FDD86102LZ N - 通道屏蔽栅PowerTrench® MOSFET深度解析

在电子工程领域，MOSFET作为重要的功率器件，其性能和特性对电路设计起着关键作用。今天我们就来详细探讨一下FDD86102LZ这款N - 通道屏蔽栅PowerTrench® MOSFET。

文件下载：FDD86102LZ-D.pdf

一、公司背景与产品编号变更

Fairchild现已成为ON Semiconductor的一部分。由于系统要求，部分Fairchild可订购的产品编号需要更改，具体是将Fairchild产品编号中的下划线（_）改为破折号（ - ）。大家在使用时可到ON Semiconductor官网（www.onsemi.com）核实更新后的器件编号。

二、FDD86102LZ MOSFET特性

（一）技术特点

采用屏蔽栅MOSFET技术，优化了导通电阻和开关损耗。在不同栅源电压和漏极电流条件下，导通电阻表现出色：在(V{GS}=10V)，(I{D}=8A)时，最大(r{DS(on)} = 22.5mΩ)；在(V{GS}=4.5V)，(I{D}=7A)时，最大(r{DS(on)} = 31mΩ)。

（二）ESD保护

HBM ESD保护水平典型值大于6 kV，通过在栅源之间添加齐纳二极管增强了ESD电压水平。

（三）电气性能

与竞争的沟槽技术相比，具有非常低的(Q{g})和(Q{gd})，开关速度快，且经过100% UIL测试，符合RoHS标准。

三、产品参数

（一）最大额定值

参数	数值
漏源电压(V_{DS})	100 V
栅源电压(V_{GS})	±20 V
连续漏极电流（(T{C}=25^{circ}C)）(I{D})	35 A
脉冲漏极电流	40 A
单脉冲雪崩能量(E_{AS})	84 mJ
功率耗散（(T{C}=25^{circ}C)）(P{D})	54 W
工作和存储结温范围(T{J}, T{STG})	- 55 至 +150 °C

（二）热特性

参数	数值
结到外壳热阻(R_{θJC})	2.3 °C/W
结到环境热阻(R_{θJA})（特定条件）	40 °C/W

（三）电气特性

1. 关断特性：如漏源击穿电压(BV{DSS})在(I{D}=250μA)，(V_{GS}=0V)时为100 V。
2. 导通特性：栅源阈值电压(V{GS(th)})在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250μA)时，范围为1.0 - 3.0 V。
3. 动态特性：输入电容(C{iss})在(V{DS}=50V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1MHz)时，范围为1157 - 1540 pF。
4. 开关特性：开通延迟时间(t_{d(on)})在特定测试条件下为6.6 - 14 ns。
5. 漏源二极管特性：源漏二极管正向电压(V_{SD})在不同电流下有相应的取值范围。

四、典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，这些曲线直观地展示了该MOSFET在不同条件下的性能表现。例如，导通电阻与漏极电流、栅源电压以及结温的关系曲线，能帮助工程师更好地了解器件在不同工况下的导通电阻变化情况，从而在设计电路时做出更合理的选择。

五、应用领域

FDD86102LZ适用于DC - DC转换、逆变器和同步整流等应用场景。在这些应用中，其低导通电阻和快速开关速度的特性能够有效提高电路的效率和性能。

六、注意事项

ON Semiconductor对产品有明确的限制和责任声明。产品不适合用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备等关键应用。所有“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，客户需要由技术专家对每个应用的所有工作参数进行验证。

大家在使用FDD86102LZ进行电路设计时，一定要充分考虑上述特性和参数，结合实际应用需求，合理选择和使用该器件，以确保电路的性能和可靠性。你在使用MOSFET过程中有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享。