Onsemi NVMTS0D7N06C：高性能N沟道功率MOSFET的卓越之选

在电子工程领域，功率MOSFET作为重要的电子元件，广泛应用于各类电源管理、电机驱动等电路中。今天，我们就来深入了解Onsemi推出的一款高性能N沟道功率MOSFET——NVMTS0D7N06C。

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产品概述

NVMTS0D7N06C是一款耐压60V、导通电阻低至0.72mΩ、最大连续电流可达464A的单N沟道功率MOSFET。它采用了8x8mm的小尺寸封装，非常适合紧凑型设计。该器件不仅具备低导通电阻和低栅极电荷的特性，还通过了AEC - Q101认证，可满足汽车级应用的需求。

产品特性

尺寸与设计优势

小尺寸封装是NVMTS0D7N06C的一大亮点，8x8mm的占地面积使得它在空间有限的电路板设计中具有很大优势。对于那些对体积要求苛刻的应用，如便携式电子设备、小型电源模块等，这款MOSFET能够帮助工程师实现更紧凑的设计。

低损耗特性

• 低导通电阻（(R_{DS(on)})）：低(R_{DS(on)})可以有效降低导通损耗，提高电路的效率。在高电流应用中，这一特性尤为重要，能够减少发热，延长器件的使用寿命。
• 低栅极电荷（(Q_{G})）和电容：低(Q_{G})和电容有助于降低驱动损耗，减少开关过程中的能量损失。这使得MOSFET能够更快速地开关，提高电路的响应速度。

可靠性与环保性

• AEC - Q101认证：通过AEC - Q101认证，表明该器件符合汽车级应用的严格标准，具有更高的可靠性和稳定性，可用于汽车电子系统中。
• 环保特性：该器件为无铅、无卤素/BFR，并且符合RoHS标准，符合现代电子设备对环保的要求。

电气特性

最大额定值

参数	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	60	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	464	A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	(I_{D})	328.1	A
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	(P_{D})	294.6	W
功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)）	(P_{D})	147.3	W
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)）	(I_{DM})	900	A
工作结温和存储温度范围	(T{J})，(T{stg})	-55 to +175	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	245.5	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 40A)）	(E_{AS})	1754	mJ
焊接用引脚温度（距外壳1/8″，10s）	(T_{L})	260	°C

电气特性参数

• 关断特性：
  • 漏源击穿电压(V{(BR)DSS})：在(V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A)时，最小值为60V。
  • 栅源泄漏电流(I{GSS})：在(V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V)时，最大值为100nA。
  • 零栅压漏极电流(I{DSS})：在(V{GS}=0V)，(V_{DS}=60V)时，最大值为100nA。
• 导通特性：
  • 栅极阈值电压(V{GS(TH)})：在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250mu A)时，典型值为2.0V。
  • 漏源导通电阻(R{DS(on)})：在(V{GS}=10V)时，典型值为0.55mΩ。
• 电荷、电容与栅极电阻：
  • 输入电容(C{ISS})：在(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V_{DS}=30V)时，为8010pF。
  • 输出电容(C_{OSS})：在上述条件下，为174pF。
  • 反向传输电容(C_{RSS})：为174pF。
  • 阈值栅极电荷(Q_{G(TH)})：为25.7nC。
  • 栅源电荷(Q{GS})：在(V{GS}=10V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=50A)时，为40.0nC。
  • 栅漏电荷(Q_{GD})：为20.7nC。
  • 总栅极电荷(Q_{G(TOT)})：在上述条件下，为152nC。
  • 电压平台(V_{GP})：为3.71V。
  • 总栅极电荷(Q{G(TOT)})（(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=50A)）：为72nC。
• 开关特性：
  • 导通延迟时间(t{d(ON)})：在(V{GS}=10V)，(V{DS}=30V)，(I{D}=50A)，(R_{G}=6Omega)时，为39.7ns。
  • 上升时间(t_{r})：为29.3ns。
  • 关断延迟时间(t_{d(OFF)})：为127ns。
  • 下降时间(t_{f})：为42.6ns。
• 漏源二极管特性：
  • 正向二极管电压(V{SD})：在(V{Gs}=0V)，(I_{s}=50A)，(T = 25^{circ}C)时，典型值为0.72V；在(T = 125^{circ}C)时，典型值为0.59V。
  • 反向恢复时间(t{RR})：在(V{Gs}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/mu s)，(I{s}=50A)时，为120ns。
  • 电荷时间(t_{a})：为60ns。
  • 放电时间(t_{b})：为60ns。
  • 反向恢复电荷(Q_{RR})：为324nC。

典型特性曲线

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间关系以及热特性等。这些曲线能够帮助工程师更直观地了解器件在不同工作条件下的性能表现。

封装与订购信息

NVMTS0D7N06C采用TDFNW8封装，尺寸为8.30x8.40x1.10，引脚间距为2.00P。器件标记包含特定的编码信息，如装配位置、晶圆批次代码、年份代码和工作周代码等。订购时，可选择NVMTS0D7N06CTXG型号，采用3000个/卷带包装。

应用思考

在实际应用中，工程师需要根据具体的电路需求来选择合适的MOSFET。NVMTS0D7N06C的高性能特性使其适用于多种应用场景，如开关电源、电机驱动、DC - DC转换器等。但在使用过程中，也需要注意其最大额定值和工作条件，避免超过器件的承受范围，影响其性能和可靠性。

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