重大突破！12 英寸碳化硅晶圆剥离成功，打破国外垄断！

9月8日消息，中国科学院半导体研究所旗下的科技成果转化企业，于近日在碳化硅晶圆加工技术领域取得了重大突破。该企业凭借自主研发的激光剥离设备，成功完成了12英寸碳化硅晶圆的剥离操作。这一成果不仅填补了国内相关技术应用的空白，更为第三代半导体关键制造装备的国产化进程注入了强大动力，同时也为全球碳化硅产业突破成本瓶颈、提升生产效率开辟了创新路径。

此前，该激光剥离技术已在6英寸、8英寸碳化硅晶圆加工领域通过了多家行业客户的实际验证，设备性能达到国际先进水平，为此次12英寸技术突破奠定了坚实基础。

此次技术突破对碳化硅产业发展意义重大：

大幅降低生产成本：12英寸碳化硅晶圆的可用面积相比目前主流的6英寸晶圆提升约4倍，单位芯片成本降低30%-40%。

提升产业供给能力：攻克了大尺寸碳化硅晶圆加工的技术瓶颈，为全球碳化硅产能扩张提供了设备保障。

加速国产化替代进程：打破了国外厂商在大尺寸碳化硅加工设备领域的技术垄断，有力支撑了我国半导体装备的自主可控发展。

促进下游应用普及：成本的降低将加速碳化硅器件在新能源汽车、可再生能源等领域的广泛应用。

这一突破性进展，将对全球碳化硅产业格局产生深远影响，有望推动碳化硅器件在更多领域实现大规模应用，助力相关产业的升级与发展。我们期待未来能看到更多此类创新成果，为半导体行业的发展注入新的活力。

审核编辑 黄宇