Onsemi FSB50550BB Motion SPM 5模块:高性能逆变器解决方案
在电子工程领域,电机驱动系统的设计需要高性能、可靠且易于集成的逆变器解决方案。Onsemi的FSB50550BB Motion SPM 5模块就是这样一款出色的产品,它为交流感应电机、无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)提供了全功能、高性能的逆变器输出级。下面我们就来详细了解一下这款模块。
文件下载:FSB50550BB-D.PDF
一、产品概述
FSB50550BB是一款先进的Motion SPM 5模块,集成了优化的内置MOSFET(FRFET®技术)栅极驱动,可最大限度地减少电磁干扰(EMI)和损耗。同时,它还具备多种模块级保护功能,如欠压锁定和热监测。内置的高速高压集成电路(HVIC)仅需单电源电压,能将输入的逻辑电平栅极输入转换为驱动模块内部MOSFET所需的高压、大电流驱动信号。每个相位都有独立的开源MOSFET端子,支持各种控制算法。
二、产品特性
2.1 栅极驱动特性
- 栅极驱动电阻 (R{ON}=4.5 k Omega),(R{OFF}=1.2 k Omega),优化了开关性能。
- 适用于超过10 kHz的开关频率,满足高频应用需求。
2.2 逆变器特性
2.3 接口与保护特性
- 采用高电平有效接口,可与3.3/5 V逻辑兼容,具有施密特触发器输入。
- 优化设计以降低电磁干扰。
- 内置HVIC温度传感功能,用于温度监测。
- HVIC用于栅极驱动和欠压保护,隔离额定值为1500 Vrms/min。
- 该器件无铅且符合RoHS标准。
三、应用领域
FSB50550BB主要应用于小功率交流电机驱动的三相逆变器驱动。
四、技术参数
4.1 绝对最大额定值
| 参数 | 描述 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDSS | 每个MOSFET的漏源电压 | 500 | V |
| ID(25°C) | 每个MOSFET的连续漏极电流(TC = 80°C) | 3.0 | A |
| VDD | 控制电源电压(VDD与COM之间) | 20 | V |
| VBS | 高端偏置电压(VB与VS之间) | 20 | V |
| VIN | 输入信号电压(IN与COM之间) | -0.3 ~ VDD + 0.3 | V |
| VRRMB | 自举二极管的最大重复反向电压 | 500 | V |
| IFB | 自举二极管的正向电流(TC = 25°C) | 0.5 | A |
| IFPB | 自举二极管的正向峰值电流(TC = 25°C,脉冲宽度小于1 ms) | 2.0 | A |
4.2 热阻
| 参数 | 描述 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| Rth(j - c)Q | 结到外壳的热阻(逆变器工作条件下每个FET) | 8.9 | °C/W |
4.3 工作温度范围
| 参数 | 描述 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| TJ | 工作结温 | -40 ~ 150 | °C |
| TSTG | 存储温度 | -40 ~ 125 | °C |
| VIS0 | 隔离电压(60 Hz正弦波,1分钟,引脚连接到散热板) | 1500 | Vrms |
五、引脚描述
FSB50550BB共有23个引脚,每个引脚都有特定的功能,如COM为IC公共电源地,V B(U)为U相高端MOSFET驱动的偏置电压等。在设计电路时,需要根据引脚功能进行正确的连接。
六、电气特性
6.1 逆变器部分
- 漏源击穿电压为500 V。
- 导通电阻 (RDS(on)) 为3.0 mΩ。
- 漏源二极管正向电压为1.3 V。
- 开关时间 (t{on}) 在460 - 1100 ns之间,(t{off}) 在1660 - 2300 ns之间。
6.2 控制部分
- 静态VBS电流为100 μA。
- 工作VBS电源电流为800 μA。
- 欠压保护检测电平 (UVDDD) 在7.4 - 8.0 V之间。
6.3 自举二极管部分
- 正向电压 (V_{FB}) 在IF = 0.1 A,TC = 25 °C时为2.5 V。
- 反向恢复时间 (t_{rrB}) 在IF = 0.1 A,TC = 25 °C时为80 ns。
七、推荐工作条件
| 参数 | 描述 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VPN | 电源电压 | 300 - 400 | V |
| VDD | 控制电源电压(VDD与COM之间) | 15.0 | V |
| VBS | 高端偏置电压(VB与VS之间) | 13.5 - 15.0 - 18.5 | V |
| 输入导通阈值电压(VIN与COM之间) | 3.0 - VDD | V | |
| VIN(OFF) | 输入关断阈值电压 | 0 - 0.6 | V |
| 消隐时间(防止桥臂短路) | 2 | μs | |
| fPWM | PWM开关频率 | 15 | kHz |
八、设计注意事项
8.1 自举电路参数
自举电路元件的参数取决于PWM算法。对于15 kHz的开关频率,文档中给出了典型的参数示例。
8.2 抗干扰措施
- 在Motion SPM和MCU的每个输入处使用RC耦合((R{5}) 和 (C{5}) 以及 (C_{4})),可防止浪涌噪声导致的错误信号。
- PCB布局中,粗线应短而厚,以减小电路的杂散电感,降低浪涌电压。旁路电容器(如 (C{1})、(C{2}) 和 (C_{3}))应具有良好的高频特性,以吸收高频纹波电流。
8.3 温度测量
在SPM 5封装的散热片顶部(如果适用,在SPM 5封装和散热片之间)连接热电偶,以获得正确的温度测量值。
九、总结
Onsemi的FSB50550BB Motion SPM 5模块是一款功能强大、性能优越的逆变器模块,适用于小功率交流电机驱动。在设计应用电路时,工程师需要根据其技术参数和设计注意事项进行合理的布局和连接,以确保模块的正常运行和系统的可靠性。你在使用这款模块时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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