Onsemi NTF3055L108 和 NVF3055L108 MOSFET 详细解析

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率器件，广泛应用于各类电源、转换器、电机控制和桥电路等。今天我们就来深入了解 Onsemi 推出的 NTF3055L108 和 NVF3055L108 这两款 N 沟道、逻辑电平、采用 SOT - 223 封装的 MOSFET。

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产品概述

这两款 MOSFET 专为低电压、高速开关应用而设计，适用于电源、转换器、功率电机控制和桥电路等场景。NVF 前缀的产品适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了 AEC - Q101 认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力。同时，它们都是无铅产品，符合 RoHS 标准。

关键参数

最大额定值

额定参数	符号	值	单位
漏源电压	$V_{DSS}$	60	Vdc
漏栅电压（$R_{GS}$ = 1.0 MΩ）	$V_{DGR}$	60	Vdc
栅源电压 - 连续 - 非重复（$t_{p} leq 10$ ms）	$V_{GS}$	±15 ± 20	Vdc Vpk
漏极电流 - 连续 @ $T{A}$ = 25°C（注1） - 连续 @ $T{A}$ = 100°C（注2） - 单脉冲（$t_{p} leq 10$ μs）	$I{D}$ $I{D}$ $I_{DM}$	3.0 1.4 9.0	Adc Apk
总功率耗散 @ $T{A}$ = 25°C（注1） 总功率耗散 @ $T{A}$ = 25°C（注2） 25°C 以上降额	$P_{D}$	2.1 1.3 0.014	Watts Watts W/°C
工作和存储温度范围	$T{J}$, $T{stg}$	-55 至 175	°C
单脉冲漏源雪崩能量 - 起始 $T{J}$ = 25°C（$V{DD}$ = 25 Vdc, $V{GS}$ = 5.0 Vdc, $I{L(pk)}$ = 7.0 Apk, $L$ = 3.0 mH, $V_{DS}$ = 60 Vdc）	$E_{AS}$	74	mJ
热阻 - 结到环境（注1） - 结到环境（注2）	$R{theta JA}$ $R{theta JA}$	72.3 114	°C/W
焊接用途最大引脚温度，距外壳 1/8" 处 10 秒	$T_{L}$	260	°C

注：

1. 当采用 1″ 焊盘尺寸、1 oz铜面积（1 in²）表面贴装到 FR4 板上时。
2. 当采用最小推荐焊盘尺寸、2 oz铜面积（0.272 in²）表面贴装到 FR4 板上时。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：$V_{(BR)DSS}$ 最小值为 60 Vdc，典型值为 68 Vdc，温度系数为正。
• 零栅压漏极电流：在 $V{DS}$ = 60 Vdc，$V{GS}$ = 0 Vdc 时，最大值为 1.0 μAdc；在 $T_{J}$ = 150°C 时，最大值为 10 μAdc。
• 栅体泄漏电流：$I_{GSS}$ 最大值为 ±100 nAdc。

导通特性

• 栅极阈值电压：$V_{GS(th)}$ 最小值为 1.0 Vdc，典型值为 1.68 Vdc，最大值为 2.0 Vdc，阈值温度系数为负。
• 静态漏源导通电阻：在 $V{GS}$ = 5.0 Vdc，$I{D}$ = 1.5 Adc 时，最大值为 120 mΩ；在 $V{GS}$ = 5.0 Vdc，$I{D}$ = 3.0 Adc 时，$V{DS(on)}$ 典型值为 0.290 Vdc，最大值为 0.43 Vdc；在 $V{GS}$ = 5.0 Vdc，$I{D}$ = 1.5 Adc，$T{J}$ = 150°C 时，$V_{DS(on)}$ 典型值为 0.250 Vdc。
• 正向跨导：$g_{fs}$ 典型值为 5.7 Mhos。

动态特性

• 输入电容：$C_{iss}$ 典型值为 313 pF，最大值为 440 pF。
• 输出电容：$C_{oss}$ 典型值为 112 pF，最大值为 160 pF。
• 传输电容：$C_{rss}$ 典型值为 40 pF，最大值为 60 pF。

开关特性

• 导通延迟时间：$t_{d(on)}$ 典型值为 11 ns，最大值为 25 ns。
• 上升时间：$t_{r}$ 典型值为 35 ns，最大值为 70 ns。
• 下降时间：$t_{f}$ 典型值为 27 ns，最大值为 60 ns。
• 栅极电荷：$Q_{T}$ 典型值为 7.6 nC，最大值为 15 nC。

源漏二极管特性

• 正向导通电压：在 $I{S}$ = 3.0 Adc，$V{GS}$ = 0 Vdc 时，典型值为 0.87 Vdc，最大值为 1.0 Vdc；在 $T_{J}$ = 150°C 时，典型值为 0.72 Vdc。
• 反向恢复时间：$t_{rr}$ 典型值为 35 ns。
• 反向恢复存储电荷：$Q_{RR}$ 典型值为 0.044 μC。

典型电气特性

文档中还给出了一系列典型电气特性图，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源和漏源电压与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大雪崩能量与起始结温关系以及热响应等。这些特性图能帮助工程师更直观地了解器件在不同条件下的性能表现。

订购信息

器件型号	封装	包装
NTF3055L108T1G	SOT - 223 (TO - 261) (无铅)	1000 / 卷带包装
NVF3055L108T1G	SOT - 223 (TO - 261) (无铅)	1000 / 卷带包装

关于卷带规格，包括零件方向和卷带尺寸等信息，可参考 Onsemi 的《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure》（BRD8011/D）。

机械尺寸

SOT - 223 (TO - 261) 封装的机械尺寸有详细规定，各尺寸的最小值、标称值和最大值都有明确标注。同时，文档还给出了不同引脚定义的样式，如引脚 1 到 4 分别对应不同的功能（如栅极、漏极、源极等）。

总结

Onsemi 的 NTF3055L108 和 NVF3055L108 MOSFET 凭借其低导通电阻、高速开关特性以及良好的温度性能，在低电压、高速开关应用中具有很大的优势。电子工程师在设计电源、转换器、电机控制和桥电路等系统时，可以根据具体的应用需求，结合这些器件的特性进行合理选择和设计。大家在实际应用中是否遇到过类似 MOSFET 的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。