ON Semiconductor ATP401 N-Channel Power MOSFET：高性能与可靠性的完美结合

在电子工程领域，功率MOSFET是至关重要的元件，广泛应用于各种电源管理、电机驱动等电路中。今天，我们来深入了解ON Semiconductor推出的ATP401 N-Channel Power MOSFET，看看它有哪些独特的性能和优势。

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产品概述

ATP401是一款60V、100A的N-Channel Power MOSFET，采用ATPAK封装。它具有低导通电阻、高输入电容等特点，并且符合无卤要求，适用于多种应用场景。

产品特性

低导通电阻

在4.5V驱动下，典型导通电阻RDS(on)低至2.8mΩ，这意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗较小，能够有效提高电路的效率。低导通电阻还可以降低发热，提高系统的稳定性和可靠性。

高输入电容

输入电容Ciss典型值为17000pF，这使得MOSFET在开关过程中能够快速响应，减少开关时间，提高开关频率，从而满足一些对速度要求较高的应用。

无卤合规

ATP401符合无卤要求，这对于环保和一些对材料有特殊要求的应用来说非常重要。

规格参数

绝对最大额定值

参数	符号	条件	额定值	单位
漏源电压	VDSS	-	60	V
栅源电压	VGSS	-	±20	V
漏极直流电流	ID	-	100	A
漏极脉冲电流	IDP	PW≤10μs，占空比≤1%	400	A
允许功耗	PD	Tc = 25°C	90	W
通道温度	Tch	-	150	°C
存储温度	Tstg	-	-55 to +150	°C
雪崩能量（单脉冲）	EAS	VDD = 36V，L = 100μH，IAV = 70A	549	mJ
雪崩电流	IAV	Ls = 100μH，单脉冲	70	A

需要注意的是，超过最大额定值的应力可能会损坏器件，而且最大额定值仅为应力额定值，不意味着在推荐工作条件以上仍能正常工作。

电气特性

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	V(BR)DSS	ID = 1mA，VGS = 0V	60	-	-	V
零栅压漏极电流	IDSS	VDS = 60V，VGS = 0V	-	-	10	μA
栅源泄漏电流	IGSS	VGS = ±16V，VDS = 0V	-	-	±10	μA
截止电压	VGS(off)	VDS = 10V，ID = 1mA	1.2	-	2.6	V
正向传输导纳	yfs	VDS = 10V，ID = 50A	-	90	-	S
静态漏源导通电阻	RDS(on)1	ID = 50A，VGS = 10V	-	2.8	3.7	mΩ
RDS(on)2	ID = 50A，VGS = 4.5V	-	3.7	5.2	mΩ
输入电容	Ciss	VDS = 20V，f = 1MHz	-	17000	-	pF
输出电容	Coss	-	-	-	1000	pF
反向传输电容	Crss	-	-	-	770	pF
导通延迟时间	td(on)	见Fig.2	-	110	-	ns
上升时间	tr	-	-	580	-	ns
关断延迟时间	td(off)	-	-	840	-	ns
下降时间	tf	-	-	710	-	ns
总栅极电荷	Qg	VDS = 36V，VGS = 10V，ID = 100A	-	300	-	nC
栅源电荷	Qgs	-	-	60	-	nC
栅漏“米勒”电荷	Qgd	-	-	60	-	nC
二极管正向电压	VSD	IS = 100A，VGS = 0V	-	0.9	1.2	V

这些电气特性为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。例如，导通电阻决定了功率损耗，开关时间影响着开关频率和效率等。

封装与尺寸

ATP401采用ATPAK封装，其尺寸（典型值）如下：

1.5 0.4
ATP401-TL-H
6.5
0.5
7.3
9.5
0.5
0.8
0.6
2.3
0.4
6.05
4.6

封装的尺寸对于电路板的布局和设计非常重要，工程师需要根据实际情况合理安排元件的位置。

订购信息

器件	封装	包装	备注
ATP401 - TL - H	ATPAK	3,000pcs./reel	无铅无卤

使用注意事项

由于ATP401是MOSFET产品，使用时应避免在高电荷物体附近使用，以免受到静电等影响而损坏器件。

此外，ON Semiconductor不保证其产品适用于所有特定用途，所有工作参数都需要客户的技术专家针对每个应用进行验证。同时，该产品不适合用于一些对安全要求极高的应用，如手术植入、维持生命等应用。

在实际设计中，工程师们是否遇到过类似MOSFET因静电等问题损坏的情况呢？又采取了哪些有效的防护措施呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。

通过对ATP401的详细了解，我们可以看到它在性能和可靠性方面都有出色的表现。它的低导通电阻和高输入电容等特性使其在电源管理、电机驱动等领域具有很大的应用潜力。希望本文能为电子工程师们在选择和使用功率MOSFET时提供一些有价值的参考。