onsemi FDMC7692 N-Channel MOSFET：高性能电源管理利器

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，广泛应用于各种电源管理和负载开关应用中。今天，我们就来深入了解一下onsemi推出的FDMC7692 N-Channel MOSFET，看看它有哪些独特的性能和应用优势。

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一、产品概述

FDMC7692是一款采用onsemi先进POWERTRENCH工艺生产的N-Channel MOSFET。这种工艺经过特别优化，能够有效降低导通电阻，非常适合用于笔记本电脑和便携式电池组等常见的电源管理和负载开关应用。

二、产品特性

低导通电阻

该器件在 $V{GS}=4.5 V$、$I{D}=10.6 A$ 时，最大 $r_{DS(on)}$ 仅为 $11.5 mOmega$，展现出了极低的导通电阻特性，有助于减少功率损耗，提高电源效率。

高性能技术

采用高性能技术，实现了极低的 $r_{DS(on)}$，能够满足对功率损耗要求较高的应用场景。

环保合规

这些器件为无铅产品，并且符合RoHS标准，符合环保要求。

三、应用领域

DC - DC降压转换器

在DC - DC降压转换器中，FDMC7692能够高效地将高电压转换为低电压，为后续电路提供稳定的电源。

笔记本电池电源管理

在笔记本电脑中，它可以用于电池的充电、放电管理，确保电池的安全和高效使用。

笔记本负载开关

作为负载开关，FDMC7692可以快速、可靠地控制负载的通断，实现对笔记本电脑各部件的电源管理。

四、关键参数

最大额定值

符号	参数	条件	额定值	单位
$V_{DS}$	漏源电压	-	30	V
$V_{GS}$	栅源电压	-	± 20	V
$I_{D}$	漏极电流	连续（封装限制），$T_{C}=25^{circ} C$	16	A
	连续（注1a），$T_{A}=25^{circ} C$	13.3	A
	脉冲	-	40	A
$E_{AS}$	单脉冲雪崩能量（注2）	-	58	mJ
$P_{D}$	功率耗散	$T_{C}=25^{circ} C$	29	W
	功率耗散（注1a），$T_{A}=25^{circ} C$	2.3	W
$T{J}, T{STG}$	工作和存储结温范围	-	-55 to 150	°C

电气特性

关断特性

• $B_{V DSS}$：漏源击穿电压，在 $I{D}=250 mu A$、$V{GS}=0 V$ 时为30 V。
• $B{V DSS}/T{J}$：击穿电压温度系数，在 $I_{D}=250 mu A$ 时为 $16 mV/^{circ} C$。
• $I_{DSS}$：零栅压漏极电流，在 $V{DS}=24 V$、$V{GS}=0 V$ 时最大为 $1 mu A$；在 $V{DS}=24 V$、$V{GS}=0 V$、$T_{J}=125^{circ} C$ 时为 $250 mu A$。
• $I_{GSS}$：栅源泄漏电流，在 $V{GS}=20 V$、$V{DS}=0 V$ 时最大为 $100 nA$。

导通特性

• $V_{GS(th)}$：栅源阈值电压，在 $V{GS}=V{DS}$、$I_{D}=250 mu A$ 时，最小值为 $1.2 V$，典型值为 $1.9 V$，最大值为 $3.0 V$。
• $A_{T J}$：栅源阈值电压温度系数，在 $I_{D}=250 mu A$ 时为 $-6 mV/^{circ} C$。
• $r_{DS(on)}$：静态漏源导通电阻，在 $V{GS}=4.5 V$、$I{D}=10.6 A$ 时，典型值为 $9.5 mOmega$，最大值为 $11.5 mOmega$；在 $V{GS}=10 V$、$I{D}=13.3 A$、$T_{J}=125^{circ} C$ 时，典型值为 $9.5 mOmega$，最大值为 $12.0 mOmega$。
• $g_{FS}$：跨导，在 $V{DD}=5 V$、$I{D}=13.3 A$ 时为 $60 S$。

动态特性

• $C_{iss}$：输入电容，在 $V{DS}=15 V$、$V{GS}=0 V$、$f = 1 MHz$ 时，最小值为 $1260 pF$，典型值为 $1680 pF$。
• $C_{oss}$：输出电容，最小值为 $480 pF$，典型值为 $635 pF$。
• $C_{rss}$：反向传输电容，典型值为 $65 pF$。
• $R_{g}$：栅极电阻，典型值为 $2.4 Omega$。

开关特性

• $t_{d(on)}$：导通延迟时间，在 $V{DD}=15 V$、$I{D}=13.3 A$、$V_{GS}=10 V$ 时，典型值为 $18 ns$。
• $t_{r}$：上升时间，在 $R_{GEN}=6 Omega$ 时，最小值为 $4 ns$，典型值为 $10 ns$。
• $t_{d(off)}$：关断延迟时间，典型值为 $21 ns$，最大值为 $33 ns$。
• $t_{f}$：下降时间，最小值为 $3 ns$，典型值为 $10 ns$。
• $Q_{g}$：总栅极电荷，在 $V{GS}=0 V$ 到 $10 V$、$V{DD}=15 V$、$I_{D}=13.3 A$ 时，最小值为 $21 nC$，典型值为 $29 nC$。
• $Q_{gd}$：栅漏“米勒”电荷，典型值为 $3 nC$。

漏源二极管特性

• $V_{SD}$：源漏二极管正向电压，在 $V{GS}=0 V$、$I{S}=13.3 A$（注3）时，最小值为 $0.86 V$，典型值为 $1.2 V$；在 $V{GS}=0 V$、$I{S}=1.9 A$（注3）时，典型值为 $1.2 V$。
• $t_{rr}$：反向恢复时间，典型值为 $38 ns$。
• $Q_{rr}$：反向恢复电荷，典型值为 $7 nC$。

注3：脉冲测试，脉冲宽度 < 300 μs，占空比 < 2.0%。

五、封装信息

FDMC7692采用WDFN8 3.3x3.3、0.65P封装（CASE 511DQ），这种封装具有较小的尺寸，适合对空间要求较高的应用。其标记图包含装配厂代码、批次代码和日期代码等信息，方便产品的追溯和管理。

六、典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现，从而进行更合理的设计。

七、总结

onsemi的FDMC7692 N-Channel MOSFET以其低导通电阻、高性能技术和环保合规等特性，为电源管理和负载开关应用提供了优秀的解决方案。在实际设计中，工程师可以根据具体的应用需求，结合器件的各项参数和典型特性曲线，合理选择和使用该器件，以实现高效、可靠的电源管理系统。

你在设计中是否使用过类似的MOSFET器件？在使用过程中遇到过哪些问题？欢迎在评论区分享你的经验和见解。