FSB70250 Motion SPM® 7 系列模块:交流电机驱动的高性能解决方案
在电子工程领域,交流电机驱动系统的设计是一个关键且复杂的任务。今天,我们来深入了解一款先进的模块——FSB70250 Motion SPM® 7 系列,它为交流感应、无刷直流电机和 PMSM 电机提供了全面的高性能逆变器输出平台。
文件下载:FSB70250CN-D.pdf
一、产品背景与注意事项
飞兆半导体已被安森美半导体(ON Semiconductor)整合。由于安森美半导体产品管理系统无法处理带有下划线(_)的部件命名,原飞兆部件编号中的下划线将改为破折号(-)。大家可通过安森美半导体官网(www.onsemi.com)核实更新后的器件编号。
安森美半导体对产品保留随时更改的权利,不承担产品适用性的保证和应用相关的责任。同时,其产品不适合用于生命支持系统、FDA 3 类医疗设备等特定应用。
二、FSB70250 Motion SPM® 7 系列特性
(一)认证与封装
该模块通过 UL 第 E209204 号认证(UL1557),采用高性能 PQFN 封装。这种封装不仅在性能上有保障,而且在实际应用中便于安装和布局。
(二)核心参数
- 具备 500V (R_{DS(on)}=3.4 Omega)(最大值)的 FRFET MOSFET 三相逆变器,带有栅极驱动器和保护功能。这使得它在处理高电压和大电流时表现出色,能够有效保护电路。
- 低端 MOSFET 的三个独立开源引脚用于三相电流感测,高电平有效接口可用于 3.3 / 5 V 逻辑电平,施密特触发脉冲输入,针对低电磁干扰进行了优化。这一设计有助于提高系统的稳定性和抗干扰能力。
- 内置于 HVIC 的温度感测功能,以及用于栅极驱动、互锁功能和欠压保护的 HVIC,绝缘等级达到 (1500 V_{rms}) 分钟,湿度敏感等级(MSL)3,符合 RoHS 标准。这些特性保证了模块在不同环境下的可靠运行。
三、应用领域
FSB70250 主要应用于小功率交流电机驱动器的三相逆变器驱动。在实际应用中,它能为电机提供稳定的驱动输出,满足电机的高效运行需求。
四、封装标识与定购信息
| 器件标识 | 器件 | 封装 | 卷尺寸 | 卷带宽度 | 数量 |
|---|---|---|---|---|---|
| FSB70250 | FSB70250 | PQFN27A | 13’’ | 24 mm | 1000 个 |
工程师们在订购时可根据这些信息准确选择所需产品。
五、绝对最大额定值
(一)逆变器部分
| 符号 | 参数 | 工作条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| V DSS | 单个 MOSFET 的漏极 - 源极电压 | 500 | V | |
| *I D 25 | 单个 MOSFET 的漏极持续电流 | T CB = 25°C (注 1 ) | 3.3 | A |
| *I D 80 | 单个 MOSFET 的漏极持续电流 | T CB = 80°C | 2.5 | A |
| *I DP | 单个 MOSFET 的漏极峰值电流 | T CB = 25°C, PW < 100 μs | 6.7 | A |
| *P D | 最大功耗 | T CB = 25°C ,单个 MOSFET | 81 | W |
注:标记为 “ * “ 的为计算值或设计因素,TCB 是壳体底部的垫片温度。
(二)控制部分
| 符号 | 参数 | 工作条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| V DD | 控制电源电压 | 施加在 V DD 和 COM 之间 | 20 | V |
| V BS | 高端偏压 | 施加在 V B 和 V S 之间 | 20 | V |
| V IN | 输入信号电压 | 施加在 IN 和 COM 之间 | -0.3 ~ V DD + 0.3 | V |
| V FO | 故障输出电源电压 | 施加在 FO 和 COM 之间 | -0.3 ~ V DD + 0.3 | V |
| I FO | 故障输出电流 | 灌电流 FO 引脚 | 5 | mA |
| V CSC | 电流感测输入电压 | 施加在 Csc 和 COM 之间 | -0.3 ~ V DD + 0.3 | V |
(三)整个系统
| 符号 | 参数 | 工作条件 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| T J | 工作结温 | -40 ~ 150 | °C | |
| T STG | 存储温度 | -40 ~ 125 | °C | |
| V ISO | 绝缘电压 | 60 Hz ,正弦波形, 1 分钟,连接陶瓷基板到引脚 | 1500 | V rms |
这些额定值为工程师在设计电路时提供了重要的参考,确保系统在安全范围内运行。
六、引脚描述
| 引脚号 | 引脚名 | 引脚描述 |
|---|---|---|
| 1 | /FO | 故障输出 |
| 2 | V TS | 以电压形式输出的 HVIC 温度 |
| 3 | Cfod | 用于故障输出持续时间的电容 |
| 4 | Csc | 短路电流感测输入电容(低通滤波器) |
| 5 | V DD | 驱动 IC 和 MOSFET 的电源偏置电压 |
| 6 | IN_UH | 高端 U 相的信号输入 |
| 7 | IN_VH | 高端 V 相的信号输入 |
| 8 (8a) | COM | 公共电源接地 |
| 9 | IN_WH | 高端 W 相的信号输入 |
| 10 | IN_UL | 低端 U 相的信号输入 |
| 11 | IN_VL | 低端 V 相的信号输入 |
| 12 | IN_WL | 低端 W 相的信号输入 |
| 13 | Nu | U 相的直流输入负端 |
| 14 | U | U 相输出 |
| 15 | Nv | V 相的直流输入负端 |
| 16 | V | V 相输出 |
| 17 | W | W 相输出 |
| 18 | Nw | W 相的直流输入负端 |
| 19 | V S(W) | W 相 MOSFET 驱动的高端偏压接地 |
| 20 | P W | W 相的直流输入正端 |
| 21 | P V | V 相的直流输入正端 |
| 22 | P U | U 相的直流输入正端 |
| 23 (23a) | V S(V) | V 相 MOSFET 驱动的高端偏压接地 |
| 24 (24a) | V S(U) | U 相 MOSFET 驱动的高端偏压接地 |
| 25 | V B(U) | U 相 MOSFET 驱动的高端偏压 |
| 26 | V B(V) | V 相 MOSFET 驱动的高端偏压 |
| 27 | V B(W) | W 相 MOSFET 驱动的高端偏压 |
了解引脚功能对于正确连接和使用模块至关重要,工程师们在设计电路时要仔细对照引脚描述进行操作。
七、电气特性
(一)逆变器部分
| 符号 | 参数 | 工作条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BV DSS | 漏极 - 源极击穿电压 | V IN = 0 V, I D = 1 mA (注 1 ) | 500 | - | - | V |
| I DSS | 零栅极电压漏极电流 | V IN = 0 V, V DS = 500 V | - | - | 1 | mA |
| R DS(on) | 漏极至源极静态导通电阻 | V DD = V BS = 15 V, V IN = 5 V, I D = 1.0 A | - | 2.5 | 3.4 | |
| V SD | 漏极 - 源极二极管正向电压 | V DD = V BS = 15 V, V IN = 0 V, I D = -1.0 A | - | 0.9 | 1.2 | V |
| t ON | 开关时间 | V PN = 300 V, V DD = V BS = 15 V, I D = 1.0 A V IN = 0 V 5 V, 电感负载 L = 3 mH 低端 MOSFET 开关 (注 2 ) | - | 720 | - | ns |
| t D(ON) | - | 660 | - | ns | ||
| t OFF | - | 520 | - | ns | ||
| t D(OFF) | - | 460 | - | ns | ||
| I rr | - | 1.1 | - | A | ||
| t rr | - | 145 | - | ns | ||
| E ON | - | 75 | - | μJ | ||
| E OFF | - | 7 | - | μJ |
注:(BV{DSS}) 是 Motion SPM® 7 产品中的单个 MOSFET 的漏极和源极端子之间的绝对最大额定电压,考虑到寄生电感,(V{PN}) 应远低于该值;(t{ON}) 和 (t{OFF}) 包括内部驱动 IC 的传输延迟,实际应用中数值会因印刷电路板和布线差异而不同。
(二)控制部分
| 符号 | 参数 | 工作条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| I QDD | V DD 静态电流 | V DD =15 V, V IN =0 V | - | 1.7 | 3.0 | mA |
| I QBS | V BS 静态电流 | V BS =15 V, V IN =0 V | - | 45 | 70 | μA |
| I PDD | V DD 工作电流 | V DD =15 V , F PWM =20 kHz , duty=50% , PWM 信号低端输入 | - | 1.9 | 3.2 | mA |
| I PBS | V BS 工作电流 | V BS =15 V , F PWM =20 kHz , duty=50% , PWM 信号高端输入 | - | 300 | 400 | μA |
| UV DDD | 低端欠压保护(图 6 ) | V DD 欠压保护检测电平 | 7.4 | 8.0 | 9.4 | V |
| UV DDR | V DD 欠压保护复位电平 | 8.0 | 8.9 | 9.8 | V | |
| UV BSD | 高端欠压保护(图 7 ) | V BS 欠压保护检测电平 | 7.4 | 8.0 | 9.4 | V |
| UV BSR | V BS 欠压保护复位电平 | 8.0 | 8.9 | 9.8 | V | |
| V TS | HVIC 温度感测电压输出 | V DD =15 V, T HVIC =25°C (注 3 ) | 580 | 675 | 770 | mV |
| V IH | 导通阈值电压 | 逻辑高电平 | - | - | 2.4 | V |
| V IL | 关断阈值电压 | 逻辑低电平 | 0.8 | - | - | V |
| V SC(ref) | 短路电流保护触发电平 | V DD =15 V | 0.45 | 0.5 | 0.55 | V |
| t FOD | 故障输出脉宽 | C FOD =33 nF (注 4 ) | 1.0 | 1.4 | 1.8 | ms |
注:(V{TS}) 只能用作模块的温度感测,不能自动关闭 MOSFETs;故障输出脉宽 (t{FOD}) 取决于电容 (C{FOD}) 的值,可采用近似公式 (C{FOD}=24 ×10^{-6} ×t_{FOD}) [F] 计算。
八、推荐工作条件
| 符号 | 参数 | 工作条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| V PN | 电源电压 | 施加在 P 和 N 之间 | - | 300 | 400 | V |
| V DD | 控制电源电压 | 施加在 V DD 和 COM 之间 | 13.5 | 15.0 | 16.5 | V |
| V BS | 高端偏压 | 施加在 V B 和 V S 之间 | 13.5 | 15.0 | 16.5 | V |
| dV DD /dt, dV BS /dt | 控制电源波动 | -1.0 | - | 1.0 | V/μs | |
| t dead | 防止桥臂直通的死区时间 | V DD = V BS = 13.5 ~ 16.5 V, T J 150°C | 500 | - | - | ns |
| f PWM | PWM 开关频率 | T J 150°C | - | 15 | - | kHz |
这些推荐工作条件有助于工程师优化电路设计,确保模块在最佳状态下运行。
九、热阻
| 符号 | 参数 | 工作条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| R θJCB | 结点 - 壳体底部的热阻 | 单个 MOSFET 工作条件下 (注 1 ) | - | 1.2 | - | °C/W |
注:(R_{θJCB}) 是根据应用电路板布局得出的模拟值,可参考用户指导手册 SPM7 系列。
十、总结
FSB70250 Motion SPM® 7 系列模块凭借其高性能、全面的保护功能和优化的设计,为交流电机驱动系统提供了可靠的解决方案。工程师们在使用该模块时,要充分了解其各项参数和特性,结合实际应用需求进行合理设计。大家在实际应用中有没有遇到过类似模块的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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