FGY100T120RWD IGBT：高效能电力开关的理想之选

引言

在电子工程领域，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为一种重要的功率半导体器件，广泛应用于电机控制、UPS、数据中心等众多领域。今天，我们就来深入了解一款性能卓越的IGBT产品——FGY100T120RWD。

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产品概述

FGY100T120RWD采用了新颖的场截止第7代IGBT技术和Gen7二极管，封装形式为TO247 - 3L。这种组合使得该产品在各种应用中都能实现高效运行，具备低传导损耗和良好的开关可控性。

产品特性

低损耗与优化开关

FGY100T120RWD具有低传导损耗，能够有效降低能量损耗，提高系统效率。同时，其优化的开关特性使得开关过程更加稳定和高效。

高结温能力

该产品的最大结温可达175°C，这意味着它能够在高温环境下稳定工作，适应各种恶劣的工作条件。

正温度系数

正温度系数特性使得多个FGY100T120RWD器件可以轻松并联运行，提高系统的功率处理能力。

高电流能力

具备高电流能力，能够满足高功率应用的需求。

动态测试与短路额定

所有产品都经过100%动态测试，并且具有短路额定能力，提高了产品的可靠性和稳定性。

RoHS合规

符合RoHS标准，环保性能良好。

应用领域

电机控制

在电机控制领域，FGY100T120RWD的低损耗和良好的开关特性能够提高电机的运行效率和控制精度。

UPS

对于UPS系统，该产品的高可靠性和高电流能力能够确保系统在紧急情况下稳定供电。

高功率开关应用

适用于各种需要高功率开关的通用应用场景。

关键参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
集电极 - 发射极电压	VCES	1200	V
栅极 - 发射极电压	VGES	±20	V
瞬态栅极 - 发射极电压		±30	V
集电极电流（TC = 25°C）	IC	200	A
集电极电流（TC = 100°C）		100	A
功率耗散（TC = 25°C）	PD	1071	W
功率耗散（TC = 100°C）		535	W
脉冲集电极电流（TC = 25°C, tp = 10 s）	ICM	300	A
二极管正向电流（TC = 25°C）	IF	200	A
二极管正向电流（TC = 100°C）		100	A
脉冲二极管正向电流（TC = 25°C, tp = 10 s）	IFM	300	A
短路耐受时间（VGE = 15 V, VCC = 600 V, TC = 150°C）	TSC	5	s
工作结温和存储温度范围	TJ, TSTG	-55 to 175	°C
焊接用引脚温度	TL	260	°C

电气特性

IGBT电气特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
集电极 - 发射极击穿电压	BVCES	VGE = 0 V, IC = 5 mA	1200	-	-	V
击穿电压温度系数	BVCES / TJ	VGE = 0 V, IC = 5 mA	-	1221	-	mV/°C
集电极 - 发射极截止电流	ICES	VGE = 0 V, VCE = VCES	-	-	40	μA
栅极 - 发射极泄漏电流	IGES	VGE = 20 V, VCE = 0 V	-	-	±400	nA
栅极 - 发射极阈值电压	VGE(TH)	VGE = VCE, IC = 100 mA	4.9	5.92	6.7	V
集电极 - 发射极饱和电压（TJ = 25°C）	VCE(SAT)	VGE = 15 V, IC = 100 A	1.15	1.43	1.75	V
集电极 - 发射极饱和电压（TJ = 175°C）		VGE = 15 V, IC = 100 A	-	1.66	-	V
输入电容	CIES	VCE = 30 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz	-	12200	-	pF
输出电容	COES		-	392	-	pF
反向传输电容	CRES		-	44.2	-	pF
总栅极电荷	QG	VCE = 600 V, VGE = 15 V, IC = 100 A	-	427	-	nC
栅极到发射极电荷	QGE		-	108	-	nC
栅极到集电极电荷	QGC		-	161	-	nC
开通延迟时间（IC = 50 A, TJ = 25°C）	td(on)	VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7	-	74	-	ns
关断延迟时间（IC = 50 A, TJ = 25°C）	td(off)		-	464	-	ns
上升时间（IC = 50 A, TJ = 25°C）	tr		-	45	-	ns
下降时间（IC = 50 A, TJ = 25°C）	tf		-	196	-	ns
开通开关损耗（IC = 50 A, TJ = 25°C）	Eon		-	3.43	-	mJ
关断开关损耗（IC = 50 A, TJ = 25°C）	Eoff		-	4.54	-	mJ
总开关损耗（IC = 50 A, TJ = 25°C）	Ets		-	7.97	-	mJ
开通延迟时间（IC = 100 A, TJ = 25°C）	td(on)	VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7	-	80	-	ns
关断延迟时间（IC = 100 A, TJ = 25°C）	td(off)		-	364	-	ns
上升时间（IC = 100 A, TJ = 25°C）	tr		-	85	-	ns
下降时间（IC = 100 A, TJ = 25°C）	tf		-	180	-	ns
开通开关损耗（IC = 100 A, TJ = 25°C）	Eon		-	8.13	-	mJ
关断开关损耗（IC = 100 A, TJ = 25°C）	Eoff		-	7.05	-	mJ
总开关损耗（IC = 100 A, TJ = 25°C）	Ets		-	15.18	-	mJ
开通延迟时间（IC = 50 A, TJ = 175°C）	td(on)	VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7	-	70	-	ns
关断延迟时间（IC = 50 A, TJ = 175°C）	td(off)		-	536	-	ns
上升时间（IC = 50 A, TJ = 175°C）	tr		-	50	-	ns
下降时间（IC = 50 A, TJ = 175°C）	tf		-	348	-	ns
开通开关损耗（IC = 50 A, TJ = 175°C）	Eon		-	5.58	-	mJ
关断开关损耗（IC = 50 A, TJ = 175°C）	Eoff		-	6.83	-	mJ
总开关损耗（IC = 50 A, TJ = 175°C）	Ets		-	12.41	-	mJ
开通延迟时间（IC = 100 A, TJ = 175°C）	td(on)	VCE = 600 V, VGE = 15 V, RG = 4.7	-	78	-	ns
关断延迟时间（IC = 100 A, TJ = 175°C）	td(off)		-	412	-	ns
上升时间（IC = 100 A, TJ = 175°C）	tr		-	93	-	ns
下降时间（IC = 100 A, TJ = 175°C）	tf		-	316	-	ns
开通开关损耗（IC = 100 A, TJ = 175°C）	Eon		-	12.00	-	mJ
关断开关损耗（IC = 100 A, TJ = 175°C）	Eoff		-	10.30	-	mJ
总开关损耗（IC = 100 A, TJ = 175°C）	Ets		-	22.30	-	mJ

二极管特性

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
二极管正向电压（TJ = 25°C）	VF	IF = 100 A	1.46	1.80	2.08	V
二极管正向电压（TJ = 175°C）		IF = 100 A	-	1.90	-	V
反向恢复时间（IF = 50 A, TJ = 25°C）	trr	VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs	-	256	-	ns
反向恢复电荷（IF = 50 A, TJ = 25°C）	Qrr		-	3140	-	nC
反向恢复能量（IF = 50 A, TJ = 25°C）	Erec		-	1	-	mJ
峰值反向恢复电流（IF = 50 A, TJ = 25°C）	IRRM		-	24.5	-	A
反向恢复时间（IF = 100 A, TJ = 25°C）	trr	VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs	-	347	-	ns
反向恢复电荷（IF = 100 A, TJ = 25°C）	Qrr		-	4408	-	nC
反向恢复能量（IF = 100 A, TJ = 25°C）	Erec		-	2	-	mJ
峰值反向恢复电流（IF = 100 A, TJ = 25°C）	IRRM		-	25.8	-	A
反向恢复时间（IF = 50 A, TJ = 175°C）	trr	VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs	-	424	-	ns
反向恢复电荷（IF = 50 A, TJ = 175°C）	Qrr		-	8610	-	nC
反向恢复能量（IF = 50 A, TJ = 175°C）	Erec		-	4	-	mJ
峰值反向恢复电流（IF = 50 A, TJ = 175°C）	IRRM		-	40.8	-	A
反向恢复时间（IF = 100 A, TJ = 175°C）	trr	VR = 600 V, dIF/dt = 500 A/μs	-	572	-	ns
反向恢复电荷（IF = 100 A, TJ = 175°C）	Qrr		-	12476	-	nC
反向恢复能量（IF = 100 A, TJ = 175°C）	Erec		-	5	-	mJ
峰值反向恢复电流（IF = 100 A, TJ = 175°C）	IRRM		-	43.6	-	A

典型特性

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括输出特性、转移特性、饱和电压特性、电容特性、栅极电荷特性、安全工作区特性等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解FGY100T120RWD在不同工作条件下的性能表现。

机械封装

该产品采用TO - 247 - 3LD封装，文档中详细给出了封装的尺寸信息。同时，需要注意的是，该封装不遵循任何标准，所有尺寸单位为毫米，且尺寸不包括毛刺、模具飞边和连接条突出部分。

总结

FGY100T120RWD IGBT凭借其低损耗、高结温、高电流能力等优秀特性，在电机控制、UPS等众多领域具有广阔的应用前景。电子工程师在设计相关电路时，可以根据其详细的参数和特性，合理选择和使用该产品，以实现系统的高效、稳定运行。大家在实际应用中，是否遇到过类似IGBT产品的选型和使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。