FGY100T120SWD IGBT:高效能功率器件的技术剖析
在电子工程领域,功率器件的性能对于各种应用的效率和稳定性起着至关重要的作用。今天,我们来深入剖析一款备受关注的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)——FGY100T120SWD,看看它在技术上有哪些独特之处。
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产品概述
FGY100T120SWD采用了新型的场截止第7代IGBT技术和Gen7二极管,封装形式为TO247 3 - 引脚。这种组合使得该器件在多种应用中,如太阳能、UPS(不间断电源)和ESS(储能系统)等,能够实现高效运行,同时具备低开关损耗和导通损耗的优势。
关键特性
温度性能
其最大结温TJ可达175°C,这使得它能够在较高的温度环境下稳定工作。同时,正温度系数特性有利于实现轻松的并联操作,提高了系统的灵活性和可靠性。
电流能力
具有高电流能力,在不同温度条件下都能提供可观的电流输出。例如,在TC = 25°C时,集电极电流IC可达200 A;在TC = 100°C时,IC为100 A。脉冲集电极电流ICM在TC = 25°C、tP = 10 s时可达400 A。
开关性能
开关过程平滑且经过优化,开关损耗低。在不同的测试条件下,如VCE = 600 V、VGE = 0/15 V、IC = 50 A、RG = 4.7、TJ = 25°C时,开通延迟时间td(on)为46.4 ns,关断延迟时间td(off)为209.6 ns等。
环保特性
该器件符合RoHS标准,体现了其在环保方面的优势。
电气参数
最大额定值
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压 | VCES | 1200 | V |
| 栅极 - 发射极电压 | VGES | ±20 | V |
| 瞬态栅极 - 发射极电压 | - | ±30 | V |
| 集电极电流(TC = 25°C) | IC | 200 | A |
| 集电极电流(TC = 100°C) | IC | 100 | A |
| 功率耗散(TC = 25°C) | PD | 866 | W |
| 功率耗散(TC = 100°C) | PD | 433 | W |
| 脉冲集电极电流(TC = 25°C,tP = 10 s) | ICM | 400 | A |
| 二极管正向电流(TC = 25°C) | IF | 200 | A |
| 二极管正向电流(TC = 100°C) | IF | 100 | A |
| 脉冲二极管最大正向电流(TC = 25°C,tP = 10 s) | IFM | 400 | A |
| 工作结温和存储温度范围 | TJ, TSTG | -55 至 +175 | °C |
| 焊接用引脚温度 | TL | 260 | °C |
热特性
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| IGBT结 - 壳热阻 | RJC | 0.17 | °C/W |
| 二极管结 - 壳热阻 | - | 0.29 | °C/W |
| 结 - 环境热阻 | RJA | 40 | °C/W |
电气特性
关断特性
- 集电极 - 发射极击穿电压BVCES在VGE = 0 V、IC = 5 mA时为1200 V。
- 集电极 - 发射极击穿电压温度系数为1222 mV/°C。
- 零栅极电压集电极电流ICES在VGE = 0 V、VCE = VCES时为40 A。
- 栅极 - 发射极泄漏电流IGES在VGE = 20 V、VCE = 0 V时为±400 nA。
导通特性
- 栅极阈值电压VGE(TH)在VGE = VCE、IC = 100 mA时,最小值为5.6 V,典型值为6.55 V,最大值为7.4 V。
- 集电极 - 发射极饱和电压VCE(SAT)在VGE = 15 V、IC = 100 A、TJ = 25°C时,最小值为1.35 V,典型值为1.69 V,最大值为2.0 V;在TJ = 175°C时为2.26 V。
动态特性
- 输入电容CIES在VGE = 0 V、VCE = 30 V、f = 1 MHz时为8489 pF。
- 输出电容COES为320 pF。
- 反向传输电容CRES为41.4 pF。
- 总栅极电荷QG在VCE = 600 V、VGE = 15 V、IC = 100 A时为284 nC。
- 栅极 - 发射极电荷QGE为72.4 nC。
- 栅极 - 集电极电荷QGC为101 nC。
开关特性
不同测试条件下的开关时间和开关损耗都有详细的参数记录,例如在VCE = 600 V、VGE = 0/15 V、IC = 50 A、RG = 4.7、TJ = 25°C时,开通开关损耗Eon为3.1 mJ,关断开关损耗Eoff为1.6 mJ,总开关损耗Ets为4.7 mJ。
典型特性曲线
文档中提供了多个典型特性曲线,包括输出特性、传输特性、饱和特性、电容特性、栅极电荷特性等。这些曲线直观地展示了器件在不同条件下的性能表现,对于工程师进行电路设计和性能评估非常有帮助。例如,通过输出特性曲线可以了解集电极电流IC与集电极 - 发射极电压VCE之间的关系,以及不同栅极电压VGE对其的影响。
封装与订购信息
FGY100T120SWD采用TO - 247 - 3LD封装,每管30个单位。引脚连接明确,方便工程师进行电路布局和连接。
应用建议
考虑到FGY100T120SWD的特性,它非常适合用于太阳能系统中的升压和逆变器、UPS以及储能系统等应用。在实际设计中,工程师需要根据具体的应用需求,结合器件的参数和特性曲线,合理选择工作条件和外围电路,以充分发挥器件的性能优势。
总之,FGY100T120SWD是一款性能优异的IGBT器件,在高效能功率应用中具有很大的潜力。作为电子工程师,我们在使用该器件时,要充分了解其技术特点和参数,确保设计出稳定、高效的电路系统。大家在实际应用中有没有遇到过类似器件的使用问题呢?欢迎在评论区分享交流。
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