深入解析 onsemi NTS4101P P 沟道 MOSFET

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率器件，广泛应用于各类电路中。今天我们来详细探讨 onsemi 的 NTS4101P P 沟道 MOSFET，了解它的特点、参数以及应用场景。

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产品概述

NTS4101P 是 onsemi 推出的一款 P 沟道功率 MOSFET，采用 SC - 70 表面贴装封装，具有小巧的尺寸（2x2 mm），适合对空间要求较高的应用。它具备 -20 V 的耐压能力和 -1.37 A 的连续漏极电流，能够满足多种低电压应用的需求。

产品特点

低导通电阻

采用领先的 -20 V 沟槽技术，实现了低导通电阻 (R{DS(on)})，可以有效降低功率损耗，提高电路效率。例如，在 (V{GS} = -4.5 V) 时，典型导通电阻仅为 83 mΩ。

低电压栅极驱动

额定电压为 -2.5 V，适用于低电压栅极驱动电路，能够与低电压系统兼容，为设计带来更多的灵活性。

小尺寸封装

SC - 70 表面贴装封装，占用空间小，适合用于对尺寸有严格要求的设备，如手机、数码相机和 PDA 等。

应用场景

高端负载开关

可用于控制负载的通断，实现对电路的有效管理，提高系统的稳定性和可靠性。

充电电路

在电池充电电路中，NTS4101P 可以精确控制充电电流和电压，保护电池免受过度充电的损害。

单电池应用

适用于单电池供电的设备，如手机、数码相机和 PDA 等，为这些设备提供稳定的电源管理。

关键参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	-20	V
栅源电压	(V_{GS})	±8	V
连续漏极电流（(T_{A}=25^{circ}C)）	(I_{D})	-1.37	A
连续漏极电流（(T_{A}=70^{circ}C)）	(I_{D})	-0.62	A
功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）	(P_{D})	0.329	W
脉冲漏极电流	(I_{DM})	-4.0	A
工作结温和存储温度	(T{J}, T{STG})	-55 至 150	°C
引线焊接温度（1/8" 从外壳 10 s）	(T_{L})	260	°C

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS} = 0 V)，(I_{D} = -250 μA) 时，最小值为 -20 V，典型值为 -24.5 V。
• 漏源击穿电压温度系数 (V{(BR)DSS}/T{J})：为 -13.7 mV/°C。
• 零栅压漏极电流 (I{DSS})：在 (V{GS} = 0 V)，(T{J} = 25 °C)，(V{DS} = -16 V) 时，最大值为 -1.0 μA；在 (T_{J} = 70 °C) 时，最大值为 -5.0 μA。
• 栅源泄漏电流 (I{GSS})：在 (V{DS} = 0 V)，(V_{GS} = ±8 V) 时，最大值为 ±100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压 (V{GS(TH)})：在 (V{GS} = V{DS})，(I{D} = -250 μA) 时，最小值为 -0.45 V，典型值为 -0.64 V，最大值为 -1.5 V。
• 负阈值温度系数 (V{GS(TH)}/T{J})：为 2.7 mV/°C。
• 漏源导通电阻 (R{DS(on)})：在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 条件下有不同的值，例如在 (V{GS} = -4.5 V)，(I_{D} = -1.0 A) 时，典型值为 83 mΩ，最大值为 120 mΩ。
• 正向跨导 (G{FS})：在 (V{DS} = -5.0 V)，(I_{D} = -1.3 A) 时，典型值为 5.2 S。

电荷和电容特性

• 输入电容 (C{ISS})：在 (V{GS} = 0 V)，(f = 1.0 MHz)，(V_{DS} = -20 V) 时，典型值为 840 pF。
• 输出电容 (C_{OSS})：典型值为 125 pF。
• 反向传输电容 (C_{RSS})：典型值为 85 pF。
• 总栅极电荷 (Q{G(TOT)})：在 (V{GS} = -4.5 V)，(V{DS} = -4.5 V)，(I{D} = -1.0 A) 时，典型值为 9.0 nC。

开关特性

• 导通延迟时间 (t{d(ON)})：在 (V{GS} = -4.5 V)，(V_{DD} = -4.0 V) 时，典型值为 12 ns。
• 上升时间 (t{r})：在 (I{D} = -1.0 A)，(R_{G} = 6.2 Ω) 时，典型值为 14.9 ns。
• 关断延迟时间 (t_{d(OFF)})：典型值为 26 ns。
• 下降时间 (t_{f})：典型值为 18 ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压 (V{SD})：在 (V{GS} = 0 V)，(I{S} = -0.3 A)，(T{J} = 25 °C) 时，典型值为 -0.61 V；在 (T_{J} = 125 °C) 时，典型值为 -0.5 V。
• 反向恢复时间 (t{rr})：在 (V{GS} = 0 V)，(dI{SD}/dt = 100 A/μs)，(I{S} = -1.0 A) 时，典型值为 10.9 ns。

封装信息

NTS4101P 采用 SC - 70（SOT - 323）封装，其引脚分配为：引脚 1 为栅极（GATE），引脚 2 为源极（SOURCE），引脚 3 为漏极（DRAIN）。封装尺寸如下：	尺寸	毫米（最小值 - 标称值 - 最大值）	英寸（最小值 - 标称值 - 最大值）
A	0.80 - 0.90 - 1.00	0.032 - 0.035 - 0.040
A1	0.00 - 0.05 - 0.10	0 - 0.002 - 0.004
A2	0.70 REF	0.028 BSC
b	0.30 - 0.35 - 0.40	0.012 - 0.014 - 0.016
C	0.10 - 0.18 - 0.25	0.004 - 0.007 - 0.010
D	1.80 - 2.00 - 2.20	0.071 - 0.080 - 0.087
E	1.15 - 1.24 - 1.35	0.045 - 0.049 - 0.053
e	1.20 - 1.30 - 1.40	0.047 - 0.051 - 0.055
el	0.65 BSC	0.026 BSC
L	0.20 - 0.38 - 0.56	0.008 - 0.015 - 0.022

注意事项

• 超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会导致损坏并影响可靠性。
• 该器件已停产，若有需求，请联系 onsemi 代表获取相关信息，最新信息可在 www.onsemi.com 上查询。

总结

NTS4101P P 沟道 MOSFET 凭借其低导通电阻、低电压栅极驱动和小尺寸封装等特点，在低电压应用中具有很大的优势。电子工程师在设计高端负载开关、充电电路和单电池应用等电路时，可以考虑使用该器件。但由于该器件已停产，在选择时需要谨慎评估供应链的稳定性。你在实际应用中是否使用过类似的 MOSFET 呢？遇到过哪些问题？欢迎在评论区分享你的经验。