Onsemi NTJS4405N和NVJS4405N MOSFET：小信号N沟道器件的卓越之选

在电子设计领域，MOSFET作为关键的半导体器件，广泛应用于各种电路中。Onsemi推出的NTJS4405N和NVJS4405N这两款小信号N沟道MOSFET，凭借其出色的性能和特性，成为众多工程师的优选。下面我们就来详细了解一下这两款器件。

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一、产品特性

先进技术与高效性能

这两款MOSFET采用了先进的平面技术，具备快速开关和低导通电阻（(R_{DS(on)})）的特点。快速开关特性使得在高频电路中能够迅速响应，减少开关损耗；低导通电阻则有助于降低功率损耗，提高电路效率，进而延长电池寿命，这对于依赖电池供电的设备尤为重要。

汽车级标准与环保设计

NVJS4405N通过了AEC - Q101认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力，适用于汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。同时，这两款器件均为无铅产品，符合RoHS标准，体现了环保理念。

二、应用领域

电源转换

在升压和降压转换器中，NTJS4405N和NVJS4405N能够高效地实现电压转换，为电路提供稳定的电源。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高转换效率，减少能量损耗。

负载开关

作为负载开关，它们可以灵活地控制电路中负载的通断，实现对电源的有效管理。在需要频繁开关负载的应用中，能够快速响应，确保电路的稳定运行。

电池保护

在电池保护电路中，这两款MOSFET可以起到过流、过压等保护作用，防止电池因异常情况而损坏，延长电池的使用寿命。

三、电气参数

最大额定值

参数	条件	数值	单位
(V_{DSS})（漏源电压）	-	25	V
(V_{GS})（栅源电压）	-	±8.0	V
(I_{D})（漏极电流）	(t < 5s)，(T_{A}=25^{circ}C)	1.2	A
(I_{D})（连续漏极电流）	稳态，(T_{A}=25^{circ}C)	1.0	A
(I_{D})（连续漏极电流）	稳态，(T_{A}=75^{circ}C)	0.80	A
(P_{D})（功率耗散）	稳态	0.63	W
(P_{D})（功率耗散）	(t ≤ 5s)	0.89	W
(I_{DM})（脉冲漏极电流）	(t_{p} = 10 μs)	3.7	A
(T{J}, T{STG})（工作结温和存储温度）	-	-55 to +150	°C
(I_{S})（源极电流，体二极管）	-	0.8	A
(T_{L})（焊接时引脚温度）	1/8" 从管壳，10 s	260	°C
ESD Rating - Machine Model	-	25	V

电气特性

关断特性

• (V{(BR)DSS})（漏源击穿电压）：在(V{GS} = 0 V)，(I_{D} = 250 μA)时为25 V。
• (V{(BR)DSS}/T{J})（漏源击穿电压温度系数）：30 mV/°C。
• (I{DSS})（零栅压漏极电流）：在(V{GS} = 0 V)，(V{DS} = 20 V)，(T{J} = 125^{circ}C)时为10 μA。
• (I{GSS})（栅源泄漏电流）：在(V{DS} = 0 V)，(V_{GS} = 8.0 V)时为100 nA。

导通特性

• (V{GS(TH)})（栅极阈值电压）：在(V{GS} = V{DS})，(I{D} = 250 μA)时，典型值为0.65 - 1.5 V。
• (V{GS(TH)}/T{J})（负阈值温度系数）： - 2.0 mV/°C。
• (R{DS(on)})（漏源导通电阻）：在不同的(V{GS})和(I{D})条件下有不同的值，例如在(V{GS} = 4.5 V)，(I_{D} = 0.6 A)时，典型值为249 mΩ，最大值为350 mΩ。
• (g{FS})（正向跨导）：在(V{DS} = 5.0 V)，(I_{D} = 0.5 A)时为0.5 S。

电荷和电容特性

• (C{ISS})（输入电容）：在(V{GS} = 0 V)，(f = 1.0 MHz)，(V_{DS} = 10 V)时，典型值为49 - 60 pF。
• (C_{OSS})（输出电容）：典型值为22.4 - 30 pF。
• (C_{RSS})（反向传输电容）：典型值为8.0 - 12 pF。
• (Q{G(TOT)})（总栅极电荷）：在(V{GS} = 4.5 V)，(V{DS} = 5.0 V)，(I{D} = 0.95 A)时，典型值为0.75 - 1.5 nC。
• (Q_{G(TH)})（阈值栅极电荷）：典型值为0.10 nC。
• (Q_{GS})（栅源电荷）：典型值为0.30 - 0.50 nC。
• (Q_{GD})（栅漏电荷）：典型值为0.20 - 0.40 nC。

开关特性

• (t_{d(ON)})（导通延迟时间）：典型值为6.0 - 12 ns。
• (t_{r})（上升时间）：典型值为4.7 - 8.0 ns。
• (t_{d(OFF)})（关断延迟时间）：典型值为25 - 35 ns。
• (t_{f})（下降时间）：典型值为41 - 60 ns。

漏源二极管特性

(V{SD})（正向二极管电压）：在(V{GS} = 0 V)，(I{S} = 0.6 A)，(T{J} = 25^{circ}C)时，典型值为0.82 - 1.20 V。

四、封装与订购信息

封装

这两款器件采用SC - 88封装，尺寸为2.00x1.25x0.90，引脚间距为0.65P。这种封装形式体积小巧，适合在空间有限的电路板上使用。

订购信息

器件型号	封装	包装
NTJS4405NT1G	SC - 88（无铅）	3,000 / 卷带
NVJS4405NT1G	SC - 88（无铅）	3,000 / 卷带

五、总结

Onsemi的NTJS4405N和NVJS4405N MOSFET以其先进的技术、出色的性能和广泛的应用领域，为电子工程师提供了一个可靠的选择。在设计电路时，工程师可以根据具体的应用需求，合理选择这两款器件，以实现高效、稳定的电路设计。同时，通过了解其电气参数和特性，能够更好地发挥器件的性能，提高电路的整体性能。

在实际应用中，你是否遇到过类似MOSFET的使用问题？你是如何解决的呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。