安森美 NTJD4401N 和 NVJD4401N 双 N 沟道小信号 MOSFET 深度解析

在电子设备的设计中，MOSFET 是关键的基础元件，其性能直接影响着整个系统的稳定性和效率。安森美（onsemi）推出的 NTJD4401N 和 NVJD4401N 双 N 沟道小信号 MOSFET，凭借其出色的特性和广泛的应用场景，成为了众多工程师的首选。下面，我们就来深入了解一下这两款 MOSFET。

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产品概述

NTJD4401N 和 NVJD4401N 采用 SC - 88（SOT - 363）封装，具有小尺寸（2 x 2 mm）的特点，能够有效节省电路板空间。它们是 N 沟道器件，具备 ESD 保护功能，且栅极电荷低，有助于降低功耗和提高开关速度。其中，NVJD4401N 还通过了 AEC - Q101 认证，并具备 PPAP 能力，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的领域。同时，这两款器件均为无铅产品，符合 RoHS 标准。

关键参数

最大额定值

参数	条件	符号	值	单位
漏源电压	(T_{J}=25^{circ}C)	(V_{DSS})	20	V
栅源电压	(T_{J}=25^{circ}C)	(V_{GS})	±12	V
连续漏极电流（基于 (R_{BA})）	稳态，(T_{A}=25^{circ}C)	(I_{D})	0.63	A
	稳态，(T_{A}=85^{circ}C)	(I_{D})	0.46	A
功耗（基于 (R_{JA})）	稳态，(T_{A}=25^{circ}C)	(P_{D})	0.27	W
	稳态，(T_{A}=85^{circ}C)	(P_{D})	0.14	W
连续漏极电流（基于 (R_{BL})）	稳态，(T_{A}=25^{circ}C)	(I_{D})	0.91	A
	稳态，(T_{A}=85^{circ}C)	(I_{D})	0.65	A
功耗（基于 (R_{JJL})）	稳态，(T_{A}=25^{circ}C)	(P_{D})	0.55	W
	稳态，(T_{A}=85^{circ}C)	(P_{D})	0.29	W
脉冲漏极电流	(tleq10 mu s)	(I_{DM})	±1.2	A
工作结温和存储温度	-	(T{J}, T{STG})	-55 至 150	(^{circ}C)
连续源极电流（体二极管）	-	(I_{S})	0.63	A
焊接用引脚温度（距外壳 1/8"，10 s）	-	(T_{L})	260	(^{circ}C)

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：(V{GS}=0 V)，(I{D}=250 mu A) 时，(V_{(BR)DSS}) 最小值为 20 V，典型值为 27 V。
• 零栅压漏极电流：(V{GS}=0 V)，(V{DS}=16 V) 时，(I_{DSS}) 最大值为 1.0 (mu A)。
• 栅源泄漏电流：(V{DS}=0 V)，(V{GS}=±12 V) 时，(I_{GSS}) 最大值为 10 (mu A)。

导通特性

• 栅极阈值电压：(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250 mu A) 时，(V{GS(TH)}) 最小值为 0.6 V，典型值为 0.92 V，最大值为 1.5 V，且温度系数为 -2.1 mV/ (^{circ}C)。
• 漏源导通电阻：(V{GS}=4.5 V)，(I{D}=0.63 A) 时，(R{DS(on)}) 典型值为 0.29 (Omega)，最大值为 0.375 (Omega)；(V{GS}=2.5 V)，(I{D}=0.40 A) 时，(R{DS(on)}) 典型值为 0.36 (Omega)，最大值为 0.445 (Omega)。
• 正向跨导：(V{DS}=4.0 V)，(I{D}=0.63 A) 时，(g_{FS}) 典型值为 2.0 S。

电荷和电容特性

• 输入电容：(V{GS}=0 V)，(f = 1.0 MHz)，(V{DS}=20 V) 时，(C_{ISS}) 典型值为 33 pF，最大值为 46 pF。
• 输出电容：典型值为 13 pF，最大值为 22 pF。
• 反向传输电容：典型值为 2.8 pF，最大值为 5.0 pF。
• 总栅极电荷：(V{GS}=4.5 V)，(V{DS}=10 V)，(I{D}=0.63 A) 时，(Q{G(TOT)}) 典型值为 1.3 nC，最大值为 3.0 nC。

开关特性

在 (V{GS}=4.5 V)，(V{DD}=10 V)，(I{D}=0.5 A)，(R{G}=20 Omega) 的条件下，开启延迟时间 (t{d(ON)}) 为 0.083 (mu s)，上升时间 (t{r}) 为 0.227 (mu s)，关断延迟时间 (t{d(OFF)}) 为 0.786 (mu s)，下降时间 (t{f}) 为 0.506 (mu s)。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：(V{GS}=0 V)，(I{S}=0.23 A)，(T{J}=25^{circ}C) 时，(V{SD}) 典型值为 0.76 V，最大值为 1.1 V；(T_{J}=125^{circ}C) 时，典型值为 0.63 V。
• 反向恢复时间：(V{GS}=0 V)，(dI{S}/dt = 100 A/mu s)，(I{S}=0.63 A) 时，(t{RR}) 为 0.410 (mu s)。

热阻额定值

参数	符号	典型值	最大值	单位
结到环境热阻（稳态）	(R_{theta JA})	400	458	(^{circ}C/W)
结到引脚（漏极）热阻（稳态）	(R_{theta JL})	194	252	(^{circ}C/W)

应用场景

这两款 MOSFET 适用于多种应用场景，如负载功率开关、锂离子电池供电设备（如手机、媒体播放器、数码相机、个人数字助理等）以及 DC - DC 转换等。在这些应用中，它们能够凭借自身的低导通电阻、低栅极电荷和 ESD 保护等特性，为系统提供高效、稳定的性能。

订购信息

器件	封装	包装
NTJD4401NT1G	SC - 88（无铅）	3000 / 卷带封装
NVJD4401NT1G	SC - 88（无铅）	3000 / 卷带封装

总结

安森美 NTJD4401N 和 NVJD4401N 双 N 沟道小信号 MOSFET 以其出色的性能和广泛的应用场景，为电子工程师提供了一个可靠的选择。在实际设计中，工程师需要根据具体的应用需求，合理选择器件，并注意其最大额定值和电气特性，以确保系统的稳定性和可靠性。同时，对于热阻等参数也需要进行充分的考虑，以避免因过热导致器件性能下降或损坏。大家在使用这两款 MOSFET 时，有没有遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。