安森美NTD3055 - 150和NVD3055 - 150 MOSFET深度解析

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET是一个非常关键的元件，广泛应用于各种电路设计中。今天我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的NTD3055 - 150和NVD3055 - 150这两款N沟道功率MOSFET。

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产品概述

NTD3055 - 150和NVD3055 - 150专为低电压、高速开关应用而设计，适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路等场景。其中，NVD前缀的产品适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。这两款产品均为无铅产品，符合RoHS标准。

关键参数与特性

最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	60	Vdc
漏栅电压（(R_{GS} = 10M)）	(V_{DGR})	60	Vdc
栅源电压（连续）	(V_{GS})	±20	Vdc
栅源电压（非重复，(t_p ≤ 10ms)）	(V_{GS})	±30	Vdc
漏极电流（连续，(T_A = 25°C)）	(I_D)	9.0	Adc
漏极电流（单脉冲，(t_p ≤ 10s)）	(I_{DM})	27	Apk
漏极电流（连续，(T_A = 100°C)）	(I_D)	3.0	Adc
总功率耗散（(T_A = 25°C)）	(P_D)	28.8	W
25°C以上降额系数		0.19	W/°C
总功率耗散（(T_A = 25°C)，注1）	(P_D)	2.1	W
总功率耗散（(T_A = 25°C)，注2）	(P_D)	1.5	W
工作和存储温度范围	(TJ)，(T{stg})	- 55至175	°C
单脉冲漏源雪崩能量（起始(T_J = 25°C)）	(E_{AS})	30	mJ
结到外壳热阻	(R_{JC})	71.4	°C/W
结到环境热阻（注1）	(R_{JA})	5.2	°C/W
结到环境热阻（注2）	(R_{JA})	100	°C/W
焊接用最大引脚温度（距外壳1/8″，10秒）	(T_L)	260	°C

从这些参数可以看出，这两款MOSFET能够承受一定的电压和电流，并且在不同温度条件下有相应的功率耗散和热阻特性。在实际设计中，我们需要根据具体的应用场景来考虑这些因素，比如在高温环境下使用时，要注意功率耗散和热阻对器件性能的影响。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：(V_{(BR)DSS})典型值为70.2Vdc，具有正温度系数。
• 栅体泄漏电流：(I_{GSS})最大为±100nAdc。
• 栅阈值电压：(V_{GS(th)})典型值为3.0Vdc，具有负温度系数。

导通特性

• 静态漏源导通电阻：(R{DS(on)})典型值为122mΩ（(V{GS} = 10Vdc)，(I_D = 4.5Adc)）。
• 静态漏源导通电压：(V{DS(on)})典型值为1.4V（(V{GS} = 10Vdc)，(I_D = 9.0Adc)）。
• 正向跨导：(g_{Fs})典型值为5.4mhos。

动态特性

• 输入电容：(C_{iss})典型值为200pF（(f = 1.0MHz)）。
• 输出电容：(C_{oss})典型值为70pF。
• 反馈电容：(C_{rss})典型值为26pF。

开关特性

• 开通延迟时间：(t_{d(on)})典型值为11.2ns。
• 上升时间：(t_r)典型值为37.1ns。
• 下降时间：(t_f)典型值为23ns。

源漏二极管特性

• 正向导通电压：(V_{SD})典型值为0.98V（(IS = 9.0Adc)，(V{GS} = 0Vdc)）。
• 反向恢复时间：(t_{rr})典型值为28.9ns。
• 反向恢复存储电荷：(Q_{RR})典型值为0.036μC。

这些电气特性为我们在设计电路时提供了重要的参考依据。例如，导通电阻和导通电压会影响电路的功耗，而开关特性则会影响电路的开关速度和效率。大家在实际设计中，要根据具体的电路要求来选择合适的参数。

封装与订购信息

封装形式

这两款产品有DPAK和IPAK两种封装形式。DPAK封装为表面贴装，IPAK封装为直插式。

订购信息

器件型号	封装	包装数量
NTD3055 - 150T4G	DPAK（无铅）	2500/卷带
NVD3055 - 150T4G - VF01	DPAK（无铅）	2500/卷带
NTD3055 - 150G	DPAK（无铅）	75/导轨
NTD3055 - 150 - 1G	IPAK（无铅）	75/导轨
NTD3055 - 150T4H	DPAK（无卤）	2500/卷带
NVD3055 - 150T4G*	DPAK（无铅）	2500/卷带

需要注意的是，部分器件型号已停产，大家在订购时要仔细查看相关信息。

应用建议

在使用NTD3055 - 150和NVD3055 - 150进行电路设计时，要充分考虑器件的各项参数和特性。例如，在设计电源电路时，要根据负载电流和电压要求来选择合适的MOSFET，同时要注意散热设计，确保器件在安全的温度范围内工作。在开关电路中，要关注开关特性，选择合适的驱动电路，以提高电路的开关速度和效率。

大家在实际应用中有没有遇到过MOSFET相关的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。希望通过这篇文章，能让大家对安森美这两款MOSFET有更深入的了解，在设计中能够更好地应用它们。