FDD86113LZ N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET：高性能功率器件的解析

在电子工程师的设计世界里，功率MOSFET一直是至关重要的器件。今天，我们就来深入探讨一款由Fairchild（现属于ON Semiconductor）推出的N - Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET——FDD86113LZ。

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一、品牌背景与系统整合

Fairchild已成为ON Semiconductor的一部分。在系统整合过程中，部分Fairchild可订购的零件编号需要更改，以满足ON Semiconductor的系统要求。由于ON Semiconductor产品管理系统无法处理带有下划线（_）的零件命名，Fairchild零件编号中的下划线将改为破折号（-）。大家可以通过ON Semiconductor网站验证更新后的器件编号，最新的订购信息可在www.onsemi.com上找到。

二、FDD86113LZ的特性

1. 先进技术

采用了屏蔽栅MOSFET技术和高性能沟槽技术，能够实现极低的导通电阻 (r{DS(on)})。在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=4.2 A) 时，最大 (r{DS(on)}=104 mΩ)；在 (V{GS}=4.5 V)，(I{D}=3.4 A) 时，最大 (r_{DS(on)}=156 mΩ)。这种低导通电阻特性可以有效降低功耗，提高系统效率，大家在设计低功耗电路时，它是不是一个不错的选择呢？

2. ESD保护

具有典型的HBM ESD保护水平 > 6 kV，这意味着它在静电环境下具有较好的稳定性和可靠性，能减少因静电放电对器件造成的损坏，降低了产品在实际应用中的故障率。

3. 封装优势

采用广泛使用的表面贴装封装（TO - 252 D - PAK），具备高功率和电流处理能力，方便在电路板上进行安装和布局，适合批量生产和自动化组装。

4. 测试与合规

经过100% UIL测试，并且符合RoHS标准，这保证了产品的质量和环保性，让工程师在设计时更加放心。

三、主要参数

1. 最大额定值

符号	参数	额定值	单位
(V_{DS})	漏源电压	100	V
(V_{GS})	栅源电压	±20	V
(I_{D})	连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	5.5	A
	连续漏极电流（(T_{A}=25^{circ}C)）	4.2	A
	脉冲漏极电流	15	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	12	mJ
(P_{D})	功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	29	W
	功率耗散（(T_{A}=25^{circ}C)）	3.1	W
(T{J}, T{STG})	工作和存储结温范围	-55 至 +150	°C

2. 热特性

符号	参数	值	单位
(R_{θJC})	结到外壳热阻	4.3	°C/W
(R_{θJA})	结到环境热阻	96	°C/W

3. 电气特性

涵盖了关断特性、导通特性、动态特性、开关特性以及漏源二极管特性等多个方面。例如，关断特性中的漏源击穿电压 (BV{DSS}) 在 (I{D}=250 μA)，(V{GS}=0 V) 时为100 V；导通特性中的栅源阈值电压 (V{GS(th)}) 在 (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=250 μA) 时，最小值为1 V，典型值为1.5 V，最大值为3 V。这些参数为工程师在电路设计中提供了精确的参考依据。

四、典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些曲线直观地展示了器件在不同条件下的性能表现，帮助工程师更好地理解器件的工作特性，从而优化电路设计。例如，通过导通区域特性曲线，我们可以清晰地看到不同栅源电压下漏极电流与漏源电压的关系，这对于确定器件的工作点非常有帮助。

五、应用领域

FDD86113LZ适用于DC - DC转换等应用场景。在DC - DC转换电路中，其低导通电阻和良好的开关性能可以有效提高转换效率，减少能量损耗，为电源系统的稳定运行提供保障。

六、注意事项

ON Semiconductor对产品的使用有一些明确的规定。产品不设计、不打算也未授权用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或具有相同或类似分类的外国医疗设备以及任何用于人体植入的设备。如果买家将产品用于此类非预期或未经授权的应用，需要承担相应的责任并赔偿相关损失。同时，所有的“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也可能随时间改变，工程师需要对每个客户应用的所有工作参数进行验证。

FDD86113LZ N - Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET凭借其先进的技术、优秀的性能和广泛的应用领域，为电子工程师在功率电路设计中提供了一个可靠的选择。但在使用过程中，我们也需要充分了解其特性和注意事项，以确保设计的电路能够稳定、高效地运行。大家在实际设计中有没有使用过类似的MOSFET呢？遇到过哪些问题又是如何解决的呢？欢迎在评论区分享交流。