FDS89141 双 N 沟道屏蔽栅 PowerTrench® MOSFET 深度解析
在电子工程师的日常设计工作中,MOSFET 是经常会用到的关键器件。今天我们就来详细剖析一下 FDS89141 双 N 沟道屏蔽栅 PowerTrench® MOSFET,看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。
文件下载:FDS89141-D.pdf
一、产品背景与变更说明
Fairchild Semiconductor 已被 ON Semiconductor 整合。由于 ON Semiconductor 产品管理系统无法处理带有下划线(_)的零件命名,Fairchild 部分可订购的零件编号中的下划线将改为破折号(-)。大家可通过 ON Semiconductor 网站验证更新后的器件编号,最新的订购信息可在 www.onsemi.com 上查询。若对系统集成有疑问,可发邮件至 Fairchild_questions@onsemi.com。
二、FDS89141 特性
2.1 先进技术
采用了屏蔽栅 MOSFET 技术和高性能沟槽技术,极大地降低了导通电阻 (r{DS(on)})。在 (V{GS}=10V),(I{D}=3.5A) 时,最大 (r{DS(on)}=62mΩ);在 (V{GS}=6V),(I{D}=2.8A) 时,最大 (r_{DS(on)}=100mΩ)。这种低导通电阻的特性,能有效减少功率损耗,提高系统效率。
2.2 高功率与电流处理能力
该 MOSFET 能够在广泛使用的表面贴装封装中处理高功率和大电流,并且经过了 100% UIL 测试,确保了产品的可靠性。同时,它还符合 RoHS 标准,满足环保要求。
三、产品描述
FDS89141 是一款 N 沟道 MOSFET,采用了 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺,并结合了屏蔽栅技术。这种工艺在导通电阻、开关性能和坚固性方面都进行了优化,能为电路设计提供更稳定的性能。
四、应用领域
4.1 同步整流
在电源电路中,同步整流技术可以提高电源的效率。FDS89141 的低导通电阻和良好的开关性能,使其非常适合用于同步整流电路,能够有效降低整流损耗。
4.2 桥式拓扑的初级开关
在桥式拓扑电路中,初级开关需要具备快速的开关速度和高功率处理能力。FDS89141 能够满足这些要求,确保桥式电路的稳定运行。
五、参数解读
5.1 最大额定值
| 符号 | 参数 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | 漏源电压 | 100 | V |
| (V_{GS}) | 栅源电压 | ±20 | V |
| (I_{D}) | 连续漏极电流 | 3.5 | A |
| (I_{D})(脉冲) | 18 | A | |
| (E_{AS}) | 单脉冲雪崩能量 | 37 | mJ |
| (P_{D})((T_A = 25°C),注 1a) | 功率耗散 | 31 | W |
| (P_{D})((T_A = 25°C),注 1b) | 1.6 | W | |
| (TJ),(T{STG}) | 工作和存储结温范围 | -55 至 +150 | °C |
5.2 热特性
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| (R_{θJC}) | 结到壳的热阻 | 40 | °C/W |
| (R_{θJA}) | 结到环境的热阻(注 1a) | 78 | °C/W |
5.3 电气特性
包括关断特性、导通特性、动态特性、开关特性和漏源二极管特性等。例如,在 (V{GS}=10V),(I{D}=3.5A) 时,静态漏源导通电阻 (r{DS(on)}) 为 47 - 62 mΩ;输入电容 (C{iss}) 在 (V{DS}=50V),(V{GS}=0V),(f = 1MHz) 时为 299 - 398 pF 等。这些参数对于电路设计和性能评估非常重要,工程师们需要根据具体的应用场景来选择合适的参数。
六、典型特性曲线
文档中给出了多个典型特性曲线,如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解 FDS89141 在不同工作条件下的性能表现,从而优化电路设计。例如,通过观察归一化导通电阻与结温的关系曲线,我们可以预测在不同温度环境下 MOSFET 的导通电阻变化情况,进而评估电路的功率损耗。
七、注意事项
7.1 应用限制
ON Semiconductor 产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA 3 类医疗设备或具有相同或类似分类的外国医疗设备,以及任何用于人体植入的设备。如果购买或使用这些产品用于未预期或未授权的应用,买家需承担相关责任。
7.2 参数验证
“典型”参数在不同应用中可能会有所变化,实际性能也可能随时间变化。因此,所有工作参数,包括“典型值”,都必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。
7.3 技术支持与订购信息
如果大家在使用 FDS89141 过程中遇到问题或需要更多信息,可以通过以下方式获取支持:
- 北美技术支持:800 - 282 - 9855(美国/加拿大免费)
- 欧洲、中东和非洲技术支持:电话 421 33 790 2910
- 日本客户服务中心:电话 81 - 3 - 5817 - 1050
- ON Semiconductor 网站:www.onsemi.com
- 订购文献:http://www.onsemi.com/orderlit
大家在实际设计中是否遇到过 MOSFET 选型和应用的难题呢?欢迎在评论区分享你的经验和问题。希望通过对 FDS89141 的介绍,能帮助大家在电子设计中更好地选择和使用这款 MOSFET。
-
MOSFET
+关注
关注
151文章
10759浏览量
234828 -
电子设计
+关注
关注
42文章
2870浏览量
49916
发布评论请先 登录
FDS89141 双 N 沟道屏蔽栅 PowerTrench® MOSFET 深度解析
评论