许使用更细的铜缆,解决了目前 AI 伺服器机柜因大量粗铜缆而过重的结构性问题。

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Fig 6. 800V 直流配电架构图

2. 整合式稳压器 (IVR)

展望更长远的未来,电力传输将进一步整合至晶片内部的硅中介层 (CoWoS) 中。USI作为模组化技术的领导者,正扮演着连接「板级电源」与「晶片级电源 (IVR)」的关键桥梁,提供从 48V 到 1V 的完整转换方案。

携手关键伙伴,打破效能高墙

沈博士的演讲将 USI环旭电子定位为关键 AI 基础设施的共同开发者,而不仅仅是组装商。USI环旭电子拥有业界最全面的「工具箱 (Toolbox)」,涵盖从晶片封装、模组设计到系统组装的端到端能力,包含多项关键技术优势:

端到端整合能力: 与专注于单一阶段的竞争对手不同,USI 跨足整个价值链:从系统封装、模组设计到系统整合。这使得 USI 能够从整体上优化电力传输,在模组层级解决问题,从而解决系统层级的限制。

微小化技术的领导地位 (3D SiP): USI 在埋入式被动元件和先进模塑方面拥有经过验证的专业知识。

散热与讯号完整性专业: 透过掌握「电源模块」,USI 更加能够为双重挑战提供解法:从日益密集的丛集中散热,并确保向敏感的处理器提供纯净的电力。

总结来说,随着 AI 晶片变得更大、更强,支援它们的元件必须变得更小、更聪明且更整合。USI环旭电子正站在这场「高效能微小化」革命的最前线。

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原文标题:突破 AI 能源高墙:Power Block 与 3D 微小化解决方案

文章出处:【微信号:环旭电子 USI,微信公众号:环旭电子 USI】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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