NTD2955 和 NVD2955 MOSFET：特性与应用解析

在电子工程师的日常设计工作中，MOSFET 是不可或缺的元件。今天我们来详细探讨 ON Semiconductor 推出的 NTD2955 和 NVD2955 这两款 P - 通道功率 MOSFET。

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产品概述

NTD2955 和 NVD2955 是专为低电压、高速开关应用而设计的功率 MOSFET，适用于电源、转换器和功率电机控制等领域。它们能够承受雪崩和换向模式下的高能量，尤其适合对二极管速度和换向安全工作区要求苛刻的桥接电路，为意外电压瞬变提供额外的安全裕度。

关键特性

雪崩能量指定

这两款 MOSFET 明确规定了雪崩能量，这意味着它们在雪崩模式下能可靠工作，为电路提供了更高的稳定性和可靠性。在实际应用中，当电路出现电压瞬变时，MOSFET 能够承受相应的能量冲击，避免损坏。

高温特性指定

Ipss 和 (V_{DS(on)}) 在高温下也有明确的规格。这对于在高温环境下工作的电路非常重要，工程师可以根据这些参数准确设计电路，确保 MOSFET 在高温环境下仍能正常工作。

低电压、高速开关

专为低电压、高速开关应用设计，能够快速响应开关信号，减少开关损耗，提高电路效率。在电源和转换器等应用中，高速开关特性可以有效降低功耗，提高系统性能。

汽车及其他应用适用

NVD 和 SVD 前缀适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了 AEC - Q101 认证，具备 PPAP 能力，这意味着它们符合汽车行业的严格标准，可用于汽车电子系统。

环保合规

这些器件无铅且符合 RoHS 标准，符合环保要求，满足现代电子产品对环保的需求。

最大额定值

额定值	符号	值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	-60	Vdc
栅源电压（连续 - 非重复，(t_p) ≤ 10 ms）	(V{GS}) (V{GSM})	±20 ±25	Vdc Vpk
漏极电流（连续 @ (T_a) = 25°C - 单脉冲（(t) ≤ 10 ms））	(ID) (I{DM})	12 18	Adc Apk
总功率耗散 @ (T_a) = 25°C	(P_D)	55	W
工作和存储温度范围	(TJ), (T{stg})	-55 至 175	°C
单脉冲漏源雪崩能量 - 起始 (T) = 25°C（(V{DD}) = 25 Vdc，(V{Gs}) = 10 Vdc，峰值 (I) = 12 Apk，(L) = 3.0 mH，(R) = 25 Ω）	(E_{AS})	216	mJ
热阻 - 结到壳 - 结到环境（注 1） - 结到环境（注 2）	(R{θJC}) (R{θJA}) (R_{θJA})	2.73 71.4 100	°C/W
焊接用最大引脚温度，距外壳 1/8 英寸，持续 10 秒	(T_L)	260	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（(V_{GS}) = 0 Vdc，(I_D) = -0.25 mA）为 -60 V 至 -67 V，具有正温度系数。
• 零栅压漏极电流在 (T_J) = 25°C 时为 -10 μA，在 (T_J) = 150°C 时为 -100 μA。
• 栅体泄漏电流（(V{GS}) = ± 20 Vdc，(V{DS}) = 0 Vdc）为 -100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压（(V{Ds}) = (V{Gs})，(I_D) = -250 μA）为 -2.0 V 至 -4.0 V，具有负温度系数。
• 静态漏源导通电阻（(V_{Gs}) = -10 Vdc，(I_D) = -6.0 A）典型值为 0.155 Ω，最大值为 0.180 Ω。
• 漏源导通电压（(V_{Gs}) = -10 Vdc，(I_D) = -12 A）典型值为 -1.86 V。

动态特性

• 输入电容（(V{DS}) = -25 Vdc，(V{GS}) = 0 Vdc，(F) = 1.0 MHz）为 500 pF 至 750 pF。
• 输出电容为 150 pF 至 250 pF。
• 反向传输电容为 50 pF 至 100 pF。

开关特性

• 导通延迟时间为 10 ns 至 20 ns。
• 上升时间为 45 ns 至 85 ns。
• 关断延迟时间为 26 ns 至 40 ns。
• 下降时间为 48 ns 至 90 ns。
• 栅极电荷为 15 nC 至 30 nC。

漏源二极管特性

• 二极管正向导通电压（(IS) = 12 A，(V{GS}) = 0 V）在 (T_J) = 25°C 时为 -1.6 V，在 (T_J) = 150°C 时为 -1.3 V 至 -2.5 V。
• 反向恢复时间为 50 ns。
• 反向恢复存储电荷为 0.10 μC。

封装与订货信息

这两款 MOSFET 提供 DPAK 和 IPAK 封装，并且有不同的包装形式可供选择，如 75 个/导轨和 2500 个/卷带。具体的订货信息可参考数据手册第 5 页。

典型性能曲线

数据手册中提供了一系列典型性能曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与漏极电流和温度的关系等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解 MOSFET 在不同工作条件下的性能，从而进行更准确的电路设计。

总结

NTD2955 和 NVD2955 MOSFET 凭借其出色的性能和特性，在低电压、高速开关应用中具有很大的优势。它们的雪崩能量指定、高温特性、环保合规等特点，使其适用于多种领域，尤其是对可靠性和稳定性要求较高的汽车电子和电源电路。在实际设计中，工程师可以根据具体的应用需求，结合这些特性和参数，选择合适的 MOSFET 器件，以实现最佳的电路性能。

你在使用这两款 MOSFET 时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。