Onsemi NTJS4405N和NVJS4405N MOSFET：小信号领域的卓越之选

在电子设计中，MOSFET是常用的功率开关器件，其性能直接影响到电路的效率和稳定性。Onsemi推出的NTJS4405N和NVJS4405N型号的N沟道小信号MOSFET，凭借其出色的特性和广泛的应用场景，成为了电子工程师们的得力助手。

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产品特性

先进的平面技术

采用先进的平面技术，实现了快速开关和低导通电阻（$R_{DS(on)}$）。这一特性使得MOSFET在开关过程中能够迅速响应，减少开关损耗，提高电路的效率。例如，在一些对开关速度要求较高的应用中，这种快速开关特性可以有效降低能量损耗，延长电池的使用寿命。

高效节能

较高的效率能够有效延长电池的使用寿命，这对于依靠电池供电的设备来说尤为重要。在一些便携式设备中，如移动电源、蓝牙耳机等，高效的MOSFET可以减少电池的能耗，从而延长设备的使用时间。

汽车级认证

NVJS4405N通过了AEC - Q101认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这意味着该型号的MOSFET可以满足汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。在汽车电子系统中，如电池管理系统、车载充电器等，需要器件具备高可靠性和稳定性，NVJS4405N正好满足了这些需求。

环保合规

这些器件是无铅的，并且符合RoHS标准，符合现代电子设备对环保的要求。在环保意识日益增强的今天，使用环保合规的器件可以减少对环境的污染，同时也符合相关法规的要求。

应用场景

升降压转换器

在升降压转换器中，NTJS4405N和NVJS4405N可以作为开关元件，实现电压的转换和调节。其快速开关特性和低导通电阻能够提高转换器的效率，减少能量损耗。

负载开关

作为负载开关，MOSFET可以控制电路的通断，实现对负载的有效管理。在一些需要频繁开关负载的电路中，NTJS4405N和NVJS4405N的快速响应和低损耗特性可以提高系统的稳定性和可靠性。

电池保护

在电池保护电路中，MOSFET可以起到过流、过压保护的作用。当电池出现异常情况时，MOSFET可以迅速切断电路，保护电池和其他电子元件的安全。

关键参数

最大额定值

符号	额定值	条件	值	单位
$V_{DSS}$	漏源电压		25	V
$V_{GS}$	栅源电压	±8.0
$I_{D}$	漏极电流	t < 5s，$T_{A}=25^{circ}C$	1.2	A
$I_{D}$	连续漏极电流（稳态）	$T_{A}=25^{circ}C$	1.0	A
		$T_{A}=75^{circ}C$	0.80
$P_{D}$	功率耗散（稳态）		0.63	W
$P_{D}$	功率耗散（t ≤ 5s）		0.89	W
$I_{DM}$	脉冲漏极电流	$t_{p} = 10 μs$	3.7	A
$T{J}, T{STG}$	工作结温和存储温度		-55 to +150	°C
$I_{S}$	源极电流（体二极管）		0.8	A
$T_{L}$	焊接引脚温度（距外壳1/8"，10s）		260	°C
	ESD额定值 - 机器模型		25	V

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压$V{(BR)DSS}$：在$V{GS} = 0 V$，$I_{D} = 250 μA$时，为25 V。
• 漏源击穿电压温度系数$V{(BR)DSS}/T{J}$：为30 mV/°C。
• 零栅压漏极电流$I{DSS}$：在$V{GS} = 0 V$，$V{DS} = 20 V$，$T{J} = 125^{circ}C$时，为10 μA。
• 栅源泄漏电流$I{GSS}$：在$V{DS} = 0 V$，$V_{GS} = 8.0 V$时，为100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压$V{GS(TH)}$：在$V{GS} = V{DS}$，$I{D} = 250 μA$时，典型值为0.65 - 1.5 V。
• 负阈值温度系数$V{GS(TH)}/T{J}$：为 - 2.0 mV/°C。
• 漏源导通电阻$R{DS(on)}$：在不同的$V{GS}$和$I{D}$条件下有不同的值，例如在$V{GS} = 4.5 V$，$I_{D} = 0.6 A$时，典型值为249 mΩ。
• 正向跨导$g{FS}$：在$V{DS} = 5.0 V$，$I_{D} = 0.5 A$时，为0.5 S。

电荷和电容特性

• 输入电容$C{ISS}$：在$V{GS} = 0 V$，$f = 1.0 MHz$，$V_{DS} = 10 V$时，典型值为49 - 60 pF。
• 输出电容$C_{OSS}$：典型值为22.4 - 30 pF。
• 反向传输电容$C_{RSS}$：典型值为8.0 - 12 pF。
• 总栅极电荷$Q{G(TOT)}$：在$V{GS} = 4.5 V$，$V{DS} = 5.0 V$，$I{D} = 0.95 A$时，典型值为0.75 - 1.5 nC。
• 阈值栅极电荷$Q_{G(TH)}$：为0.10 nC。
• 栅源电荷$Q_{GS}$：典型值为0.30 - 0.50 nC。
• 栅漏电荷$Q_{GD}$：典型值为0.20 - 0.40 nC。

开关特性

• 开启延迟时间$t_{d(ON)}$：典型值为6.0 - 12 ns。
• 上升时间$t_{r}$：典型值为4.7 - 8.0 ns。
• 关断延迟时间$t_{d(OFF)}$：典型值为25 - 35 ns。
• 下降时间$t_{f}$：典型值为41 - 60 ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压$V{SD}$：在$V{GS} = 0 V$，$I{S} = 0.6 A$，$T{J} = 25^{circ}C$时，典型值为0.82 - 1.20 V。

封装和订购信息

封装

采用SC - 88封装，尺寸为2.00x1.25x0.90，引脚间距为0.65P。这种封装尺寸小巧，适合用于对空间要求较高的应用场景。

订购信息

器件	封装	包装
NTJS4405NT1G	SC - 88（无铅）	3,000 / 卷带包装
NVJS4405NT1G	SC - 88（无铅）	3,000 / 卷带包装

总结

Onsemi的NTJS4405N和NVJS4405N MOSFET以其先进的技术、出色的性能和广泛的应用场景，为电子工程师提供了一个优秀的选择。在实际设计中，工程师们可以根据具体的应用需求，合理选择和使用这些MOSFET，以实现电路的高效、稳定运行。你在使用这些MOSFET的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。