onsemi NVHL095N65S3HF MOSFET：高性能解决方案

在电子工程领域，MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）是至关重要的功率器件，广泛应用于各类电源系统中。今天我们要介绍的是安森美（onsemi）的 NVHL095N65S3HF，一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，属于 SUPERFET III 系列。

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产品概述

SUPERFET III MOSFET 是安森美的全新高压超结（SJ）MOSFET 系列，采用了电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这种先进技术旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET 非常适合各种追求小型化和更高效率的电源系统。而 NVHL095N65S3HF 作为该系列的一员，更是在高速开关应用中展现出了独特的优势。

产品特性

电气性能

• 耐压与电流能力：该 MOSFET 的漏源击穿电压（BVDSS）在 TJ = 25°C 时为 650V，在 TJ = 150°C 时可达 700V。连续漏极电流（ID）在 TC = 25°C 时为 36A，在 TC = 100°C 时为 22.8A，脉冲漏极电流（IDM）可达 90A。这些参数表明它能够在高电压和大电流的环境下稳定工作。
• 低导通电阻：典型的静态漏源导通电阻（RDS(on)）为 78mΩ，最大为 95mΩ（VGS = 10V，ID = 18A）。低导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗更小，从而提高了电源系统的效率。
• 低栅极电荷：总栅极电荷（Qg(tot)）在 VDS = 400V，ID = 18A，VGS = 10V 时典型值为 66nC，这有助于降低开关损耗，提高开关速度。
• 低输出电容：有效输出电容（Coss(eff.)）典型值为 556pF，较低的输出电容可以减少开关过程中的能量损耗。

其他特性

• 雪崩测试：该器件经过 100% 雪崩测试，具有良好的抗雪崩能力，能够在极端情况下保证器件的可靠性。
• 汽车级应用：NVHL 前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用，符合 AEC - Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力。
• 环保特性：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合 RoHS 标准，符合环保要求。

应用领域

• 汽车车载充电器（HEV - EV）：在电动汽车的充电系统中，需要高效、可靠的功率器件来实现电能的转换和传输。NVHL095N65S3HF 的高性能特性使其能够满足汽车车载充电器对高电压、大电流和高效率的要求。
• 汽车 DC/DC 转换器（HEV - EV）：在混合动力和电动汽车的电源系统中，DC/DC 转换器用于将电池电压转换为适合不同负载的电压。NVHL095N65S3HF 的低导通电阻和低开关损耗可以提高 DC/DC 转换器的效率，延长电池续航时间。

绝对最大额定值

符号	参数	值	单位
VDSS	漏源电压	650	V
VGSS	栅源电压（DC）	±30	V
VGSS	栅源电压（AC，f > 1Hz）	±30	V
ID	连续漏极电流（TC = 25°C）	36	A
ID	连续漏极电流（TC = 100°C）	22.8	A
IDM	脉冲漏极电流	90	A
EAS	单脉冲雪崩能量	440	mJ
IAS	雪崩电流	4.6	A
EAR	重复雪崩能量	2.72	mJ
dv/dt	MOSFET dv/dt	100	V/ns
峰值二极管恢复 dv/dt	50	V/ns
PD	功率耗散（TC = 25°C）	272	W
PD	25°C 以上降额	2.176	W/°C
TJ, TSTG	工作和存储温度范围	-55 至 +150	°C
TL	焊接时最大引脚温度（距外壳 1/8″，5 秒）	300	°C

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

• 结到外壳热阻（RJC）：最大值为 0.46°C/W，较低的热阻有助于将芯片产生的热量快速传导到外壳，从而降低芯片温度。
• 结到环境热阻（RJA）：最大值为 40°C/W，这反映了器件在自然散热条件下的散热能力。

封装与订购信息

该器件采用 TO - 247 封装，包装方式为管装，每管 30 个。具体的订购和发货信息可参考数据手册第 2 页。

典型特性曲线

数据手册中提供了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、转移特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流随外壳温度的变化、Eoss 随漏源电压的变化等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解器件的性能，从而进行合理的电路设计。

测试电路与波形

数据手册还给出了栅极电荷测试电路及波形、电阻性开关测试电路及波形、非钳位电感开关测试电路及波形和峰值二极管恢复 dv/dt 测试电路及波形，为工程师进行器件测试和验证提供了参考。

总之，安森美的 NVHL095N65S3HF MOSFET 以其出色的性能和可靠性，为电源系统的设计提供了一个优秀的解决方案。在实际应用中，工程师可以根据具体的需求和设计要求，合理选择和使用该器件，以实现高效、可靠的电源系统。你在使用类似 MOSFET 器件时，有没有遇到过什么特别的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。