Onsemi FCH067N65S3 MOSFET：高性能解决方案

在电子工程领域，MOSFET作为重要的功率器件，在各类电源应用中发挥着关键作用。今天，我们来深入了解Onsemi推出的FCH067N65S3这款N沟道650V、44A的SUPERFET III MOSFET。

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产品概述

FCH067N65S3属于Onsemi全新的SUPERFET III系列，这是采用电荷平衡技术的高压超结（SJ）MOSFET家族。该技术使得MOSFET具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能，能有效降低传导损耗，提供卓越的开关性能，还能承受极高的dv/dt速率。同时，其Easy drive系列有助于解决EMI问题，让设计实现更加轻松。

产品特性

电气性能

• 耐压与导通电阻：在(T{J}=150^{circ}C)时可承受700V电压，典型导通电阻(R{DS(on)} = 59mOmega)，这意味着在导通状态下能有效减少功率损耗。
• 栅极电荷与输出电容：超低的栅极电荷（典型(Q{g}=78nC)）和低有效输出电容（典型(C{oss(eff.)}=715pF)），有助于降低开关损耗，提高开关速度。
• 雪崩测试：经过100%雪崩测试，保证了器件在极端情况下的可靠性。
• 环保特性：该器件无铅且符合RoHS标准，符合环保要求。

绝对最大额定值

参数	数值	单位
漏源电压(V_{DSS})	650	V
栅源电压(V_{GSS})（DC）	±30	V
栅源电压(V_{GSS})（AC，f>1Hz）	+30	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(44^*)	A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	(28^*)	A
脉冲漏极电流(I_{DM})	(110^*)	A
单脉冲雪崩能量(E_{AS})	1160	mJ
雪崩电流(I_{AS})	8.8	A
重复雪崩能量(E_{AR})	3.12	mJ
MOSFET dv/dt	100	V/ns
峰值二极管恢复dv/dt	20	V/ns
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	312	W
25°C以上降额	2.5	W/°C
工作和存储温度范围	(-55)至(+150)	°C
最大焊接引线温度（距外壳1/8英寸，5秒）	300	°C

注：漏极电流受最大结温限制；重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制；(I{AS}=8.8A)，(R{G}=25Omega)，起始(T{J}=25^{circ}C)；(I{SD} ≤22A)，(di / dt ≤200A / us)，(V{DD} ≤380V)，起始(T{J}=25^{circ}C)。

热特性

热阻方面，结到环境的最大热阻为40°C/W，结到外壳的热阻为0.4°C/W，良好的热特性有助于保证器件在工作时的稳定性。

应用领域

该MOSFET适用于多种电源应用场景，包括：

• 电信/服务器电源：满足电信设备和服务器对高效、稳定电源的需求。
• 工业电源：为工业设备提供可靠的功率支持。
• UPS/太阳能：在不间断电源和太阳能系统中发挥重要作用。

典型性能特性

文档中给出了一系列典型性能特性曲线，如导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性等。这些曲线为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据，帮助他们更好地了解器件在不同工作条件下的性能表现。

封装与订购信息

FCH067N65S3采用TO - 247 G03封装，包装方式为管装，每管30个单位。

在实际设计中，工程师需要根据具体的应用需求，结合器件的各项参数和特性，合理选择和使用该MOSFET。同时，要注意避免超过器件的绝对最大额定值，以确保器件的可靠性和稳定性。大家在使用这款MOSFET时，有没有遇到过什么特别的问题或者有独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。