onsemi FDPF17N60NT：高性能N沟道MOSFET的卓越之选

在电子工程领域，MOSFET作为关键的半导体器件，广泛应用于各类电子设备中。今天，我们将深入探讨onsemi推出的FDPF17N60NT这款N沟道MOSFET，了解它的特性、应用及性能表现。

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产品概述

FDPF17N60NT属于onsemi的UniFET II MOSFET家族，该家族基于先进的平面条纹和DMOS技术打造。这种先进技术使得UniFET II MOSFET在平面MOSFET中拥有最小的导通电阻，同时具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源ESD二极管让该MOSFET能够承受超过2 kV的HBM浪涌应力。这款器件适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器等。

产品特性

低导通电阻

在(V{GS}=10 V)，(I{D}=8.5 A)的条件下，典型导通电阻(R_{DS(on)})为290 mΩ，最大导通电阻在600 V时为340 mΩ @ 10 V。低导通电阻有助于降低功耗，提高电源效率。

低栅极电荷

典型栅极电荷为48 nC，低栅极电荷可以减少开关过程中的能量损耗，提高开关速度。

低(C_{rss})

典型(C{rss})为23 pF，较低的(C{rss})能够改善开关性能，减少开关损耗。

100%雪崩测试

经过100%雪崩测试，保证了器件在雪崩情况下的可靠性和稳定性。

改进的dv/dt能力

具备改进的dv/dt能力，能够更好地应对电压变化，提高系统的抗干扰能力。

RoHS合规

符合RoHS标准，环保性能良好，满足相关环保要求。

应用领域

显示设备

适用于LCD/LED/PDP电视，为其电源系统提供高效稳定的功率转换。

照明领域

可用于各类照明设备，如电子灯镇流器，提高照明系统的效率和可靠性。

不间断电源

在不间断电源（UPS）中发挥重要作用，确保电源的稳定供应。

AC - DC电源

用于AC - DC电源转换，实现高效的电压转换和功率输出。

产品参数

最大额定值

参数	数值	单位
漏源电压(V_{DSS})	600	V
栅源电压(V_{GS})	±30	V
连续漏极电流（(T{C}=25^{circ}C)）(I{D})	17	A
连续漏极电流（(T{C}=100^{circ}C)）(I{D})	10.2	A
脉冲漏极电流(I_{DM})	68	A
单脉冲雪崩能量(E_{AS})	838	mJ
雪崩电流(I_{AR})	17	A
重复雪崩能量(E_{AR})	24.5	mJ
峰值二极管恢复dv/dt(dv/dt)	10	V/ns
功率耗散（(T{C}=25^{circ}C)）(P{D})	62.5	W
25°C以上降额系数	0.5	W/°C
工作和存储温度范围(T{J}, T{STG})	- 55 to +150	°C
焊接时最大引脚温度（距外壳1/8”，5秒）(T_{L})	300	°C

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压(B{VDS})：在(I{D}=250 A)，(V{GS}=0 V)，(T{C}=25^{circ}C)条件下为600 V。
• 击穿电压温度系数(B{VDS}/T{J})：在(I_{D}=250 A)，参考25°C时为0.8 V/°C。
• 零栅压漏极电流(I{DSS})：在(V{DS}=600 V)，(V{GS}=0 V)时最大为1 μA；在(V{DS}=480 V)，(V{GS}=0 V)，(T{C}=150^{circ}C)时为10 μA。
• 栅体泄漏电流(I{GSS})：在(V{GS}=±30 V)，(V_{DS}=0 V)时最大为±100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压(V_{GS(th)})：范围为3.0 - 5.0 V。
• 静态漏源导通电阻(R{DS(on)})：在(V{GS}=10 V)，(I_{D}=8.5 A)时，典型值为0.29 Ω，最大值为0.34 Ω。

动态特性

• 输入电容(C{iss})：在(V{DS}=25 V)，(V_{GS}=0 V)，(f = 1 MHz)条件下，典型值为2285 pF，最大值为3040 pF。
• 输出电容(C_{oss})：典型值为310 pF，最大值为410 pF。
• 反向传输电容(C_{rss})：典型值为23 pF，最大值为35 pF。
• 10 V时的总栅极电荷(Q{g(tot)})：在(V{DS}=480 V)，(I{D}=17 A)，(V{GS}=10 V)条件下，典型值为48 nC，最大值为65 nC。
• 栅源栅极电荷(Q_{gs})：典型值为13 nC。
• 栅漏“米勒”电荷(Q_{gd})：典型值为20 nC。

开关特性

• 导通延迟时间(t{d(on)})：在(V{DD}=300 V)，(I{p}=17 A)，(V{Gs}=10 V)，(R_{G}=25 Ω)条件下，典型值为48 ns，最大值为106 ns。
• 导通上升时间(t_{r})：典型值为79 ns，最大值为168 ns。
• 关断延迟时间(t_{d(off)})：典型值为128 ns，最大值为266 ns。
• 关断下降时间(t_{f})：典型值为62 ns，最大值为134 ns。

漏源二极管特性

• 最大连续漏源二极管正向电流(I_{S})：为74 A。
• 最大脉冲漏源二极管正向电流(I_{SM})：为68 A。
• 漏源二极管正向电压(V{SD})：在(V{Gs}=0V)，(I_{sp}=17A)时为1.4 V。
• 反向恢复时间(t{r})：在(V{Gs}=0 V)，(I{sp}=17 A)，(dl{p}/dt = 100 A/μs)条件下为575 ns。
• 反向恢复电荷(Q_{r})：为7.2 μC。

典型性能特性

文档中给出了多个典型性能特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随壳温的变化以及瞬态热响应曲线等。这些曲线直观地展示了器件在不同条件下的性能表现，为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。

机械封装

FDPF17N60NT采用TO - 220 Fullpack，3 - Lead / TO - 220F - 3SG封装，文档中详细给出了封装的尺寸信息，包括各个尺寸的具体数值和公差要求。同时，还提供了两种封装选项，分别为带支撑针孔和不带支撑针孔。

总结

onsemi的FDPF17N60NT N沟道MOSFET凭借其低导通电阻、低栅极电荷、低(C_{rss})等优异特性，以及广泛的应用领域和良好的性能表现，成为电子工程师在开关电源转换器设计中的理想选择。在实际应用中，工程师可以根据具体的设计需求，结合器件的参数和性能特性，合理选择和使用该器件，以实现高效、稳定的电路设计。你在使用这款MOSFET时，有没有遇到过一些特殊的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。