深入剖析 onsemi NTZD3154N 双 N 沟道小信号 MOSFET

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的电子元件，广泛应用于各种电路中。今天我们要详细探讨的是 onsemi 公司的 NTZD3154N 双 N 沟道小信号 MOSFET，它在提升系统效率、缩小电路板空间等方面有着出色的表现。

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产品特性亮点

高效节能

NTZD3154N 具有低导通电阻（(R_{DS(on)})）的特性，这一特性能够有效降低功率损耗，从而显著提高系统的整体效率。在当今追求绿色节能的时代，这一特性对于电子设备的设计尤为重要。

低阈值电压

较低的阈值电压使得该 MOSFET 在较低的驱动电压下就能导通，这不仅降低了对驱动电路的要求，还能减少功耗，为设计带来更多的灵活性。

小巧封装

采用 1.6 x 1.6 mm 的小尺寸封装，大大节省了电路板的空间，非常适合对空间要求较高的应用场景，如手机、数码相机等便携式设备。

静电保护

其栅极具备 ESD 保护功能，能够有效防止静电对 MOSFET 的损坏，提高了产品的可靠性和稳定性。

环保设计

该产品符合 RoHS 标准，无铅、无卤且不含溴化阻燃剂（BFR），符合环保要求，体现了 onsemi 公司对环境保护的重视。

应用领域广泛

负载/电源开关

在各种电子设备中，NTZD3154N 可作为负载或电源开关使用，通过控制 MOSFET 的导通和截止，实现对负载的通断控制，确保设备的正常运行。

电源转换电路

在电源供应转换器电路中，它能够高效地实现电压转换，为设备提供稳定的电源。

电池管理

在手机、数码相机、个人数字助理（PDA）、寻呼机等设备的电池管理系统中，NTZD3154N 可以精确控制电池的充放电过程，延长电池的使用寿命。

关键参数解析

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	20	V
栅源电压	(V_{GS})	±7.0	V
连续漏极电流（稳态，(T_{A}=25^{circ}C)）	(I_{D})	540	mA
连续漏极电流（稳态，(T_{A}=85^{circ}C)）	(I_{D})	390	mA
功率耗散（稳态）	(P_{D})	250	mW
连续漏极电流（(tleq5s)，(T_{A}=25^{circ}C)）	(I_{D})	570	mA
连续漏极电流（(tleq5s)，(T_{A}=85^{circ}C)）	(I_{D})	410	mA
功率耗散（(tleq5s)）	(P_{D})	280	mW
脉冲漏极电流（(t_{p}=10mu s)）	(I_{DM})	1.5	A
工作结温和存储温度	(T{J}, T{STG})	-55 至 150	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	350	mA
焊接用引脚温度（距外壳 1/8"，10s）	(T_{L})	260	°C

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A) 时为 20V。
• 漏源击穿电压温度系数：(V{(BR)DSS}/T{J}) 为 14mV/°C。
• 零栅压漏极电流：在 (V{GS}=0V)，(T{J}=25^{circ}C)，(V{DS}=16V) 时为 1.0(mu A)；在 (T{J}=125^{circ}C) 时为 5.0(mu A)。
• 栅源泄漏电流：在 (V{DS}=0V)，(V{GS}=4.5V) 时为 5.0(mu A)。

导通特性

• 栅极阈值电压：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=250mu A) 时，最小值为 0.45V，最大值为 1.0V。
• 负阈值温度系数：(V{GS(TH)}/T{J}) 为 2.0mV/°C。
• 漏源导通电阻：在不同的 (V{GS}) 和 (I{D}) 条件下有不同的值，如 (V{GS}=4.5V)，(I{D}=540mA) 时，典型值为 0.4(Omega)，最大值为 0.55(Omega)。
• 正向跨导：(g{FS}) 在 (V{DS}=10V)，(I_{D}=540mA) 时，典型值为 1.0S。

电荷和电容特性

• 输入电容：(C{ISS}) 在 (V{GS}=0V)，(f = 1.0MHz)，(V_{DS}=16V) 时，典型值为 80pF，最大值为 150pF。
• 输出电容：(C_{OSS}) 典型值为 13pF，最大值为 25pF。
• 反向传输电容：(C_{RSS}) 典型值为 10pF，最大值为 20pF。
• 总栅极电荷：(Q_{G(TOT)}) 典型值为 1.5nC，最大值为 2.5nC。
• 阈值栅极电荷：(Q_{G(TH)}) 典型值为 0.1nC。
• 栅源电荷：(Q{GS}) 在 (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=10V)，(I{D}=540mA) 时，典型值为 0.2nC。
• 栅漏电荷：(Q_{GD}) 典型值为 0.35nC。

开关特性

在 (V{GS}=4.5V)，(V{DD}=10V)，(I{D}=540mA)，(R{G}=10Omega) 的条件下，开启延迟时间 (t{d(ON)}) 为 6.0ns，上升时间 (t{r}) 为 4.0ns，关断延迟时间 (t{d(OFF)}) 为 16ns，下降时间 (t{f}) 为 8.0ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：在 (V{GS}=0V)，(T{J}=25^{circ}C)，(I{S}=350mA) 时，典型值为 0.7V，最大值为 1.2V；在 (T{J}=125^{circ}C) 时，典型值为 0.6V。
• 反向恢复时间：在 (V{GS}=0V)，(dI{SD}/dt = 100A/mu s)，(I_{S}=350mA) 时为 6.5ns。

典型性能曲线

文档中给出了多个典型性能曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压的关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、导通电阻随温度的变化、漏源泄漏电流与电压的关系、电容随栅源或漏源电压的变化、栅源和漏源电压与总电荷的关系、电阻性开关时间随栅极电阻的变化以及二极管正向电压与电流的关系等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解 NTZD3154N 在不同条件下的性能表现，为设计提供参考。

订购信息

器件	封装	包装
NTZD3154NT1G
NTZD3154NT1H
NTZD3154NT2G	SOT - 563（无铅）	4000 / 卷带包装
NTZD3154NT2H
NTZD3154NT5H		8000 / 卷带包装
NTZD3154NT5G（已停产）	SOT - 563（无铅）	8000 / 卷带包装

需要注意的是，部分器件已停产，不建议用于新设计。如果需要相关信息，可联系 onsemi 代表获取最新信息。

机械尺寸和安装建议

该 MOSFET 采用 SOT - 563 - 6 封装，尺寸为 1.60x1.20x0.55mm，引脚间距为 0.50mm。在安装时，建议参考 onsemi 的《焊接和安装技术参考手册》（SOLDERRM/D），以确保正确的焊接和安装。

总结

NTZD3154N 双 N 沟道小信号 MOSFET 凭借其低导通电阻、低阈值电压、小尺寸封装、ESD 保护和环保设计等优点，在负载/电源开关、电源转换电路和电池管理等领域有着广泛的应用。工程师在设计时，应根据具体的应用需求，参考其最大额定值、电气特性和典型性能曲线等参数，合理选择和使用该器件。同时，要注意部分器件已停产的情况，避免在新设计中使用。希望本文能为电子工程师在使用 NTZD3154N 时提供一些有用的参考。你在实际设计中是否使用过类似的 MOSFET 呢？遇到过哪些问题？欢迎在评论区分享你的经验。