onsemi FGH40T120SMD系列IGBT:高效能开关的理想之选
在电子工程领域,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是功率电子设备中至关重要的元件,广泛应用于各种硬开关应用场景。今天,我们就来深入了解一下安森美(onsemi)推出的FGH40T120SMD、FGH40T120SMD - F155这两款1200V、40A的场截止沟槽IGBT。
文件下载:FGH40T120SMD-D.PDF
产品概述
安森美采用创新的场截止沟槽IGBT技术,为太阳能逆变器、UPS、电焊机和PFC等硬开关应用提供了最佳性能解决方案。这一系列IGBT具有多种特性,能满足不同应用场景的需求。
产品特性
封装形式
采用TO - 247 - 3LD封装,具体有CASE 340CK和CASE 340CH两种类型。这种封装形式在散热和安装方面具有一定优势,方便工程师进行电路板布局。
先进技术
运用FS沟槽技术,具有正温度系数,这使得IGBT在不同温度环境下能保持稳定的性能,避免因温度变化导致的性能波动。
高速开关
具备高速开关特性,能够快速响应控制信号,减少开关损耗,提高系统效率。
低饱和电压
在(I{C}=40 A)时,(V{CE(sat)} = 1.8 V),低饱和电压意味着在导通状态下功率损耗较低,能有效降低系统发热,提高能源利用效率。
高输入阻抗
高输入阻抗可以减少驱动电路的功率损耗,降低对驱动电路的要求,简化设计过程。
环保特性
这些器件为无铅产品,符合RoHS标准,响应了环保要求,同时也满足了市场对绿色电子产品的需求。
标记与订购信息
产品标记包含了特定的信息,如安森美标志、组装工厂代码、日期代码、批次代码和特定设备代码等。订购信息可在数据手册第2页的封装尺寸部分查看详细内容。
绝对最大额定值
| 在使用IGBT时,必须严格遵守绝对最大额定值,以确保器件的安全和可靠性。以下是一些关键参数: | 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压 | (V_{CES}) | 1200 | V | |
| 栅极 - 发射极电压 | (V_{GES}) | ±25 | V | |
| 瞬态栅极 - 发射极电压 | ±30 | V | ||
| 集电极电流((T_{C}=25^{circ}C)) | (I_{C}) | 80 | A | |
| 集电极电流((T_{C}=100^{circ}C)) | 40 | A | ||
| 钳位电感负载电流((T_{C}=25^{circ}C)) | (I_{LM}) | 160 | A | |
| 脉冲集电极电流 | (I_{CM}) | 160 | A | |
| 二极管连续正向电流((T_{C}=25^{circ}C)) | (I_{F}) | 80 | A | |
| 二极管连续正向电流((T_{C}=100^{circ}C)) | 40 | A | ||
| 二极管最大正向电流 | (I_{FM}) | 240 | A | |
| 最大功耗((T_{C}=25^{circ}C)) | (P_{D}) | 555 | W | |
| 最大功耗((T_{C}=100^{circ}C)) | 277 | W | ||
| 工作结温 | (T_{J}) | -55 to +175 | °C | |
| 储存温度范围 | (T_{stg}) | -55 to +175 | °C | |
| 焊接用最大引脚温度(距外壳1/8”,5秒) | (T_{L}) | 300 | °C |
超过这些额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
热特性
| 热特性对于IGBT的性能和寿命至关重要。以下是相关参数: | 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| IGBT结 - 壳热阻 | (R_{JC(IGBT)}) | - | 0.27 | °C/W | |
| 二极管结 - 壳热阻 | (R_{JC(Diode)}) | 0.89 | - | °C/W | |
| 结 - 环境热阻 | (R_{JA}) | - | 40 | °C/W |
了解这些热阻参数,有助于工程师合理设计散热系统,确保IGBT在正常温度范围内工作。
电气特性
IGBT电气特性
- 关断特性:包括集电极 - 发射极击穿电压、集电极截止电流和栅极 - 发射极泄漏电流等参数,这些参数反映了IGBT在关断状态下的性能。
- 导通特性:如栅极 - 发射极阈值电压和集电极 - 发射极饱和电压,这些参数影响IGBT在导通状态下的功耗和性能。
- 动态特性:涵盖输入电容、输出电容、反向传输电容、开关延迟时间、上升时间、下降时间和开关损耗等参数,这些参数对于评估IGBT的开关速度和效率至关重要。
二极管电气特性
主要包括二极管正向电压、反向恢复时间、峰值反向恢复电流和反向恢复电荷等参数,这些参数影响二极管在电路中的性能和可靠性。
典型性能特性
数据手册中提供了一系列典型性能特性曲线,如输出特性、饱和电压特性、电容特性、开关特性等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解IGBT在不同工作条件下的性能表现,从而优化电路设计。
机械封装尺寸
详细给出了TO - 247 - 3LD CASE 340CH和TO - 247 - 3LD SHORT LEAD CASE 340CK两种封装的尺寸信息,包括各个尺寸的最小值、标称值和最大值。工程师在进行电路板设计时,需要根据这些尺寸信息合理安排IGBT的安装位置。
总结
安森美FGH40T120SMD系列IGBT凭借其先进的技术、优异的性能和环保特性,为硬开关应用提供了可靠的解决方案。在实际设计中,工程师需要根据具体的应用需求,结合产品的各项特性和参数,合理选择和使用IGBT,以确保系统的性能和可靠性。你在使用IGBT的过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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