onsemi NTP7D3N15MC MOSFET：高性能之选

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能直接影响到整个电路的效率和稳定性。今天，我们来深入了解一下onsemi推出的NTP7D3N15MC N - 通道屏蔽栅POWERTRENCH MOSFET。

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产品特性

先进技术

NTP7D3N15MC采用了屏蔽栅MOSFET技术，这一技术带来了诸多优势。在 (V{GS}=10 V)、(I{D}=62 A) 的条件下，其最大 (R{DS(on)}) 仅为 (7.3 mOmega)，低导通电阻能够有效降低功率损耗，提高电路效率。同时，相较于其他MOSFET供应商的产品，它的 (Q{rr}) 降低了50%，这有助于减少开关损耗，降低开关噪声和EMI，提升了系统的电磁兼容性。

可靠性保障

该器件经过100% UIL测试，确保了其在实际应用中的可靠性。并且，它是无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准的，满足环保要求。

典型应用

NTP7D3N15MC具有广泛的应用场景，适用于ATX/服务器/电信电源的同步整流，能够提高电源的转换效率；在电机驱动和不间断电源中，它可以稳定地控制电流，保障系统的正常运行；还可用于微型太阳能逆变器，实现高效的能量转换。

关键参数

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	150	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_C = 25 °C)）	(I_D)	101	A
功率耗散（(T_C = 25 °C)）	(P_D)	166	W
脉冲漏极电流（(T_C = 25 °C)，(t_p = 100 μs)）	(I_{DM})	574	A
工作结温和存储温度范围	(TJ)，(T{stg})	-55 至 +175	°C
单脉冲漏源雪崩能量（(IL = 20 A{pk})，(L = 3 mH)）	(E_{AS})	600	mJ
焊接用引脚温度（距离外壳1/8″，10 s）	(T_L)	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。同时，整个应用环境会影响热阻数值，这些数值并非恒定不变，仅在特定条件下有效。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (V{(BR)DSS})：在 (V{GS} = 0 V)，(I_D = 250 μA) 时，为150 V。
• 漏源击穿电压温度系数：(71 mV/°C)。
• 零栅压漏极电流 (I{DSS})：在 (V{GS} = 0 V)，(V_{DS} = 120 V) 时，(T_J = 25 °C) 为1.0 A。
• 栅源泄漏电流 (I{GSS})：在 (V{DS} = 0 V)，(V_{GS} = ±20 V) 时，为 ±100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压 (V{GS(TH)})：在 (V{GS} = V_{DS})，(I_D = 342 A) 时，范围为2.5 - 4.5 V。
• 负阈值温度系数：(-7.3 mV/°C)。
• 漏源导通电阻 (R{DS(on)})：在 (V{GS} = 10 V)，(ID = 62 A) 时，为6.2 - 7.3 (mOmega)；在 (V{GS} = 8 V)，(I_D = 31 A) 时，为6.6 - 8.4 (mOmega)。
• 正向跨导 (g{FS})：在 (V{DS} = 10 V)，(I_D = 62 A) 时，为119 S。

电荷、电容和栅极电阻

• 输入电容 (C_{ISS})：4250 pF。
• 输出电容 (C_{OSS})：1250 pF。
• 反向传输电容 (C_{RSS})：15 pF。
• 栅极电阻 (R_G)：0.8 - 1.6 (Omega)。
• 总栅极电荷 (Q_{G(TOT)})：53 nC。
• 阈值栅极电荷 (Q_{G(TH)})：14 nC。
• 栅源电荷 (Q_{GS})：23 nC。
• 栅漏电荷 (Q_{GD})：8.5 nC。
• 平台电压 (V_{GP})：5.8 V。
• 输出电荷 (Q{OSS})：在 (V{DD} = 75 V)，(V_{GS} = 0 V) 时，为133 nC。

开关特性

在 (V{GS} = 10 V)，(V{DD} = 75 V)，(I_D = 62 A)，(R_G = 4.7 Omega) 的条件下：

• 开启延迟时间 (t_{d(ON)})：27 ns。
• 上升时间 (t_r)：8.5 ns。
• 关断延迟时间 (t_{d(OFF)})：33 ns。
• 下降时间 (t_f)：5.8 ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压 (V{SD})：在 (V{GS} = 0 V)，(I_S = 62 A)，(T_J = 25 °C) 时，为0.93 - 1.2 V。
• 反向恢复时间 (t_{RR})：在 (dI_S/dt = 300 A/μs)，(IS = 62 A)，(V{GS} = 0 V)，(V_{DD} = 75 V) 时，为55 ns；在 (dI_S/dt = 1000 A/μs) 时，为50 ns。
• 反向恢复电荷 (Q_{RR})：在 (dI_S/dt = 300 A/μs) 时，为247 nC；在 (dI_S/dt = 1000 A/μs) 时，为720 nC。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源漏二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、漏极电流与壳温的关系、峰值功率、雪崩电流与雪崩时间的关系、正向偏置安全工作区以及瞬态热阻抗等。这些曲线能够帮助工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现，从而进行更合理的电路设计。

封装信息

NTP7D3N15MC采用TO - 220 - 3封装，每管装800个。其机械尺寸有详细的规格，包括各个引脚和外壳的尺寸范围，具体可参考文档中的表格。

总结

onsemi的NTP7D3N15MC MOSFET凭借其先进的屏蔽栅技术、低导通电阻、低开关损耗和良好的可靠性，在众多应用场景中具有出色的表现。电子工程师在进行电路设计时，可以根据其详细的参数和特性曲线，合理选择和使用该器件，以实现高效、稳定的电路设计。大家在实际应用中，有没有遇到过类似MOSFET的选型难题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。