FSB50550US Motion SPM® 5 系列模块:高性能逆变器解决方案
在电子工程师的工作中,寻找高性能、可靠的逆变器解决方案是一项重要任务。今天,我们就来深入了解一下 FSB50550US Motion SPM® 5 系列模块,看看它能为我们带来哪些独特的优势。
文件下载:FSB50550USCN-D.pdf
产品背景与整合信息
飞兆半导体的 FSB50550US 如今已成为安森美半导体(ON Semiconductor)的一部分。由于系统整合需求,部分飞兆可订购的零件编号需要更改,原编号中的下划线(_)将改为破折号(-),大家可到安森美半导体网站核实更新后的器件编号,最新的订购信息也能在该网站找到。
特性亮点
电气与保护特性
- 认证与参数:该模块通过 UL 第 E209204 号认证(UL1557),采用 500V (R_{DS(on)}=1.4 Omega)(最大值)的 FRFET MOSFET 三相逆变器,具备栅极驱动器和保护功能。其低端 MOSFET 的三个独立开源引脚可用于三相电流感测,高电平有效接口适用于 3.3 / 5 V 逻辑电平,采用施密特触发脉冲输入。
- 电磁干扰优化:针对低电磁干扰进行了优化设计,这对于对电磁环境要求较高的应用场景非常重要,能有效减少干扰对其他设备的影响。
- HVIC 应用:配备用于栅极驱动和欠压保护的 HVIC,绝缘等级达到 (1500 V_{rms}) 分钟,湿度敏感等级(MSL)为 3,并且符合 RoHS 标准,在环保和可靠性方面表现出色。
封装与订购信息
| 器件标识 | 器件 | 封装 | 卷尺寸 | 包装类型 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| FSB50550US | FSB50550US | SPM5H - 023 | 330 mm | 卷带和卷盘 | 450 |
性能参数
绝对最大额定值
- 逆变器部分:单个 MOSFET 的漏极 - 源极电压 (V{DSS}) 额定值为 500V,在不同温度下的漏极持续电流有所不同,如 (T{C}=25°C) 时为 2.0A,(T{C}=80°C) 时为 1.5A,漏极峰值电流 (I{DP}) 在 (T{C}=25°C)、(PW < 100 μs) 时为 5.0A,最大功耗 (P{D}) 在 (T_{C}=25°C) 时为 14.5W。
- 控制部分:控制电源电压 (V{CC}) 额定值为 20V,高端偏压 (V{BS}) 为 20V,输入信号电压 (V{IN}) 范围是 -0.3 ~ (V{CC} + 0.3) V。
- 热阻与温度范围:结点 - 壳体的热阻 (R{θJC}) 为 8.6 °C/W,工作结温 (T{J}) 范围是 -40 ~ 150 °C,存储温度 (T{STG}) 范围是 -50 ~ 150 °C,绝缘电压 (V{ISO}) 为 1500 (V_{rms})。
电气特性
- 逆变器部分:漏极 - 源极击穿电压 (BV{DSS}) 为 500V,击穿电压温度系数 (Delta BV{DSS} / Delta T{J}) 为 0.53 V,零栅极电压漏极电流 (I{DSS}) 最大为 250 μA,漏极至源极静态导通电阻 (R{DS(on)}) 典型值为 1.0 Ω,最大值为 1.4 Ω,漏极 - 源极二极管正向电压 (V{SD}) 最大为 1.2 V,开关时间 (t{ON}) 典型值为 600 ns,(t{OFF}) 为 500 ns,反向恢复时间 (t{rr}) 为 100 ns,开通能量 (E{ON}) 为 60 μJ,关断能量 (E_{OFF}) 为 10 μJ。
- 控制部分:(V{CC}) 静态电流 (I{QCC}) 最大为 160 μA,(V{BS}) 静态电流 (I{QBS}) 最大为 100 μA,低端和高端欠压保护检测电平 (UV{CCD}) 和 (UV{BSD}) 范围是 7.4 - 9.4 V,复位电平 (UV{CCR}) 和 (UV{BSR}) 范围是 8.0 - 9.8 V,导通阈值电压 (V{IH}) 为 3.0 V,关断阈值电压 (V{IL}) 为 0.8 V,输入偏置电流 (I{IH}) 最大为 20 μA,(I{IL}) 最大为 2 μA。
推荐工作条件
电源电压 (V{PN}) 范围是 300 - 400 V,控制电源电压 (V{CC}) 和高端偏压 (V{BS}) 范围是 13.5 - 16.5 V,输入导通阈值电压 (V{IN(ON)}) 为 3.0 - (V{CC}) V,输入关断阈值电压 (V{IN(OFF)}) 为 0 - 0.6 V,防止桥臂直通的死区时间 (t{dead}) 为 1.0 μs,PWM 开关频率 (f{PWM}) 为 15 kHz。
引脚描述
该模块共有 23 个引脚,每个引脚都有其特定的功能,如 COM 为 IC 公共电源接地,V B(U) 为 U 相高端 MOSFET 驱动的偏压等。在设计电路时,需要准确了解每个引脚的作用,以确保模块的正常工作。
应用与注意事项
应用场景
FSB50550US 主要应用于小功率交流电机驱动器的三相逆变器驱动,为交流感应、无刷直流电机和 PMSM 电机提供高性能逆变器输出平台。
注意事项
- 在使用过程中,要注意每个低端 MOSFET 的源极端子与 Motion SPM® 5 中的电源接地或偏压接地不连接,外部连接需按照规定进行。
- 推荐的自举二极管 D1 应具有软关断和快速恢复特性,额定电压为 600 V,自举电路的参数取决于 PWM 算法。
- 印刷电路板图形中的粗线应尽量短且粗,以减少电路中的寄生电感,旁路电容 (C{1})、(C{2}) 和 (C_{3}) 应具有良好的高频特性,以吸收高频纹波电流。
总结
FSB50550US Motion SPM® 5 系列模块凭借其丰富的特性、出色的性能参数和广泛的应用场景,为电子工程师提供了一个可靠的逆变器解决方案。在实际设计中,我们需要充分了解其各项参数和注意事项,以确保设计的电路能够稳定、高效地运行。大家在使用过程中有没有遇到过什么问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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